发光装置的制造方法
【技术领域】
[0001]实施例涉及一种发光装置。
【背景技术】
[0002]发光器件是一种将电能转换成光能的器件。发光器件包括发光二极管(LED)和激光二极管(LD)。例如，发光器件可以通过调节化合物半导体的成分比来表示各种颜色。
[0003]发光器件可以构成通过利用GaAs、AlGaAs, GaN, InGaN和InGaAlP基化合物半导体材料实现的发光源。
[0004]发光器件通过模制件被封装，使得发光器件可以以发光器件封装的形式来实现以表示各种颜色，并且发光器件封装已经应用到诸如发光指示器、字符指示器、图像指示器和照明装置的各个领域以表示颜色。
[0005]由于模制件具有透气性，所以模制件不能完全阻止从外部引入的气体，使得在发光器件封装中的金属可以暴露于外部气体。当暴露于外部气体的金属被腐蚀时，被腐蚀的金属导致发光强度降低。此外，当发光器件暴露于诸如不同的温度和湿度的各种环境条件或者从所使用的材料生成的气体对金属产生影响时，该金属可能被腐蚀。
【发明内容】
[0006]实施例提供一种发光装置，包括具有羟基(-OH)或苯并三唑(BTA)的粘合件。
[0007]实施例提供一种发光装置，包括具有羟基(-OH)或苯并三唑(BTA)的粘合件，位于邻近发光器件的衬底上。
[0008]实施例提供一种发光装置，包括具有酸捕获材料或无酸材料的粘合件，位于邻近发光器件的衬底上。
[0009]根据实施例，提供一种发光装置，包括:至少一个发光器件；衬底，位于所述发光器件下方；接合件，位于所述发光器件与所述衬底之间；以及粘合件，位于所述衬底下方，其中所述粘合件包括苯并三唑和羟基中的至少一个。
[0010]根据实施例，提供一种发光装置，包括:多个发光器件，所述多个发光器件包括主体；多个电极，位于所述主体上；发光芯片，位于所述多个电极中的至少一个上；以及模制件，位于所述发光芯片上；衬底，布置在所述发光器件下方且电连接至所述发光器件；以及粘合件，包括位于所述衬底下方的第一粘合层以及位于所述第一粘合层下方的基层，其中所述第一粘合层包括苯并三唑和羟基中的一种。
【附图说明】
[0011]图1是显示根据实施例的发光装置的视图。
[0012]图2是显示图1的发光装置的粘合件的示例的视图。
[0013]图3是显示图1的发光器件和衬底的视图。
[0014]图4是示出在图1的发光装置中形成丙烯酸和苯并三唑反应物的视图。
[0015]图5是示出在图1的发光装置中形成羟基反应物作为无酸材料的视图。
[0016]图6是显示图5的酸型与无酸材料之间的金属褪色的程度的视图。
[0017]图7是显示根据实施例的添加到发光装置的粘合件的样本的第一示例的视图。
[0018]图8是显示根据实施例的添加到发光装置的粘合件的样本的第二示例的视图。
[0019]图9是显示根据图7和图8的胶带的样本的气体量的视图。
[0020]图10是显示根据比较例的通过发光装置中的导热胶带的发光器件的发光强度的视图。
[0021]图11是显示根据比较例的不具有胶带的发光装置中的发光器件的发光强度的视图。
[0022]图12是显示根据实施例的通过添加到发光装置的粘合件的苯并三唑反应物的发光器件的发光强度的视图。
[0023]图13是显示根据实施例的通过添加到发光装置的粘合件的无酸材料的发光器件的发光强度的视图。
[0024]图14是显示根据实施例的具有发光器件的显示装置的透视图。
[0025]图15是显示根据实施例的具有发光器件的显示装置的透视图。
[0026]图16是显示根据实施例的具有发光器件的照明装置的分解透视图。
【具体实施方式】
[0027]在对实施例的描述中，应当理解，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为分别处于其它层(膜)、区域、衬垫或图案“上”或“下”时，其可以直接分别位于其它层(膜)、区域、衬垫或图案“上”或“下”，或者也可以存在中间层(膜)、区域、衬垫或图案。此外，已经参照附图对各层的这种位置进行描述。
[0028]在下文中，将参照附图详细描述根据实施例的发光装置。
[0029]图1是显示根据实施例的发光装置的视图。图2是显示图1的发光装置的粘合件的示例的视图。图3是显示图1的发光器件和衬底的视图。
[0030]参见图1到图3，发光装置包括:衬底12 ;支撑件14，位于衬底12下方；粘合件13，位于衬底12与支撑件14之间；以及多个发光器件15，位于衬底12上。
[0031]参见图3，衬底12通过接合件61和62电连接至发光器件15。衬底12包括支撑层41、绝缘层42、电路图案44和保护层43。支撑层41可以包括金属层。金属层具有相对于衬底12的厚度的60%或更多的厚度，并且可以由具有高导热率的材料形成。绝缘层42可以将电路图案44与支撑层41隔开，并且包括诸如Si02、T12, S1x, S1xNy、Si3N4或Al 203的材料。电路图案44包括连接至发光器件15的多个垫，并且电路图案44连接至接合件61和62。电路图案44可以并联和/或串联连接至发光器件15。保护层43 (其用作用于保护电路图案44的层)通过阻焊层被限定，但实施例不限于此。衬底12可以由树脂基PCB (印刷电路板)、金属芯PCB (MCPCB)或者柔性PCB (FPCB)中的一个形成。
[0032]粘合件13可以粘附至衬底12和支撑件14，同时插入到衬底12与支撑件14之间。粘合件13可以包括接合胶带或胶带，并且可以由具有高导热率的材料形成。如图2所示，粘合件13包括基层31以及粘合层32和33。基层31 (其支撑粘合件13)可以由树脂材料或聚合物材料形成。粘合层32和33布置在基层31的顶表面和底表面中的一个或者基层31的顶表面和底表面这两者上，使得粘合层32和33可以被粘附在衬底12与支撑件14之间。根据实施例，粘合层32和33以及基层31中的至少一个可以包括酸捕获材料或无酸材料。酸捕获材料可以包括苯并三唑(BTA)，并且苯并三唑可以通过使酸性组分与苯并三唑组分反应而形成。代替丙烯酸，诸如羟基的材料(其中将-COOH替换为-OH)可以被添加到无酸材料。羟乙基丙烯酸酯(HEA)材料或2-羟乙基乙酸酯(HEA)材料可以被添加到羟基。羟基可以起粘合剂的作用，并且具有羟基的粘合件可以由无酸材料形成。
[0033]支撑件14可以是底盖，该底盖容纳例如显示装置和散热板的一部分。底盖或散热板可以包括金属材料，但实施例不限于此。
[0034]发光器件15可以包括主体50、多个电极52和53、粘贴件55以及模制件57。
[0035]主体50可以包括选自绝缘材料、透射材料和导电材料中的一种。例如，主体50可以由诸如聚邻苯二甲酰胺(PPA)的树脂材料、硅(Si)、金属材料、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)、环氧树脂模塑化合物(EMC)、聚合物组和塑料基印刷电路板(PCB)中的至少一种形成。例如，主体50可以由选自诸如聚邻苯二甲酰胺(PPA)的树脂材料、硅(Si)和环氧树脂基材料中的一种形成。当从顶部观看时，主体50可具有多边形形状、圆形形状或者具有曲面的形状，但实施例不限于此。
[0036]主体50可以包括空腔51，该空腔51设置有打开的上部以及具有斜面的外围部分。例如，至少两个电极52和53可以布置在空腔51的底表面上。电极52和53可以在空腔51的底表面上彼此间隔开。空腔51下部的宽度可比上部的宽度更宽，但实施例不限于此。
[0037]电极52和53可以包括金属材料，例如，钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锌(Sn)、银(Ag)和磷(P)中的至少一种，并且可以配置为单金属层或多金属层。当具有银的电极52和53的表面被暴露时，本实施例能够防止表面褪色。
[0038]电极52与53之间的间隙部可以由与主体50的材料相同或不同的绝缘材料形成，但实施例不限于此。
[0039]发光芯片54可以布置在电极52和53中的至少一个上。发光芯片54可以通过粘贴件55接合或倒装接合(flip-bond)至电极52和53中的至少一个。粘贴件55可以包括包含银的膏状材料。
[0040]发光芯片54可以选择地发射在可见光波长与紫外光(UV)波长之间的范围内的光。例如，发光芯片54可以选自红色LED芯片、蓝色LED芯片、绿色LED芯片、黄绿色LED芯片、UV LED芯片以及白色LED芯片。发光芯片54包括II1-V族元素和/或I1-VI族元素化合物半导体。虽然在本实施例中发光芯片54布置在具有横向型电极结构的芯片结构中，但是发光芯片54可以布置在具有竖直型电极结构(其中两个电极被布置在竖直方向)的芯片结构中。发光芯片54通过诸如导线56的电连接件电连接至多个电极52和53。
[0041]至少一个发光芯片54可以布置在空腔51中。至少两个发光芯片可以彼此并联或串联，但实施例不限于此。
[0042]具有树脂材料的模制件57可以形成在空腔51中。模制件57可以包括诸如硅或环氧树脂的透明材料，并且可以形成单层或多层结构。模制件57的顶表面可以包括平坦形状、凹入形状和凸出形状中的至少一种。例如，模制件57的顶表面可以是凹面或凸面，并且可以用作发光芯片54的发光表面。
[0043]模制件57可以包括焚光体(phosphor)，用于转换从发光芯片54发射的光的波长，荧光体包括在诸如硅或环氧树脂的树脂材料中。荧光体可以包括选自YAG、TAG、硅酸盐、氮化物和