聚酰亚胺光敏层及其制备方法、封装方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种聚酰亚胺光敏层及其制备方法、封装方法。
【背景技术】
[0002]半导体器件用于各种电子应用，诸如个人电脑、手机、数码相机、以及其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方按顺序沉积绝缘或者介电层、导电层、和半导电层的材料，以及采用光刻图案化各种材料层以在其上形成电路元件和元件来制造半导体器件。
[0003]半导体产业通过不断减小最小部件尺寸来不断提高各种电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等等)的集成密度，这容许将更多的元件集成到给定的区域中。在某些应用中，这些更小的电子元件同样需要比过去的封装件利用更少面积的更小的封装件。
[0004]因此，已经开始开发新的封装技术诸如晶圆级封装(WLP)，其中将集成电路(IC)设置在具有用于与IC和其他电气元件建立连接的布线的载具上。这些用于半导体的相对新型的封装技术面临制造挑战。
[0005]现有技术的封装过程中，需要用到光敏聚合物(如聚酰亚胺PI等材料)，光敏聚合物作为光阻使用，同时还为再分配层提供一个平坦的表面，并可以保护下层的基底。然而，由于光敏聚合物具有较大的热阻以及热膨胀系数，从而影响半导体器件的散热性能，进一步地影响半导体器件的稳定性，使得半导体器件的下层金属破裂，造成半导体器件失效。
[0006]因此，如何提供一种聚酰亚胺光敏层及其制备方法、封装方法，能降低光敏聚合物的热膨胀系数，提高半导体器件的稳定性，已成为本领域技术人员需要解决的问题。
【发明内容】
[0007]本发明的目的在于，提供一种聚酰亚胺光敏层及其制备方法、封装方法，能降低光敏聚合物的热膨胀系数，提高半导体器件的稳定性。
[0008]为解决上述技术问题，本发明提供一种聚酰亚胺光敏层，形成于一衬底上，按所述聚酰亚胺光敏层重量100份计包括以下组份:
[0009]纳米碳化硅1-30份；
[0010]光敏聚酰亚胺浆料65-99份。
[0011]进一步地，在所述聚酰亚胺光敏层中，所述纳米碳化娃的平均粒径为Inm?50nm。
[0012]进一步地，在所述聚酰亚胺光敏层中，所述聚酰亚胺光敏层还包括0-5份的偶联剂。
[0013]进一步地，在所述聚酰亚胺光敏层中，所述偶联剂为硅烷偶联剂。
[0014]根据本发明的另一面，本发明还提供一种聚酰亚胺光敏层的制备方法，包括:
[0015]提供光敏聚酰亚胺浆料；
[0016]向所述光敏聚酰亚胺浆料中加入所述纳米碳化硅，并进行搅拌，形成复合浆料；
[0017]将所述复合浆料涂覆在一衬底上，形成所述聚酰亚胺光敏层；
[0018]其中，按所述聚酰亚胺光敏层重量100份计，所述纳米碳化硅为1-30份，所述光敏聚酰亚胺浆料为65-99份。
[0019]进一步地，在所述聚酰亚胺光敏层的制备方法中，所述纳米碳化硅的平均粒径为Inm ?50nmo
[0020]进一步地，在所述聚酰亚胺光敏层的制备方法中，所述聚酰亚胺光敏层还包括0-5份的偶联剂。
[0021]进一步地，在所述聚酰亚胺光敏层的制备方法中，所述偶联剂为硅烷偶联剂。
[0022]根据本发明的另一面，本发明还提供一种封装方法，包括:
[0023]提供一基底；
[0024]在所述基底上形成第一聚酰亚胺光敏层；
[0025]在所述第一聚酰亚胺光敏层上形成再分配层；
[0026]在所述再分配层上形成第二聚酰亚胺光敏层；
[0027]在所述第二聚酰亚胺光敏层上形成底层金属层；
[0028]在所述底层金属层上形成导电凸块；其中，
[0029]按所述第一聚酰亚胺光敏层重量100份计包括以下组份:纳米碳化硅1-30份；光敏聚酰亚胺浆料65-99份；
[0030]按所述第二聚酰亚胺光敏层重量100份计包括以下组份:纳米碳化硅1-30份；光敏聚酰亚胺浆料65-99份。
[0031]进一步地，在所述封装方法中，所述在所述基底上形成第一聚酰亚胺光敏层的步骤包括:
[0032]提供光敏聚酰亚胺浆料；
[0033]向所述光敏聚酰亚胺浆料中加入所述纳米碳化硅，并进行搅拌，形成第一复合浆料；
[0034]将所述复合浆料涂覆在所述基底上，形成所述第一聚酰亚胺光敏层。
[0035]进一步地，在所述封装方法中，所述第一聚酰亚胺光敏层中所述纳米碳化硅的含量为1-25份。
[0036]进一步地，在所述封装方法中，所述在所述基底上形成第二聚酰亚胺光敏层的步骤包括:
[0037]提供光敏聚酰亚胺浆料；
[0038]向所述光敏聚酰亚胺浆料中加入所述纳米碳化硅，并进行搅拌，形成第二复合浆料；
[0039]将所述复合浆料涂覆在所述再分配层上，形成所述第二聚酰亚胺光敏层。
[0040]进一步地，在所述封装方法中，所述第二聚酰亚胺光敏层中所述纳米碳化硅的含量为5-30份。
[0041]进一步地，在所述封装方法中，所述第一聚酰亚胺光敏层或/和第二聚酰亚胺光敏层还包括0-5份的偶联剂。
[0042]进一步地，在所述封装方法中，所述偶联剂为硅烷偶联剂。
[0043]进一步地，在所述封装方法中，所述纳米碳化娃的平均粒径为Inm?50nm。
[0044]与现有技术相比，本发明提供的聚酰亚胺光敏层及其制备方法、封装方法具有以下优点:
[0045]本发明提供的聚酰亚胺光敏层及其制备方法、封装方法，所述聚酰亚胺光敏层重量100份计包括以下组份:纳米碳化硅1-30份；光敏聚酰亚胺浆料65-99份，与现有技术相t匕，在所述光敏聚酰亚胺浆料加入纳米碳化硅，所述纳米碳化硅均匀地分散在所述光敏聚酰亚胺浆料中，形成纳米碳化硅的导热网络，从而提供热量的传输路径，使得所述聚酰亚胺光敏层的热膨胀系数降低，采用所述聚酰亚胺光敏层作为光敏聚合物，可以提高半导体器件的稳定性。
【附图说明】
[0046]图1为本发明一实施例中聚酰亚胺光敏层的示意图；
[0047]图2为本发明一实施例中聚酰亚胺光敏层的制备方法的流程图；
[0048]图3为本发明一实施例中聚酰亚胺光敏层的制备方法的流程图；
[0049]图4为本发明一实施例中封装方法的流程图；
[0050]图5-图9为本发明一实施例中封装方法中器件结构的示意图。
【具体实施方式】
[0051]下面将结合示意图对本发明的聚酰亚胺光敏层及其制备方法、封装方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
[0052]为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
[0053]在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
[0054]本发明的核心思想在于，提供一聚酰亚胺光敏层110，如图1所示，所述聚酰亚胺光敏层110形成于一衬底100上，所述聚酰亚胺光敏层110以重量100份计包括以下组份:1-30份的纳米碳化硅112 ;65-99份的光敏聚酰亚胺浆料111，与现有技术相比，在所述光敏聚酰亚胺浆料111加入纳米碳化硅112，所述纳米碳化硅112均匀地分散在所述光敏聚酰亚胺浆料111中，形成纳米碳化硅112的导热网络，从而提供热量的传输路径，使得所述聚酰亚胺光敏层110的热