项记载的衬底处理装置，其中，所述气体供给部的向衬底的周缘部供给处理气体的第一供给面积和向衬底的中心部供给处理气体的第二供给面积为相同面积。
[0167][附注5]
[0168]如附注2?4中任一项记载的衬底处理装置，其中，所述第一缓冲空间和所述第二缓冲空间分别具有圆锥形状。
[0169][附注6]
[0170]如附注I?5中任一项记载的衬底处理装置，其中，对于所述气体供给部所具有的所述气体供给孔的直径而言，向衬底的周缘部供给气体的第一气体供给孔与向衬底的中心部供给气体的第二气体供给孔的直径不同。
[0171][附注7]
[0172]如附注6记载的衬底处理装置，其中，所述第一气体供给孔的直径比所述第二气体供给孔的直径大。
[0173][附注8]
[0174]如附注I?5中任一项记载的衬底处理装置，其中，所述气体供给部所具有的所述气体供给孔包括向衬底的周缘部供给气体的第一气体供给孔和向衬底的中心部供给气体的第二气体供给孔，且通过所述第一气体供给孔的气体的流量比通过所述第二气体供给孔的气体的流量大。
[0175][附注9]
[0176]如附注I?5中任一项记载的衬底处理装置，其中，所述气体供给部所具有的所述气体供给孔包括向衬底的周缘部供给气体的第一气体供给孔和向衬底的中心部供给气体的第二气体供给孔，且通过所述第一气体供给孔的气体的流速比通过所述第二气体供给孔的气体的流速快。
[0177][附注10]
[0178]如附注I?9中任一项记载的衬底处理装置，其中，
[0179]所述处理气体至少包括成为前体的原料气体、与前体反应的反应气体和吹扫气体，
[0180]所述控制部以将下述操作作为一个循环、至少进行I个以上的循环的方式控制所述气体供给部:向所述处理室内供给所述原料气体，在所述原料气体供给后供给所述吹扫气体，在所述吹扫气体供给后将所述反应气体供给到所述衬底周缘部，向所述衬底周缘部供给反应气体之后供给所述吹扫气体,供给所述吹扫气体后将所述反应气体供给到所述衬底的中心部，向所述衬底的中心部供给反应气体后,供给所述吹扫气体。
[0181][附注11]
[0182]如附注10记载的衬底处理装置，其中，控制部以始终持续地供给吹扫气体的方式进行控制。
[0183][附注12]
[0184]如附注I?9中任一项记载的衬底处理装置，其中，
[0185]所述处理气体至少包括成为前体的原料气体、与前体反应的反应气体和吹扫气体，
[0186]所述控制部以将如下操作作为I个循环、进行至少I个循环以上的方式控制所述气体供给部:向所述处理室内供给所述原料气体，在所述原料气体供给后供给所述吹扫气体，在所述吹扫气体供给后将所述反应气体供给到所述衬底周缘部，向所述衬底周缘部供给反应气体之后，将所述反应气体供给到所述衬底的中心部，向所述衬底的中心部供给反应气体后，供给所述吹扫气体。
[0187][附注13]
[0188]一种衬底处理方法，具有:
[0189]将衬底输送到处理室内的工序；
[0190]通过具有向所述处理室内供给处理气体的气体供给孔的气体供给部对所述衬底的周缘部进行气体供给，来处理所述衬底的周缘部的工序；和
[0191]在处理所述衬底的周缘部的工序之后，通过所述气体供给部对所述衬底的中心部进行气体供给，来处理所述衬底的中心部的工序。
[0192][附注14]
[0193]一种半导体器件的制造方法，具有:
[0194]将衬底输送到处理室内的工序；
[0195]通过具有向所述处理室内供给处理气体的气体供给孔的气体供给部对所述衬底的周缘部进行气体供给，来处理所述衬底的周缘部的工序；和
[0196]在处理所述衬底的周缘部的工序之后，通过所述气体供给部对所述衬底的中心部进行气体供给，来处理所述衬底的中心部的工序。
[0197][附注15]
[0198]一种衬底的制造方法，具有:
[0199]将衬底输送到处理室内的工序；
[0200]通过具有向所述处理室内供给处理气体的气体供给孔的气体供给部对所述衬底的周缘部进行气体供给，来处理所述衬底的周缘部的工序；和
[0201]在处理所述衬底的周缘部的工序之后，通过所述气体供给部对所述衬底的中心部进行气体供给，来处理所述衬底的中心部的工序。
[0202][附注16]
[0203]一种程序,具有:
[0204]将衬底输送到处理室内的步骤；
[0205]通过具有向所述处理室内供给处理气体的气体供给孔的气体供给部对所述衬底的周缘部进行气体供给，来处理所述衬底的周缘部的步骤；和
[0206]在处理所述衬底的周缘部的工序之后，通过所述气体供给部对所述衬底的中心部进行气体供给，来处理所述衬底的中心部的步骤。
[0207][附注17]
[0208]—种计算机能够读取的记录介质,记录有具有如下步骤的程序:
[0209]将衬底输送到处理室内的步骤；
[0210]通过具有向所述处理室内供给处理气体的气体供给孔的气体供给部对所述衬底的周缘部进行气体供给，来处理所述衬底的周缘部的步骤；和
[0211]在处理所述衬底的周缘部的工序之后，通过所述气体供给部对所述衬底的中心部进行气体供给，来处理所述衬底的中心部的步骤。
【主权项】
1.一种衬底处理装置，具有: 对衬底进行处理的处理室； 气体供给部，具有将在所述处理室内对衬底进行处理的处理气体分别独立地供给到所述衬底的中心部和所述衬底的周缘部的气体供给孔； 对所述处理室内进行排气的排气部；和 控制部，以将从所述气体供给部供给的处理气体供给到所述衬底的周缘部之后、再供给到所述衬底中心部的方式控制所述气体供给部。
2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述气体供给部具有如下喷头构造:内部空间被划分成用于向衬底的周缘部进行气体供给的第一缓冲空间和用于向衬底的中心部进行气体供给的第二缓冲空间。
3.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述排气部被设置在所述衬底的径向外侧。
4.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述气体供给部的向衬底的周缘部供给处理气体的第一供给面积和向衬底的中心部供给处理气体的第二供给面积为相同面积。
5.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述第一缓冲空间和所述第二缓冲空间分别具有圆锥形状。
6.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，对于所述气体供给部所具有的所述气体供给孔的直径而言，向衬底的周缘部供给气体的第一气体供给孔与向衬底的中心部供给气体的第二气体供给孔的直径不同。
7.如权利要求6所述的衬底处理装置，其中，所述第一气体供给孔的直径比所述第二气体供给孔的直径大。
8.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述气体供给部所具有的所述气体供给孔包括向衬底的周缘部供给气体的第一气体供给孔和向衬底的中心部供给气体的第二气体供给孔，且通过所述第一气体供给孔的气体的流量比通过所述第二气体供给孔的气体的流量大。
9.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述气体供给部所具有的所述气体供给孔包括向衬底的周缘部供给气体的第一气体供给孔和向衬底的中心部供给气体的第二气体供给孔，且通过所述第一气体供给孔的气体的流速比通过所述第二气体供给孔的气体的流速快。
10.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中， 所述处理气体至少包括成为前体的原料气体、与前体反应的反应气体和吹扫气体， 所述控制部以将下述操作作为一个循环、至少进行I个以上的循环的方式控制所述气体供给部:向所述处理室内供给所述原料气体，在所述原料气体供给后供给所述吹扫气体，在所述吹扫气体供给后将所述反应气体供给到所述衬底周缘部，向所述衬底周缘部供给反应气体之后供给所述吹扫气体，供给所述吹扫气体后将所述反应气体供给到所述衬底的中心部，向所述衬底的中心部供给反应气体后，供给所述吹扫气体。
11.如权利要求10所述的衬底处理装置，其中，控制部以始终持续地供给吹扫气体的方式进行控制。
12.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中， 所述处理气体至少包括成为前体的原料气体、与前体反应的反应气体和吹扫气体， 所述控制部以将如下操作作为I个循环、进行至少I个循环以上的方式控制所述气体供给部:向所述处理室内供给所述原料气体，在所述原料气体供给后供给所述吹扫气体，在所述吹扫气体供给后将所述反应气体供给到所述衬底周缘部，向所述衬底周缘部供给反应气体之后，将所述反应气体供给到所述衬底的中心部，向所述衬底的中心部供给反应气体后，供给所述吹扫气体。
13.一种半导体器件的制造方法，具有: 将衬底输送到处理室内的工序； 通过具有向所述处理室内供给处理气体的气体供给孔的气体供给部对所述衬底的周缘部进行气体供给，来处理所述衬底的周缘部的工序；和 在处理所述衬底的周缘部的工序之后，通过所述气体供给部对所述衬底的中心部进行气体供给，来处理所述衬底的中心部的工序。
【专利摘要】本发明涉及衬底处理装置、衬底处理方法及半导体器件的制造方法，本发明提供能够抑制副产物的发生并能够提高衬底的面内均匀性的衬底处理装置、衬底处理方法及半导体制造装置的制造方法。所述衬底处理装置具有：处理衬底的处理室；气体供给部，具有在所述处理室内将处理衬底的处理气体分别独立地供给到所述衬底的中心部和所述衬底的周缘部的气体供给孔；对所述处理室内进行排气的排气部；和控制部，以将从所述气体供给部供给的处理气体供给到所述衬底的周缘部之后、再供给到所述衬底中心部的方式控制所述气体供给部。
【IPC分类】H01L21-20, H01J37-32
【公开号】CN104681386
【申请号】CN201410432238
【发明人】山口天和, 西堂周平
【申请人】株式会社日立国际电气
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2014年8月28日
【公告号】US20150152551