第一外延片键合到第一基板上。
[0079]其中，参见图7,第一外延层10位于GaAs衬底11和第一基板30之间。
[0080] 可W通过金属键合工艺，将制备的第一外延片键合到第一基板上，第一基板的材 质可W是Si、藍宝石、柔性导电漆绝树脂（英文；Polyeth}dene Tere地thalate，简称；PET 或阳口）、或铜。
[0081] 由于外延层非常薄，将第一外延片键合到第一基板上，第一基板可W对第一外延 片起固定和支撑作用。同时，由于第一基板材料本身的导热系数，比如Si、藍宝石等材料 的基板的导热系数高于GaAs衬底的导热系数，有利于解决大功率AlGalnPLED散热问题。 另外，Si、藍宝石等材料作为第一基板相比于GaAs基板，对量子阱发出的光无吸收。将 AlGalnPL邸外延层键合到第一基板，可W有效的提高AlGalnPLED的外量子效率。
[008引步骤303、采用HF酸和去离子&0的混合液，对键合后的第一外延片进行腐蚀，直 到在N型AlAs牺牲层被腐蚀后第一外延片分成第一部分和第二部分。
[0083] 其中，参见图8,当第一外延层10包括依次位于GaAs衬底11上的N型GaAs缓冲 层12、第一N型GaxIrvxP层13、N型GaAs层14、N型AlAs牺牲层16、N型GalnP腐蚀停层 17、N型GaAs欧姆接触层18、N型AllnP层19、量子阱层20、和P型层21时，第一部分N1包 括GaAs衬底11、W及依次覆盖在GaAs衬底11上的N型GaAs缓冲层12、第一N型GaxIrvxP 层13、和N型GaAs层14。当第一外延层10还包括第二N型GaxIrvxP层（图8未示出）时， 第一部分N1包括GaAs衬底11、W及依次覆盖在GaAs衬底11上的N型GaAs缓冲层12、第 一N型GaxIrvxP层 13、N型GaAs层 14 和第二N型GaxIrvxP层。
[0084] 第二部分N2包括N型GalnP腐蚀停层17、化及依次覆盖在N型GalnP腐蚀停层17 上的N型GaAs欧姆接触层18、N型AllnP层19、量子阱层20、P型层21、和第一基板30。
[0085] 其中，HF酸和去离子&0的混合液浓度为30% -60%。优选地，HF酸和去离子&0 的混合液浓度为50%。
[0086] 其中，HF酸和去离子&0的混合液和N型AlAs牺牲层发生化学反应，生成AlFs和 A1Fn(H2〇)6-w混合物。并且，HF酸和去离子H20的混合液与磯化物材料（比如N型GalnP腐 蚀停层）不发生化学反应，所W采用HF酸和去离子&0的混合液腐蚀N型AlAs牺牲层，对 第二部分无破坏作用。另外，HF酸和去离子&0的混合液分别与AlAs层和GaAs层的腐蚀 选择比约为1〇7:1，也就是说，即便N型AlAs牺牲层覆盖在N型GaAs层上，HF酸和去离子 &0的混合液也更容易将AlAs牺牲层腐蚀，从而实现将GaAs衬底剥离出来。
[0087] 通过步骤302和步骤303,实现了从第一外延片上将GaAs衬底剥离出来。
[008引步骤304、去除第二部分中的N型GalnP腐蚀停层。
[0089] 可W使用肥1和&0的混合液腐蚀N型GalnP腐蚀停层。
[0090] 步骤305、将去除N型GalnP腐蚀停层后的第二部分加工成LED巧片。
[0091] 本发明实施例通过在第一外延层中生长N型AlAs牺牲层，可W对N型AlAs牺牲 层进行腐蚀，第一外延片将分成两部分，其中一部分包括GaAs衬底，实现了从第一外延片 上将GaAs衬底剥离出来，且GaAs衬底未被破坏，减少环境污染；通过在第一外延层中生长 N型GaAs层和第一N型GaxIrvxP层，能够在腐蚀N型AlAs牺牲层时，对GaAs衬底进行保 护；通过使用剥离出的GaAs衬底再制备外延片，实现了GaAs衬底的重复使用，该极大地降 低了LED外延片的成本。
[OOW] 实施例四
[0093] 本发明实施例提供了一种衬底回收方法，参见图9,该方法包括：
[0094] 步骤401、提供第一外延片。
[0095] 其中该第一外延片包括GaAs衬底和第一外延层。该第一外延层包括依次位于 GaAs衬底上的N型GaAs缓冲层、第一N型GaxIrvxP层、N型GaAs层、N型AlAs牺牲层、N 型GalnP腐蚀停层、N型GaAs欧姆接触层、N型AllnP层、量子阱层、和P型层。
[0096] 步骤402、将第一外延片键合到第一基板上。
[0097] 其中，本步骤同实施例=中步骤302,在此不再寶述。
[009引步骤403、采用HF酸和去离子&0的混合液，对键合后的第一外延片进行腐蚀，直 到在N型AlAs牺牲层被腐蚀后第一外延片分成第一部分和第二部分。
[0099] 其中，第一部分包括GaAs衬底、W及依次覆盖在GaAs衬底上的N型GaAs缓冲层、 第一N型GaxIrvxP层、和N型GaAs层。
[0100] 步骤404、依次去除第一部分中的N型GaAs层、和第一N型GaxIrvxP层，得到处理 后的GaAs衬底。
[OW] 步骤404包括，先将第一部分浸入畔〇4、&化和H2O的混合液、或者氨水、&化和H2O 的混合液中，直到去除N型GaAs层；再将去除N型GaAs层后的第一部分浸入H3PO4和肥1 的混合液、或者肥1和&0的混合液中，直到去除N型第一N型GaxIrvxP层，得到处理后的 GaAs衬底。
[0102] 其中，处理后的GaAs衬底包括GaAs衬底、W及覆盖在GaAs衬底上的N型GaAs缓 冲层。由于N型GaAs缓冲层的材质与GaAs衬底的材质相同，N型GaAs缓冲层覆盖在GaAs 衬底上，不会对GaAs衬底产生影响。
[0103] 其中，一方面，第一N型GaxIrvxP层和N型GaAs层在腐蚀N型AlAs牺牲层时，为 GaAs衬底提供保护作用，比如前述HF酸和去离子&0的混合液分别与AlAs层和GaAs层的 腐蚀选择比约为1〇7:1，可W保护GaAs衬底11。另一方面，第一N型GaxIrvxP层和N型GaAs 层抑制湿法腐蚀GaAs衬底表面氧化物颗粒的形成。比如，在采用HF酸的混合液腐蚀N型 AlAs牺牲层时，溶液中有氧化神颗粒产生，一些氧化神颗粒会附着在N型GaAs层上。而在 腐蚀N型GaAs层时，将有部分氧化神颗粒被去除，但可能还存在部分氧化神颗粒附着在第 一N型GaxIrvxP层上。在腐蚀第一N型GaxIrvxP层时，进一步去除氧化神颗粒。
[0104] 通过步骤404,实现了对剥离出的GaAs衬底进行处理，得到处理后的GaAs衬底。 [01化]在步骤404之后，执行步骤405或步骤406。
[0106] 步骤405、在处理后的GaAs衬底上生长第一外延层，得到又一第一外延片。
[0107] 在步骤405之后，可W重复步骤401-404,从得到的第一外延片上将GaAs衬底剥离 出来，再对剥离出的GaAs衬底进行处理。
[0108] 步骤406、在处理后的GaAs衬底上生长第二外延层，得到第二外延片。
[0109] 其中，第二外延层包括依次位于处理后的GaAs衬底上的N型GaAs缓冲层、N型 GalnP腐蚀停层、N型GaAs欧姆接触层、N型AllnP层、量子阱层、和P型层。
[0110] 本发明实施例通过在第一外延层中生长N型AlAs牺牲层，可W对N型AlAs牺牲层 进行腐蚀，第一外延片分成第一部分和第二部分，第一部分包括GaAs衬底，实现了从第一 外延片上将GaAs衬底剥离出来；通过在第一外延层中生长N型GaAs层和第一N型GaxIrvxP 层，能够在腐蚀N型AlAs牺牲层时，对GaAs衬底进行保护；通过使用剥离出的GaAs衬底再 制备又一第一外延片或制备又一第二外延片，实现了GaAs衬底的重复使用，该极大地降低 了L邸外延片的成本。
[0111] 实施例五
[0112] 本发明实施例提供了一种衬底回收方法，参见图10,该方法包括：
[0113] 步骤501、提供第一外延片。
[0114] 其中，该第一外延片包括GaAs衬底和第一外延层。该第一外延层包括依次位于 GaAs衬底上的N型GaAs缓冲层、第一N型GaxIrvxP层、N型GaAs层、第二N型GaxIrvxP层、 N型AlAs牺牲层、N型GalnP腐蚀停层、N型GaAs欧姆接触层、N型A1InP层、量子阱层、和 P型层。0. 47<X<0. 51。
[0115] 步骤502、将第一外延片键合到第一基板上。
[0116] 其中，第一外延