树脂密封电子元件、带突起电极的板状构件、其制造方法
【专利说明】树脂密封电子元件、带突起电极的板状构件、其制造方法
[0001]该申请以于2014年4月24日申请的日本申请特愿2014-090753为基础主张优先权，将其公开的所有内容纳入本说明书中。
技术领域
[0002]本发明涉及一种树脂密封电子元件的制造方法、带有突起电极的板状构件、树脂密封电子元件、及带有突起电极的板状构件的制造方法。
【背景技术】
[0003]在多数情况下，1C、半导体芯片等电子元件作为已被树脂密封的树脂密封电子元件而成形并使用。
[0004]所述树脂密封电子元件可以是在树脂中埋入通孔电极(via electrodes)而形成的。该通孔电极能够以如下方式形成，例如在被树脂密封了的电子元件(封装，package)的所述树脂，从封装顶面形成用于形成通孔(via)的孔或槽(下面称为“通孔形成孔”)，并且用所述通孔电极形成材料(例如电镀，屏蔽(shield)材料等)填充所述通孔形成孔而形成。所述通孔形成孔，例如能够通过从封装顶面向所述树脂照射激光形成。另外，作为用于形成通孔电极的其他方法，提出了一种如下方法:将具有突起的金属结构体的所述突起与半导体芯片一同进行树脂密封后，去除所述金属结构体的所述突起以外的部分的方法(日本国特开2012-015216号公报)。该情况下，在树脂密封电子元件中，只有所述金属结构体的所述突起以被树脂密封的状态残留，其成为通孔电极。
[0005]另一方面，树脂密封电子元件可以与用于使所述电子元件发出的热量散开而进行冷却的散热板(散热器)、或用于屏蔽所述电子元件发出的电磁波的屏蔽板(遮蔽板)等的板状构件一同成形(例如，日本国特开2013-187340号公报及日本国特开2007-287937号公报)。
【发明内容】
[0006]发明要解决的课题
[0007]在树脂形成通孔形成孔的方法中，例如存在下述(1)-(5)等的问题。
[0008](I)因被树脂密封的电子元件(封装)的厚度偏差等所引起的、在基板的布线图上不能准确适当地形成通孔形成孔的深度等的现象。
[0009](2)树脂材料所包含的填充物容易残留在基板的布线图上。
[0010](3)根据在所述树脂挖出通孔形成孔的条件，可能会对搭载有电子元件的基板上的布线图带来损伤。
[0011](4)与所述(3)相关地，若树脂材料的填充物密度不同，则需要改变用于在所述树脂挖出通孔形成孔的激光的加工条件。即，对通孔形成孔的形成条件的控制变得繁杂。
[0012](5)根据上述(1)-(4)的影响，难以提高树脂密封电子元件制造的成品率。
[0013]另一方面，在日本国特开2012-015216号公报的方法中，对金属结构体的所述突起进行树脂密封后，需要去除所述金属结构体的所述突起以外部分的工艺。从而，树脂密封电子元件的制造工艺变得繁杂，且会导致材料浪费。
[0014]进一步地，在上述任一方法中，在形成通孔电极之后，必须通过电镀等来形成板状构件，因此导致工艺繁杂。
[0015]另外，在日本国特开2013-187340号公报及日本国特开2007-287937号公报中，公开了具有板状构件的树脂密封电子元件及其制造方法，但是并没有公开在形成通孔电极时能够用于解决所述各个方法的课题的方法。
[0016]如上所述，能够简便且有效地制造具有通孔电极及板状构件两者的树脂密封电子元件的技术还不存在。
[0017]由此，本发明的目的在于提供一种，能够简便且有效地制造具有通孔电极及板状构件两者的树脂密封电子元件的树脂密封电子元件的制造方法、带有突起电极的板状构件、树脂密封电子元件、及带有突起电极的板状构件的制造方法。
[0018]解决课题的方法
[0019]为了达到所述目的，基于本发明的树脂密封电子元件的制造方法(下面，有时会仅称为“本发明的制造方法”)，
[0020]其为对电子元件进行树脂密封的树脂密封电子元件的制造方法，其特征在于，
[0021]所要制造的所述树脂密封电子元件，其包括基板、电子元件、树脂、板状构件、及突起电极，并且是在所述基板上形成有布线图的树脂密封电子元件，
[0022]所述制造方法具有用所述树脂对所述电子元件进行密封的树脂密封工艺，
[0023]在所述树脂密封工艺中，在所述板状构件的单面固定有所述突起电极的带有突起电极的板状构件中，在所述突起电极固定面和所述基板的所述布线图形成面之间，用所述树脂对所述电子元件进行密封，并且使所述突起电极与所述布线图接触。
[0024]本发明的带有突起电极的板状构件是使用于所述本发明的制造方法的带有突起电极的板状构件，其特征在于，所述突起电极固定在所述板状构件的单面。
[0025]本发明的树脂密封电子元件，
[0026]其是对电子元件进行了树脂密封的树脂密封电子元件，
[0027]所述树脂密封电子元件包括基板、电子元件、树脂、及所述本发明的带有突起电极的板状构件，
[0028]所述电子元件配置在所述基板上，并且被所述树脂密封，
[0029]在所述基板上的所述电子元件配置侧，形成有布线图，
[0030]所述突起电极贯通所述树脂而与所述布线图接触。
[0031]发明的效果
[0032]根据本发明，能够提供一种，能够简便且有效地制造具有通孔电极(突起电极)及板状构件两者的树脂密封电子元件的树脂密封电子元件的制造方法、带有突起电极的板状构件、树脂密封电子元件、及带有突起电极的板状构件的制造方法。
【附图说明】
[0033]图1是示出本发明带有突起电极的板状构件的结构的一例的立体图。
[0034]图2是举例示出本发明带有突起电极的板状构件中的、突起电极的结构的立体图。
[0035]图3是示出本发明树脂密封电子元件的结构的一例的剖视图。
[0036]图4是举例示出采用传递模塑法的本发明制造方法的剖视图。
[0037]图5是举例示出采用压缩成形的本发明制造方法的一例的一工艺的剖视图。
[0038]图6是举例示出与图5相同的制造方法中的另一工艺的剖视图。
[0039]图7是举例示出与图5相同的制造方法中的又一工艺的剖视图。
[0040]图8是举例示出与图5相同的制造方法中的又一工艺的剖视图。
[0041]图9是举例示出采用压缩成形的本发明制造方法中的另一例的一工艺的剖视图。
[0042]图10是举例示出与图9相同的制造方法中的另一工艺的剖视图。
[0043]图11是举例示出采用压缩成形的本发明制造方法中的又一例的一工艺的剖视图。
[0044]图12是举例示出与图11相同的制造方法中的另一工艺的剖视图。
[0045]图13是举例示出与图11相同的制造方法中的又一工艺的剖视图。
[0046]图14是举例示出与图11相同的制造方法中的两外其他一工艺的剖视图。
[0047]图15是举例示出采用压缩成形的本发明的制造方法中的其他另一例的一工艺的首1J视图。
[0048]图16是举例示出采用压缩成形的本发明的制造方法中的其他又一例的一工艺的首1J视图。
[0049]图17是举例示出采用压缩成形的本发明的制造方法中的其他又一例的剖视图。
[0050]图18是举例示出采用压缩成形的本发明的制造方法中的其他又一例的剖视图。
[0051]图19是举例示出采用压缩成形的本发明的制造方法中的其他又一例的一工艺的首1J视图。
[0052]图20是举例示出采用压缩成形的本发明的制造方法中的其他又一例的一工艺的首1J视图。
[0053]图21是举例示出采用压缩成形的本发明的制造方法中的其他又一例的剖视图。
[0054]图22是举例示出采用压缩成形的本发明的制造方法中的其他又一例的剖视图。
【具体实施方式】
[0055]接着，关于本发明，举例进行更详细的说明。但是，本发明不限定于以下说明。
[0056]在本发明的制造方法中，所述突起电极的数量是任意的，没有特别的限定，可以是一个，也可以是多个。对所述突起电极的形状没有特别的限定。另外，所述突起电极为多个的情况下，这些的形状也可以互相相同，也可以互相不同。例如所述突起电极的至少一个是带有贯通孔的突起电极也可。更具体而言，所述带有贯通孔的突起电极中的所述贯通孔，也可以是朝向与所述板状构件的板面呈平行的方向贯通的贯通孔。对于所述带有贯通孔的突起电极而言，在与固定在所述板状构件的一端呈相反侧的端部，具有朝向与所述板状构件的板面呈垂直的方向突出的突起也可。更具体而言，这种带有贯通孔的突起电极的形状，例如也可以是如后述的图2㈧-(C)的形状。
[0057]在本发明的制造方法中，所述突起电极的至少一个是具有柱状形状的柱状突起电极。作为所述柱状突起电极的形状，例如可以举出圆柱状、棱柱状、圆锥状、棱锥状、圆锥台状、及棱锥台状等。
[0058]另外，在本发明的制造方法中，所述突起电极的至少一个可以是板状突起电极可。该情况下，所述电子元件为多个，在所述树脂密封工艺中，通过所述板状突起电极将所述基板划分成多个区域，并且在各个所述区域内，对所述电子元件进行树脂密封也可。另外，优选地，所述板状突起电极具有贯通孔及突起，所述贯通孔在与所述板状构件的板面呈平行的方向贯通所述板状突起电极，在所述板状突起电极的、与固定在所述板状构件的一端呈相反侧的端部，所述突起朝向与所述板状构件的板面呈垂直的方向突出。
[0059]在本发明的制造方法中，对所述板状构件没有特别的限定，但优选是散热板(散热器)或屏蔽板(遮蔽板)。所述屏蔽板例如可以是用于屏蔽从所述电子元件释放出的电磁波的构件。所述散热板优选在与所述突起电极的固定面呈相反侧的一面具有散热片(fin)。另外，对于所述板状构件的形状而言，除了固定有所述突起电极以外，没有特别的限定。例如，在所述板状构件是散热板的情况下，就所述散热板而言，除了所述突起电极以外，用于使散热效率良好的突起是一个或结合多个的形状(例如，散热片(fin)形状)等也可。对所述板状构件的材质也没有特别的限定，在所述板状构件是散热板或屏蔽板的情况下，例如能够使用金属材料、陶瓷材料、树脂、及金属蒸镀膜等。对所述金属蒸镀膜没有特别的限定，例如也可以是将铝、银等蒸镀在薄膜的金属蒸镀膜。另外，对所述突起电极的材质也没有特另IJ的限定，例如能够使用金属材料、陶瓷材料、及树脂等。作为所述金属材料，没有特别的限定，例如可以举出:不锈钢、坡莫合金(铁和镍的合金)等铁系材料；黄铜、铜钥合金、及铍铜等铜系材料；硬铝等铝系材料。作为所述陶瓷材料，没有特别的限定，例如可以举出:氮化铝等的氧化铝系材料；氮化硅等的硅系材料；及氧化锆系材料。作为所述树脂，没有特别的限定，例如可以举出:弹性橡胶树脂等的橡胶系材料；在硅系的基体材料混合传导性材料的材料；及对这些材料进行挤压成形或注射模塑成形的树脂材料。另外，在所述带有突起电极的板状构件中，对所述板状构件的表面等进行电镀、涂装等的表面处理而形成导电层也可。此外，所述板状构件是具有某些功能的功能构件(作用构件)也可。例如，在所述板状构件是散热板(散热器)的情况下，其是具有散热功能(散热作用)的功能构件(作用构件)；在所述板状构件是屏蔽板(遮蔽板)的情况下，其是具有屏蔽功能(屏蔽作用)的功能构件(作用构件)。
[0060]在所述树脂密封工艺中，对采用树脂密封的方法(成形方法)没有特别的限定，例如可以是传递模塑法、压缩成形等的任意一种方法。
[0061]在所述树脂密封工艺采用压缩成形的情况下，本发明的制造方法可以进一步地包括:将所述树脂载置于所述带有突起电极的板状构件的、固定有所述突起电极的一面上的树脂载置工艺。另外，在该情况下，本发明的制造方法进一步地包括:将所述带有突起电极的板状构件搬运至成形模具的模腔位置的搬运工艺也可。另外，在所述模腔内，所述电子元件浸溃在载置于所述板状构件上的所述树脂的状态下，将所述树脂与所述带有突起电极的板状构件及所述电子元件一同压缩成形，由此实施所述树脂密封工艺也可。
[0062]对所述树脂载置工艺及所述搬运工艺的顺序没有特别的限定，先进行其中任意一个工艺均可，同时进行也可。例如，在所述搬运工艺中，将所述树脂在其载置于所述带有突起电极的板状构件上的状态下，与所述带有突起电极的板状构件一同搬运至所述成形模具的模腔位置也可。或者，在所述搬运工艺中，将所述带有突起电极的板状构件在载置有树脂的状态下，搬运至所述成形模具的模腔位置也可。在该情况下，本发明的制造方法进一步地包括:在进行所述树脂载置工艺之前，对所述带有突起电极的板状构件在所述模腔内进行加热的加热工艺也可。然后，在所述带有突起电极的板状构件被加热的状态下，在所述模腔内实施所述树脂载置工艺也可。
[0063]在所述搬运工艺中，在将所述带有突起电极的板状构件的、固定有所述突起电极的一面朝上方而载置于离型膜上的状态下，将所述带有突起电极的板状构件向所述成形模具的模腔内搬运也可。该情况下，在所述搬运工艺中，在框体(