一种四元led芯片干法蚀刻方法
【技术领域】
[0001] 本发明一种四元LED巧片干法蚀刻方法，属于L邸蚀刻技术领域。
【背景技术】
[0002] 干法蚀刻是利用蚀刻气体在电场加速作用下形成等离子体中的活性基，与被腐蚀 材料同时进行物理式撞击瓣蚀及化学反应，来移除欲蚀刻部份，被蚀刻的物质变成挥发性 的气体，经抽气系统抽离；蚀刻的产品均匀度越低，则产品的良率越高，干法蚀刻的均匀度 受气体种类、流量、电浆源及偏压功率所的影响，通常，对于四元L邸巧片的干法蚀刻方法 所选用的气体流量为lOsccm或20sccm，在电浆源、偏压功率和蚀刻时间等条件相同的情况 下，气体流量为lOsccm时的均匀度为1. 92%，气体流量为20sccm时的均匀度为1. 32%，该 两种气体流量所生产的产品的均匀度均较高，因此产品的品质不高。
【发明内容】
[0003] 本发明克服现有技术存在的不足，所要解决的技术问题为提供一种四元LED巧片 干法蚀刻方法，调整气体流量，使被蚀刻产品的均匀度降低，提高产品质量。
[0004] 为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种四元L邸巧片干法蚀刻 方法，按照W下步骤进行： a、 将偏压功率设定为300W，电感禪合等离子体功率设定为500W，蚀刻时间设定为 130s，气体流量设定为15±lsccm; b、 将带有掩膜的待蚀刻材料放入反应腔内； C、将蚀刻完成的材料取出，置入化学溶液中去除掩膜；cU将材料放入测量仪，测试材料多个位置的蚀刻深度； 所述干法蚀刻方法的整个过程温度控制在室温20±2°C。
[0005] 本发明与现有技术相比具有W下有益效果： 本发明选用了特定的气体流量区间，大幅度降低了产品的均匀度，提高了产品质量， 从而提高了生产效益。
【具体实施方式】[000引 实施例一： 一种四元L邸巧片干法蚀刻方法，按照W下步骤进行： a、 将偏压功率设定为300W，电感禪合等离子体功率设定为500W，蚀刻时间设定为 130s，气体流量设定为14sccm; b、 将带有掩膜的待蚀刻材料放入反应腔内； C、将蚀刻完成的材料取出，置入化学溶液中去除掩膜；d、将材料放入测量仪，测试材料五个位置的蚀刻深度； 所述干法蚀刻方法的整个过程温度控制在室温20±2°C。
[0007] 得到的测试结果见表1;
【主权项】
1. 一种四元LED芯片干法蚀刻方法，其特征在于：按照以下步骤进行： a、 将偏压功率设定为300W，电感耦合等离子体功率设定为500W，蚀刻时间设定为 130s，气体流量设定为15± Isccm ; b、 将带有掩膜的待蚀刻材料放入反应腔内； c、 将蚀刻完成的材料取出，置入化学溶液中去除掩膜； d、 将材料放入测量仪，测试材料多个位置的蚀刻深度。
2. 根据权利要求1 一种四元LED芯片干法蚀刻方法，其特征在于：所述干法蚀刻方法 的整个过程温度控制在室温20±2°C。
【专利摘要】本发明一种四元LED芯片干法蚀刻方法，属于LED蚀刻技术领域；解决的技术问题是提供了一种四元LED芯片干法蚀刻方法，在偏压功率、电感耦合等离子体和蚀刻时间设定为特定值时调整气体流量,使被蚀刻产品的均匀度降低，提高产品质量；采用的技术方案为：一种四元LED芯片干法蚀刻方法，按照以下步骤进行：将偏压功率、电感耦合等离子体功率和蚀刻时间设定为特定值，气体流量设定为15±1sccm；将带有掩膜的待蚀刻材料放入反应腔内；将蚀刻完成的材料取出，置入化学溶液中去除掩膜；将材料放入测量仪，测试材料多个位置的蚀刻深度；本发明可广泛应用于蚀刻技术领域。
【IPC分类】H01L33-00
【公开号】CN104810438
【申请号】CN201510147537
【发明人】索志伟
【申请人】山西南烨立碁光电有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2015年3月31日