具有透镜插入物的芯片基底的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种芯片基底及其制造方法，更具体地，涉及一种具有透镜插入物的芯片基底。
【背景技术】
[0002]传统上，对于安装在芯片基底上的芯片，已经通过使用机械加工或者化学蚀刻在芯片基底的上表面上产生一空间。换句话说，在以韩国专利N0.0986211公告的韩国专利登记公报中，已经公开了一种使用通过蚀刻未处理的矩形形状的金属基底的上部部分而形成安装空间的工艺的制备方法。
[0003]此外，对于安装诸如UV设备或LED的光学设备，已经形成了具有向下缩窄的锥形的空间，以增强光学反射能力。在形成这样的空间之后，安装芯片，并且当密封安装空间时，形成透镜，从而增加了光学效率。
[0004]此刻，当形成透镜时，因为当从芯片基底的顶部观察时，用于安装的产生的空间形成了圆形形状，因此透镜的形状形成为与其对应的圆形形状。
[0005]然而，与矩形或三角形的包括直线的透镜的加工相比，将透镜精确加工成圆形形式的制备工艺存在困难。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于解决现有技术的上述问题，提供一种芯片基底结构，其中用于插入透镜的安装空间形成有包括直线的形状。
[0007]更具体地，本发明的目的在于提供一种芯片基底结构，其中，通过分离芯片安装空间和透镜插入物空间使用于透镜插入物的空间形成为具有包括直线的形状，并且芯片安装空间进一步形成在透镜插入物空间的内侧。
[0008]根据本发明的一个方面，提供了一种芯片安装基底，其包括:
[0009]导电层，其在一个方向上堆叠并且构成芯片基底；
[0010]绝缘层，其与导电层交替地堆叠并且电气分离导电层；以及
[0011]透镜插入物，其具有:从与绝缘体重叠的芯片基底的上表面的特定区域向下到达预定深度的凹陷；以及在上表面上的预定数量的侧面，其中弧形形成在侧面彼此交会的区域处。
[0012]优选地，透镜插入物的弧形从由侧面的延伸线限定的区域向外突出。
[0013]优选地，芯片基底还包括从与绝缘层重叠的透镜插入物的内部区域向下到达预定深度的凹槽。
[0014]优选地，凹槽具有向下缩窄的形状，其中随着凹槽的深度变深，其横截面的尺寸变小。
[0015]优选地，透镜插入物还包括附加的弧形，其在芯片基底的上表面上从侧面向外突出。
[0016]优选地，预定数量为四，并且弧形形成在侧面彼此交会的四个区域处。
[0017]优选地，芯片基底还包括在芯片基底的上表面处的电极标记，用于为由绝缘体分离的导电层中的至少一个标记电极。
[0018]优选地，透镜插入物还具有插槽，所述插槽在插入透镜时在接触透镜的表面中向下到达预定深度。
[0019]根据本发明，由于用于插入透镜的空间可以形成为具有包括直线的形状，并且插入的透镜也可以制备成包括直线的形状，因此，可以进一步简化用于插入到芯片基底中的透镜的制备工艺。
【附图说明】
[0020]图1是根据本发明的示例性实施方式的包括透镜插入物的芯片基底的俯视图。
[0021]图2是根据本发明的示例性实施方式的包括透镜插入物的芯片基底的横截面图。
[0022]图3是根据本发明的示例性实施方式的包括透镜插入物的芯片基底的透视图。
[0023]图4是根据本发明的另一示例性实施方式的包括透镜插入物的芯片基底的俯视图。
[0024]图5是根据本发明的示例性实施方式的包括多个透镜插入物的芯片基底的俯视图。
[0025]图6是根据本发明的另一实施方式的包括透镜插入物的芯片基底的横截面图。
【具体实施方式】
[0026]说明书的以下内容仅仅例举说明了本发明的原理。因此，所属领域技术人员可以实现本发明的理论，并且创造出包括在本发明的概念和范围内的多种装置，即使其并没有在说明书中清楚地解释或说明。此外，原则上本说明书中所列出的所有条件性的术语和实施方式的目的明显地在于理解本发明的概念，并且所属领域技术人员应该理解本发明并不限于这些特别列出的示例性的实施方式和条件。
[0027]通过与附图相关的以下的详细说明，上述目的、特征和优点将更加明显，因此所属领域技术人员可以容易地实现本发明的技术精神。
[0028]如果确定与本发明相关的公知技术的详细说明可能会使本发明的主旨不必要地模糊，将省略这些详细描述。在下文中，将参照附图进行详细说明，为了方便，将描述LED芯片作为例子。
[0029]为了制备根据本发明的示例性实施方式的芯片基底，包括导电材料并具有预定厚度的多个导电层与绝缘层(其是绝缘体)接合并交替地与绝缘层堆叠，所述绝缘层包括绝缘材料并且设置在多个导电层之间。在本说明书中，“绝缘层”仅仅是“绝缘体”的例子，而在不背离本发明的范围的情况下，绝缘体可以具有除“层”之外的很多形式或形状。
[0030]通过在堆叠时加热和加压，形成导电材料块，其中多个绝缘层被布置成具有固定间隙。接着，通过垂直切割以这种方式制备的导电材料块以包括绝缘层，完成芯片基底的制备，其中多个绝缘层平行布置成具有固定间隙。换句话说，在本发明的示例性实施方式中的单向是垂直方向，并且通过沿着堆叠方向垂直切割导电材料块制备芯片基底。
[0031]通过在根据上述方法切割而制备出的芯片基底中形成透明插入物和凹槽，制备根据本发明的示例性实施方式的包括透镜插入物的芯片基底。
[0032]在该示例性实施方式中，芯片基底具有如图5所示的形状，并且多个透镜插入物和凹槽可以形成在芯片基底的上表面上。然而，为了更详细的说明，将作为例子描述包括一个透镜插入物或一个凹槽的芯片基底。换句话说，图1-3中所示的芯片基底是单位芯片基底中的一个，并且其可以通过切割透镜插入物单元中的图5中的芯片基底而制备。
[0033]在下文中，参照图1，将描述根据本发明的示例性实施方式的包括透镜插入物的芯片基底。
[0034]图1是根据本发明的示例性实施方式的包括透镜插入物140的芯片基底100的俯视图。根据图1，根据本发明的示例性实施方式的包括透镜插入物140的芯片基底100包括:导电层110、绝缘层120、透镜插入物140和凹槽130。换句话说，如果从上方查看芯片基底100，透镜插入物140向内形成在矩形形状的芯片基底100内，并且凹槽130形成在透镜插入物140内侧。此时，透镜插入物140和凹槽130被形成来容纳绝缘层120。
[0035]在该示例性实施方式中，导电层110通过其单向堆叠构成芯片基底100，并且用作电极以将电力施加至通过后期处理而安装的芯片。本文中，单向并不限于导电层110的堆叠方向，导电层110在如上所述的堆叠步骤中交替地与绝缘层120堆叠，并且根据图1，导电层110被限定为沿着水平方向堆叠。
[0036]绝缘层120交替地与导电层110堆叠并且电气分离导电层110。换句话说，其中插有绝缘层120的绝缘的芯片基底可以分别用作正(+)电极端子和负(_)电极端子。
[0037]在该示例性实施方式中，虽然描述的是两个导电层110之间存在一个绝缘层120的例子，但是构造三个导电层I1之间形成两个绝缘层120的芯片基底100也是可行的；根据应用情况，形成更多的绝缘层120也是可能的。
[0038]透镜插入物140具有:从与绝缘层120重叠的芯片基底100的上表面的特定区域向下到达预定深度的凹陷；以及上表面上的预定数量的侧面，其中在侧面彼此交会处形成弧形。
[0039]换句话说，如图1中所示，在通过朝向水平方向顺序堆叠导电层110和绝缘层120以及另一导电层110而形成的芯片基底的上表面上，形成凹陷以覆盖容纳绝缘层120的区域。更具体地，在该示例性实施方式中，透镜插入物140的形状具有四个侧面，并且弧形形成在各个侧面交会的4个拐角处