膨胀系数降低，采用所述聚酰亚胺光敏层110作为光敏聚合物，可以提高半导体器件的稳定性。
[0055]其中，所述纳米碳化硅112在所述聚酰亚胺光敏层110中占1-30份，例如2份、5份、10份、15份、20份、25份等，具体根据所述聚酰亚胺光敏层110的要求决定，其中，当所述纳米碳化硅112的含量较高时，所述纳米碳化硅112和所述光敏聚酰亚胺浆料111的复合衆料的粘稠度较高，同时导热性能更好。所述纳米碳化娃112的平均粒径为Inm?50nm例如2nm、5nm、10nm、20nm、30nm、40nm、45nm等，可以保证所述纳米碳化娃112在所述光敏聚酰亚胺浆料111中分散均匀，但所述纳米碳化硅112的平均粒径并不限于为Inm?50nm。
[0056]较佳的，所述聚酰亚胺光敏层110还包括0-5份的偶联剂，所述偶联剂在所述聚酰亚胺光敏层中占2份、3份、4份等，所述偶联剂的加入可以使得所述纳米碳化硅112在所述光敏聚酰亚胺浆料111中分散地更加均匀。其中，所述偶联剂优选为硅烷偶联剂，所述偶联剂并不限于为硅烷偶联剂，还可以为其它偶联剂。
[0057]结合上述核心思想，本发明还提供一种聚酰亚胺光敏层的制备方法，如图2所示，包括:
[0058]进行步骤Sll:提供光敏聚酰亚胺浆料111 ;
[0059]进行步骤S12:向所述光敏聚酰亚胺浆料111中加入所述纳米碳化硅112，并进行搅拌，形成复合浆料。较佳的，可以先采用所述偶联剂对所述纳米碳化硅112进行表面修饰，然后将修饰后的所述纳米碳化硅112加入到所述光敏聚酰亚胺浆料111中形成所述复合浆料；
[0060]进行步骤S13:将所述复合浆料涂覆在一衬底100上，形成所述聚酰亚胺光敏层110。一般的，在形成所述聚酰亚胺光敏层110后，需要对所述聚酰亚胺光敏层110进行固化工艺，此为本领域的技术人员可以理解的，在此不作赘述。
[0061]结合上述核心思想，本发明还提供一种封装方法，如图3所示，包括:
[0062]进行步骤S21:提供一基底200，如图4所示，其中，所述基底200中包括互连金属层等必要的器件结构，此为本领域的公知常识，在此不作赘述；
[0063]进行步骤S22:在所述基底200上形成第一聚酰亚胺光敏层210，如图5所示。一般的，所述第一聚酰亚胺光敏层210中，具有第一图案210a，此为本领域的公知常识，在此不作赘述。其中，在制备所述第一图案210a时，所述第一聚酰亚胺光敏层210为光阻使用，另外，在步骤S23中，所述第一聚酰亚胺光敏层210为再分配层提供一个平坦的表面，并可以保护下层的基底200。较佳的，在本实施例中，在所述封装方法中，所述步骤S22采用本发明上述聚酰亚胺光敏层的制备方法，具体的包括:
[0064]第一子步:提供光敏聚酰亚胺浆料111 ;
[0065]第二子步:向所述光敏聚酰亚胺浆料111中加入所述纳米碳化硅112，并进行搅拌，形成第一复合浆料。较佳的，在本实施例中，由于所述第一聚酰亚胺光敏层210较薄，在所述光敏聚酰亚胺浆料111中加入1-25份所述纳米碳化硅112 ；
[0066]第三子步:将所述复合浆料涂覆在所述基底200上，形成所述第一聚酰亚胺光敏层210，使得所述第一聚酰亚胺光敏层210中含有1-25份的所述纳米碳化硅112。在本实施例中，在所述第一聚酰亚胺光敏层210固化后，制备所述第一图案210a ；
[0067]进行步骤S23:在所述第一聚酰亚胺光敏层210上形成再分配层220，以与所述基底200中的互连金属层形成导电连通，如图6所示，其中，所述再分配层220为本领域的公知常识，在此不作赘述；
[0068]进行步骤S24:在所述再分配层220上形成第二聚酰亚胺光敏层230，如图7所示。一般的，所述第二聚酰亚胺光敏层230中，具有第二图案230a，此为本领域的公知常识，在此不作赘述。其中，在制备所述第二图案230a时，所述第二聚酰亚胺光敏层230为光阻使用，另外，在步骤S25中，所述第一聚酰亚胺光敏层210为底层金属层提供一个平坦的表面，并可以保护下层的再分配层220。较佳的，在本实施例中，在所述封装方法中，所述步骤S24采用本发明上述聚酰亚胺光敏层的制备方法，具体的包括:
[0069]第一子步:提供光敏聚酰亚胺浆料111 ;
[0070]第二子步:向所述光敏聚酰亚胺浆料111中加入所述纳米碳化硅112，并进行搅拌，形成第二复合浆料。较佳的，在本实施例中，由于所述第二聚酰亚胺光敏层230较厚，在所述光敏聚酰亚胺浆料111中加入5-30份所述纳米碳化硅112 ；
[0071]第三子步:将所述复合浆料涂覆在所述再分配层220上，形成所述第二聚酰亚胺光敏层230，使得所述第二聚酰亚胺光敏层2300中含有5-30份的所述纳米碳化硅112。在本实施例中，在所述第二聚酰亚胺光敏层230固化后，制备所述第二图案230a ；
[0072]进行步骤S25:在所述第二聚酰亚胺光敏层230上形成底层金属层240，如图8所示，其中，所述底层金属层240为本领域的公知常识，在此不作赘述；
[0073]进行步骤S26:在所述底层金属层240上形成导电凸块250，如图9所示，其中，所述导电凸块250为本领域的公知常识，在此不作赘述。
[0074]以下列举所述聚酰亚胺光敏层及其制备方法、封装方法的几个实施例，以清楚说明本发明的内容，应当明确的是，本发明的内容并不限制于以下实施例，其他通过本领域普通技术人员的常规技术手段的改进亦在本发明的思想范围之内。
[0075]【第一实施例】
[0076]在本第一实施例中，所述聚酰亚胺光敏层及其制备方法用于半导体器件的封装。
[0077]首先，进行步骤S21:提供一基底200 ；
[0078]然后，进行步骤S22:在所述基底200上形成第一聚酰亚胺光敏层210，其中，所述步骤S22采用本发明上述聚酰亚胺光敏层的制备方法，具体的包括:
[0079]第一子步:提供光敏聚酰亚胺浆料111 ;
[0080]第二子步:向所述光敏聚酰亚胺浆料111中加入20份所述纳米碳化硅112，并进行搅拌，形成第一复合浆料，所述纳米碳化硅112的平均粒径为1nm ；
[0081]第三子步:将所述复合浆料涂覆在所述基底200上，形成所述第一聚酰亚胺光敏层210，使得所述第一聚酰亚胺光敏层210中含有10份的所述纳米碳化硅112 ；
[0082]接着，进行步骤S23:在所述第一聚酰亚胺光敏层210上形成再分配层220 ；
[0083]之后，进行步骤S24:在所述再分配层220上形成第二聚酰亚胺光敏层230，其中，所述步骤S24采用本发明上述聚酰亚胺光敏层的制备方法，具体的包括:
[0084]第一子步:提供光敏聚酰亚胺浆料111 ;
[0085]第二子步:向所述光敏聚酰亚胺浆料111中加入25份所述纳米碳化硅112，并进行搅拌，形成第二复合浆料，所述纳米碳化硅112的平均粒径为20nm ；
[0086]第三子步:将所述复合浆料涂覆在所述再分配层220上；
[0087]随后，进行步骤S25:在所述第二聚酰亚胺光敏层230上形成底层金属层240 ；
[0088]最后，进行步骤S26:在所述底层金属层240上形成导电凸块250。
[0089]最终得到半导体器件中，所述第一聚酰亚胺光敏层210和所述第二聚酰亚胺光敏层230的热膨胀系数低，半导体器件稳定性好。
[0090]【第二实施例】
[0091]在本第二实施例中，所述聚酰亚胺光敏层及其制备方法用于半导体器件的封装。
[0092]首先，进行步骤S21:提供一基底200 ；
[0093]然后，进行步骤S22:在所述基底200上形成第一聚酰亚胺光敏层210，其中，所述步骤S22采用本发明上述聚酰亚胺光敏层的制备方法，具体的包括:
[0094]第一子步:提供光敏聚酰亚胺浆料111 ;
[0095]第二子步:向所述光敏聚酰亚胺浆料111中加入10份所述纳米碳化硅112，并进行搅拌，形成第一复合浆料，所述纳米碳化硅112的平均粒径为3