状的侧面；并且其中，高压栅格定位在箱体形状内。
[0047]示例14包括示例1-13中的任一个的离子栗，其中，高压栅格配置成通过将电子从至少一个电子源朝高压栅格加速而将电子吸引到至少一个电子源和至少一个阴极之间。
[0048]示例15包括示例1-14中的任一个的离子栗，其中，朝高压栅格吸引的电子大部分错过高压栅格的栅格线，并且经过高压栅格。
[0049]示例16包括示例15的离子栗，其中，在高压栅格上的电压配置成使得经过高压栅格的电子再次朝着并穿过高压栅格转向和加速返回，造成更多的气体分子电离。
[0050]示例17包括一种制造离子栗的方法，包括:将至少一个电子源定位在离子栗内，所述至少一个电子源配置成将电子发射到离子栗中；将至少一个阴极定位成从至少一个电子源越过离子栗；将高压栅格定位在至少一个电子源和至少一个阴极之间；其中，高压栅格配置成将电子吸引到至少一个电子源和至少一个阴极之间，在这里，电子与气体分子碰撞，造成气体分子电离；并且其中，至少一个阴极配置成将电离的气体分子朝至少一个阴极吸引，使得电离的气体分子由至少一个阴极捕集或被捕集在至少一个阴极附近。
[0051]示例18包括示例17的方法，还包括:其中，将至少一个电子源定位在离子栗内包括将第一电子源定位在第一平面上和将第二电子源定位在成第一直角连接到第一平面的第二平面上；其中，将至少一个阴极从至少一个电子源越过离子栗定位包括将第一阴极定位在成第二直角连接到第二平面的第三平面上和将第二阴极定位在成第三直角连接到第三平面的第四平面上；其中，第四平面成第四直角连接到第一平面，使得第一平面与第三平面相对，第二平面与第四平面相对，并且第一平面、第二平面、第三平面和第四平面形成箱体形状的侧面；并且其中，将高压栅格定位在至少一个电子源和至少一个阴极之间包括将高压栅格定位在箱体形状内。
[0052]示例19包括示例17-18中的任一个的方法，还包括:将钛阵列定位在至少一个阴极和高压栅格之间，钛阵列具有延伸远离至少一个阴极的周期性突起，其中，周期性突起被涂以钛或由钛制成；其中，电离的气体分子的第一电离气体分子撞击周期性突起的至少第一周期性突起，造成第一量的钛溅射脱离第一周期性突起，而不造成第一电离的气体分子损失许多动量；其中，第一电离的气体分子由至少一个阴极捕集或被捕集在所述至少一个阴极附近；并且其中，第一量的钛将此前嵌入的电离的气体分子掩埋在至少一个阴极处或附近。
[0053]示例20包括一种离子栗，该离子栗在第一开放侧上通往室并且配置成在该室中抽吸一定体积的空间，该离子栗包括:第一平面，包括至少第一电子源；第二平面，其包括至少第二电子源，第二平面成第一直角连接到第一平面；第三平面，其包括至少第一阴极，第三平面成第二直角连接到第二平面；第四平面，其包括至少第二阴极，第四平面成第三直角连接到第三平面；其中，第四平面成第四直角连接到第一平面，使得第一平面与第三平面相对，第二平面与第四平面相对，并且第一平面、第二平面、第三平面和第四平面形成箱体形状的侧面；高压栅格，其定位在箱体形状内，其中，高压栅格配置成将电子吸引到第一电子源和第二电子源中的至少一个与第一阴极和第二阴极中的至少一个之间，在这里，电子与气体分子碰撞，造成气体分子电离；钛阵列，其定位在第一阴极和第二阴极中的至少一个与高压栅格之间，该钛阵列具有延伸远离第一阴极和第二阴极中的至少一个的周期性突起，其中，周期性突起被涂以钛或由钛制成；其中，第一阴极和第二阴极中的至少一个配置成将电离的气体分子朝至少一个阴极吸引，使得电离的气体分子由至少一个阴极捕集或被捕集在所述至少一个阴极附近；其中，电离的气体分子的第一电离气体分子撞击周期性突起的至少第一周期性突起，造成第一量的钛溅射脱离第一周期性突起，而不造成第一电离的气体分子损失许多动量；其中，第一电离的气体分子由至少一个阴极捕集或被捕集在所述至少一个阴极附近；并且其中，第一量的钛将此前嵌入的电离的气体分子掩埋在所述至少一个阴极处或附近。
【主权项】
1.一种离子栗(100)，包括: 至少一个电子源(102)，其配置成将电子发射到所述离子栗(100)中； 至少一个阴极(104)，其定位成从所述至少一个电子源(102)越过所述离子栗(100); 高压栅格(106)，其定位在所述至少一个电子源(102)和所述至少一个阴极(104)之间； 其中，所述高压栅格(106)配置成将所述电子吸引到所述至少一个电子源(102)和所述至少一个阴极(104)之间，在这里，所述电子与气体分子碰撞，造成所述气体分子电离；并且 其中，所述至少一个阴极(104)配置成将电离的气体分子朝所述至少一个阴极(104)吸引，使得所述电离的气体分子由所述至少一个阴极(104)捕集或被捕集在所述至少一个阴极(104)附近。2.根据权利要求1所述的离子栗(100)，还包括定位在所述至少一个阴极(104)和所述高压栅格(106)之间的钛阵列(108); 其中，所述钛阵列(108)包括延伸远离所述至少一个阴极(104)的周期性突起(108); 其中，所述周期性突起(108)被涂以钛或由钛制成； 其中，所述电离的气体分子的第一电离气体分子撞击所述周期性突起(108)的至少第一周期性突起(108)，造成第一量的钛溅射脱离所述第一周期性突起(108)，而不造成所述第一电离的气体分子损失许多动量； 其中，所述第一电离的气体分子由所述至少一个阴极(104)捕集或被捕集在所述至少一个阴极(104)附近； 其中，所述第一量的钛将此前嵌入的电离的气体分子掩埋在所述至少一个阴极(104)处或所述至少一个阴极(104)附近；并且 其中，此前掩埋的电离的气体分子不被所述第一量的钛从所述第一周期性突起(108)的溅射脱离所释放，因为所述此前掩埋的电离的气体分子不被掩埋在所述周期性突起(108)中。3.一种制造离子栗的方法(500)，包括: 将至少一个电子源定位在所述离子栗内，所述至少一个电子源配置成将电子发射到所述离子栗中(502); 将至少一个阴极定位成从所述至少一个电子源越过所述离子栗(504); 将高压栅格定位在所述至少一个电子源和所述至少一个阴极之间(506); 其中，所述高压栅格配置成将所述电子吸引到所述至少一个电子源和所述至少一个阴极之间，在这里，所述电子与气体分子碰撞，造成所述气体分子电离(506);并且 其中，所述至少一个阴极配置成将电离的气体分子朝所述至少一个阴极吸引使得所述电离的气体分子由所述至少一个阴极捕集或被捕集在所述至少一个阴极附近(506)。
【专利摘要】一种离子泵包括：至少一个电子源，其配置成将电子发射到离子泵中；至少一个阴极，其定位成从至少一个电子源越过离子泵；高压栅格，其定位在至少一个电子源和至少一个阴极之间。高压栅格配置成将电子吸引到至少一个电子源和至少一个阴极之间，在这里，电子与气体分子碰撞，造成气体分子电离。至少一个阴极配置成将电离的气体分子朝至少一个阴极吸引，使得电离的气体分子由至少一个阴极捕集或被捕集在所述至少一个阴极附近。
【IPC分类】H01J41/12, H01J9/00
【公开号】CN105047516
【申请号】CN201510195320
【发明人】K.D.纳尔逊, S.廷
【申请人】霍尼韦尔国际公司
【公开日】2015年11月11日
【申请日】2015年4月23日
【公告号】EP2937891A1, US20150311048