振器输出光谱S2的峰值波长偏移和光视效函数光谱的关系，因此，在本实施方式中，使共振器输出光谱S2的峰值波长位于内部发光光谱SI的峰值波长和光视效函数的峰值波长(即，明视觉标准下555nm)之间。由此，在因加工误差引起共振器输出光谱S2的峰值波长(λ S2)向高光视效率一侧偏移时，发光输出减少，相反，峰值波长(λ S2)向低光视效率一侧偏移时，发光输出增加，从而可抑制正面方向的亮度变动。计算发现，蓝色(B)的情形下共振器输出光谱S2的峰值波长(XS2)在±2nm的范围内偏移时，正面方向的亮度变动在大致±5%以内。
[0060]图1所示的发光元件由反射电极和半透过电极构成第一和第二反射部件，但并不限于此，也可以形成与电极独立的反射膜。此时，在该反射膜的元件一侧的阳极和阴极可以是透明电极。
[0061](第二实施方式)
[0062]本实施方式为第一实施方式的变形例，是以红色(R)发光元件代替蓝色(B)发光元件作为对象的实施方式。
[0063]S卩，红色(R)发光元件的情形下，如图7所示，使共振器输出光谱S2的峰值波长位于内部发光光谱SI的峰值波长(ASl)和光视效函数光谱的峰值波长(即，555nm)之间。
[0064]如上所述，在图1所示结构的情形下，已确定有机层3的层叠膜厚(设计值)，以使对于红色(R)为最佳的共振器光路长，由此也确定了共振器输出光谱S2的峰值波长(目标值)。例如，共振器光路长度(设计值)为300nm时的峰值波长(目标值)为620nm。另夕卜，光视效函数光谱的峰值波长在明视觉标准下为555nm。因此，在本实施方式中，从上述列出的发光材料中选出呈现上述位置关系的内部发光光谱SI的发光材料，由该发光材料形成发光层33。优选内部发光光谱SI的峰值波长在600nm?640nm的范围内的发光材料，且共振器输出光谱S2的峰值波长相对于内部发光光谱SI的峰值波长位于短波长一侧。进而，可使内部发光光谱SI的短波长一侧的倾斜形状为，与光视效函数光谱的长波长一侧的倾斜的倒数大约成比例。尤其是红色(R)的情形下，共振器输出光谱S2的峰值波长可以位于，内部发光光谱SI的短波长一侧的上升的倾斜部的发光强度急剧变化的区域。
[0065]作为更有选的例子，根据与图4和图5的计算结果相同的理由，共振器输出光谱S2的峰值波长(XS2)处的内部发光光谱SI的发光强度的变化率&为+0.03[Ι/nm]以上，优选为+0.05[Ι/nm]以上。
[0066]进一步，在本实施方式中，虽然优选共振器输出光谱S2的峰值波长AS2处的内部发光光谱SI的发光强度的变化率Re满足上述条件，但除了使变化率1^满足上述条件，或者作为使变化率Re满足上述条件的代替条件，还可以设定满足图8所示的条件。S卩，设定共振器输出光谱S2的峰值波长λ S2位于，在内部发光光谱SI的短波长一侧的倾斜部上与内部发光光谱SI的发光强度的最大值的95%?50%的范围(图8的实线所示范围)相应的波长间(λ 95?λ 50) ο
[0067]此外，与蓝色(B)的情形相同，为了满足上述条件，并不限于对发光材料的选择，比如，也可以是在色纯度的容许范围内调节共振器输出光谱S2的峰值波长(目标值)来满足上述关系。可通过调节有机层3的膜厚(设计值)来调节共振器输出光谱S2的峰值波长(目标值)。还可以通过选择发光材料以及调节有机层3的厚度(设计值)这两方面来满足上述条件。
[0068]如上所述，在以红色(R)的发光元件为对象时，也使共振器输出光谱S2的峰值波长位于内部发光光谱Si的峰值波长和光视效函数光谱的峰值波长(即，明视觉标准下为555nm)之间，由此，在因制作误差引起共振器输出光谱S2的峰值波长(λ S2)向高光视效率一侧偏移时，发光输出减少，相反峰值波长(λ S2)向低光视效率一侧偏移时发光输出增加，从而可抑制正面方向的亮度变动。如图9所示，计算发现，红色(R)的情形下共振器输出光谱S2的峰值波长在±2nm的范围内偏移时，正面方向的亮度变动为±5%以内。
[0069](第三实施方式)
[0070]在第一实施方式中以蓝色(B)发光元件为对象，在第二实施方式中以红色(R)发光元件为对象。但是，由多个RGB发光元件形成的显示装置可以具有第一和第二实施方式中所说明的蓝色(B)和红色(R)这两种发光元件，能够抑制蓝色(B)和红色(R)两者的亮度变动。
[0071](第四实施方式)
[0072]在第一?第三实施方式中，对通过改变空穴注入层31的厚度调整RGB共振器光路长度的例子进行了说明。但是并不限于此，也可以如图10所示，通过改变发光层33的厚度调整RGB共振器光路长度。
[0073](第五实施方式)
[0074]在第一?第四实施方式中，以顶部发光结构的发光元件为例进行了说明。但是并不限于这种结构，也可以是如图11所示的底部发光结构。图11所示的例子中，通过使图1的反射电极21为半透过电极，使阴极4为反射电极，而成为底部发光结构。但是本发明并不限定于图11所示的结构。
[0075](第六实施方式)
[0076]下面，说明制造图1所示的RGB发光元件的工序的例子。
[0077]首先，用蒸镀或溅射法等依次形成反射电极21、透明电极22的薄膜。可通过照相平版印刷术形成上述电极21、22的图案。然后，在基板I上涂布含氟的感光性树脂，干燥并成膜后，通过例如照相平版印刷术形成具有如图1所示的图案的隔壁部5。在为被动型的情形下，将电极21、22形成为条纹状后，形成隔壁部5。另一方面，在为主动型的情形下，将电极21、22形成为与每个驱动电路连接的岛状，然后形成隔壁部5。
[0078]接着，用例如喷墨喷嘴等将空穴注入层32的液体材料涂布在由隔壁部5分隔的区域内，干燥并成膜。对于空穴输入层32、发光层33也同样地利用涂布法对各元件分别涂布，并成膜。可通过调节例如液体材料的涂布量来调节膜厚。接着，用蒸镀法依次形成电子输送层34和阴极4。可使用金属掩膜等掩膜，或者利用隔壁部5的堤坝形状，对阴极4形成图案。例如在为被动型的情形下，可将阴极4的图案形成为条纹状。另一方面，在为主动型的情形下，可不形成图案，而使其成为屏蔽电极。通过上述工序，可制造图1和图2所示的RGB发光元件。
[0079]如上所述，根据第一?第六实施方式，在具有共振器结构的发光元件中，通过使共振器输出光谱的峰值波长位于内部发光光谱的峰值波长和光视效函数光谱的峰值波长之间，可抑制因共振器光路长度不均所引起的亮度变动。换言之，即使膜厚偏离设计值，由于亮度变动小，并且在某种程度上能够容忍膜厚不均，因而可提高生产率并降低成本。
[0080]上述实施方式中所述的技术除了可应用于有机薄膜发光元件，还可应用于具有层叠元件结构的无机薄膜发光元件(电场发光、发光二级管)。另外，可应用于在表面以矩阵状配置发光元件的发光型显示装置。也可以是从第一和第二反射部件两方透射发光的结构。进一步，本发明不限定于RGB三色，也可以包含一种色或两种色，或是其他颜色。
[0081]以上，结合具体的实施方式对本发明进行了详细说明，但在不脱离本发明的精神和权利要求的范围内，可对方式和细节可进行各种替换、变形和变更，这对于具有本领域一般知识的本领域技术人员来说是不言自明的。因此，本发明的保护范围并不限定于上述实施方式和附图的记载，而应根据权利要求书的记载及其等同的实施方式来确定。
【主权项】
1.一种发光元件，其特征在于: 具有共振器结构，该共振器结构包括第一反射部件、第二反射部件和有机层， 所述有机层涂布在由隔壁部分隔的区域内， 在所述第一反射部件和所述第二反射部件之间发生共振的光的一部分经所述第一反射部件或所述第二反射部件透过， 所述共振器结构的共振器输出光谱达到最大值的波长，位于所述有机层的内部发光光谱达到最大值的波长与光视效函数达到最大值的波长之间。
2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于: 所述共振器输出光谱达到最大值的波长处的所述内部发光光谱的发光强度的变化率Re^ -0.03 以下。
3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于: 所述内部发光光谱达到最大值的波长在450nm?480nm的范围内，所述共振器输出光谱达到最大值的波长相对于所述内部发光光谱达到最大值的波长位于长波长一侧。
4.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于: 所述内部发光光谱达到最大值的波长在600nm?640nm的范围内，所述共振器输出光谱达到最大值的波长相对于所述内部发光光谱达到最大值的波长位于短波长一侧。
【专利摘要】本发明涉及共振器结构的发光元件和显示装置，即使在例如膜厚照比设计值发生偏差时，也能够抑制亮度变动。具有共振器结构，其具有第一反射部件、第二反射部件、和配置在所述第一反射部件与第二反射部件之间的发光层，使在所述第一反射部件与第二反射部件之间发生共振的光的一部分从所述第一反射部件或所述第二反射部件透过，所述共振器结构的共振器输出光谱达到最大值的波长位于所述发光层的内部发光光谱达到最大值的波长和光视效函数达到最大值的波长之间。
【IPC分类】H01L33-60, H01L33-50
【公开号】CN104681699
【申请号】CN201510015416
【发明人】吉冈俊博, 内田敏治
【申请人】日本先锋公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2009年6月11日