A)。连接部件4的 高度根据用途而定，一般为15~100 μ m左右。当然，半导体晶片3中的各个连接部件4的 高度可以相同，也可以不同。
[0123] 半导体晶片3表面上形成的连接部件4的高度Χ( μπι)和底部填充用粘接膜2的 厚度Υ( μm)优选满足下述关系。
[0124] 0.5 彡 Y/X 彡 2
[0125] 通过使连接部件4的高度X ( μ m)和底部填充用粘接膜2的厚度Y ( μ m)满足上述 关系，可以充分填充半导体芯片5和被粘物6之间的空间，并且可以防止过量的底部填充用 粘接膜2从该空间溢出，并且可以防止底部填充用粘接膜2对半导体芯片5的污染等。需 要说明的是，在各连接部件4的高度不同时，以最高的连接部件4的高度为基准。
[0126] 首先，将任选地设置在背面研削用胶带一体型底部填充用粘接膜10的底部填充 用粘接膜2上的隔离件适当地剥离，如图2A所示，使半导体晶片3的形成有连接部件4的电 路面3a与底部填充用粘接膜2对置，将底部填充用粘接膜2和半导体晶片3贴合（安装）。
[0127] 贴合的方法没有特别限定，优选采用压接的方法。压接的压力优选为0.1 MPa以 上，更优选为〇. 2MPa以上。如果为0.1 MPa以上，则可以将半导体晶片3的电路面3a的凹 凸良好地埋入。另外，压接压力的上限没有特别限定，优选为IMPa以下，更优选为0.5MPa 以下。
[0128] 贴合的温度优选为60°C以上，更优选为70°C以上。如果为60°C以上，则底部填充 用粘接膜2的粘度下降，可以无间隙地填充半导体晶片3的凹凸。另外，贴合的温度优选为 KKTC以下，更优选为80°C以下。如果为100°C以下，则能够在抑制底部填充用粘接膜2的 固化反应的状态下进行贴合。
[0129] 贴合优选在减压下进行，例如为1000 Pa以下，优选为500Pa以下。下限没有特别 限定，例如为IPa以上。
[0130] <研削工序>
[0131] 在研削工序中，对半导体晶片3的与电路面3a相反一侧的面（即背面）3b进行研 削（参照图2B)。作为用于半导体晶片3的背面研削的薄型加工机，并无特别限定，例如可 例示研削机（背磨机）、研磨垫等。另外，还可利用蚀刻等化学方法进行背面研削。背面研 削进行至半导体晶片3成为所希望的厚度（例如，700~25 μ m)为止。
[0132] <晶片固定工序>
[0133] 在研削工序后，在半导体晶片3的背面3b粘贴切割胶带11 (参照图2C)。需要说 明的是，切割胶带11具有在基材Ila上层叠有粘合剂层Ilb的构造。作为基材Ila及粘合 剂层11b，可使用背面研削用胶带1的基材Ia及粘合剂层Ib项中所示的成分及制法而适当 制作。
[0134] <剥离工序>
[0135] 接着，剥离背面研削用胶带1 (参照图2D)。由此，成为底部填充用粘接膜2露出的 状态。
[0136] 在剥离背面研削用胶带1时，在粘合剂层Ib具有放射线固化性的情况下，可通过 对粘合剂层Ib照射放射线而使粘合剂层Ib固化，而容易地进行剥离。放射线的照射量只 要考虑所使用的放射线的种类、粘合剂层的固化度等而适当设定即可。
[0137] <切割工序>
[0138] 在切割工序中，如图2E所示，切割半导体晶片3和底部填充用粘接膜2而形成被 切割的带有底部填充用粘接膜2的半导体芯片5。切割按照常规方法从半导体晶片3的贴 合有底部填充用粘接膜2的电路面3a来进行。例如，可以采用切入到切割胶带11为止的 被称为全切割的切断方式等。作为本工序中使用的切割装置，没有特别限定，可以采用以往 公知的装置。
[0139] 需要说明的是，在继切割工序之后进行切割胶带11的扩张的情况下，该扩张可以 使用以往公知的扩张装置进行。
[0140] <拾取工序〉
[0141] 如图2F所示，从切割胶带11上剥离带有底部填充用粘接膜2的半导体芯片5(拾 取带有底部填充用粘接膜2的半导体芯片5)。作为拾取方法，没有特别限制，可以采用以往 公知的各种方法。
[0142] 此处，当切割胶带11的粘合剂层Ilb为紫外线固化型时，在对粘合剂层Ilb照射 紫外线后进行拾取。由此，粘合剂层Ilb相对于半导体芯片5的粘合力下降，半导体芯片5 的剥离变得容易。
[0143] <连接工序>
[0144] 在连接工序中，用底部填充用粘接膜2填充被粘物6和半导体芯片5之间的空间， 并通过连接部件4将半导体芯片5和被粘物6电连接（参照图2G)。具体而言，一边使形成 于半导体芯片5的连接构件4与粘附于被粘接体6的连接垫的接合用导电材料7接触并进 行推压，一边使导电材料7熔融，由此将半导体芯片5和被粘物6电连接。由于在半导体芯 片5的电路面3a上粘贴有底部填充用粘接膜2,因此在将半导体芯片5和被粘物6电连接 的同时，半导体芯片5和被粘物6之间的空间被底部填充用粘接膜2填充。
[0145] 连接工序中的加热条件没有特别限定，通常，加热条件为100~300°C，加压条件 为 0· 5 ~500N。
[0146] 需要说明的是，可以以多个阶段进行连接工序中的热压接处理。通过以多个阶段 进行热压接处理，可以有效地除去连接部件4和导电材料7之间的树脂，得到更良好的金属 间接合。
[0147] <固化工序>
[0148] 在进行半导体芯片5和被粘物6的电连接之后，通过加热使底部填充用粘接膜2 固化。由此，可以确保半导体芯片5和被粘物6之间的连接可靠性。作为用于使底部填充 用粘接膜2固化的加热温度，没有特别限定，例如在150~200°C下进行10~120分钟。需 要说明的是，也可以通过连接工序中的加热处理使底部填充用粘接膜固化。
[0149] <密封工序>
[0150] 接着，为了保护具备所安装的半导体芯片5的半导体装置30整体，可以进行密封 工序。密封工序使用密封树脂进行。作为这时的密封条件，没有特别限定，通常通过在175 °C 下进行60秒钟~90秒钟的加热来进行密封树脂的热固化，但本发明并不限定于此，例如， 可以在165 °C~185 °C下进行数分钟的固化。
[0151] 作为密封树脂，优选具有绝缘性的树脂（绝缘树脂），可以从公知的密封树脂中适 当地选择使用。
[0152] <半导体装置>
[0153] 在半导体装置30中，半导体芯片5和被粘物6通过形成于半导体芯片5上的连接 部件4和设置在被粘物6上的导电材料7而电连接。另外，在半导体芯片5和被粘物6之 间配置底部填充用粘接膜2,从而填充该空间。
[0154] [切割胶带一体型底部填充用粘接膜]
[0155] 本发明的切割胶带一体型底部填充用粘接膜具备切割胶带和上述的底部填充用 粘接膜。
[0156] 图3是切割胶带一体型底部填充用粘接膜50的剖面示意图。如图3所示，切割胶 带一体型底部填充用粘接膜50具备切割胶带41和底部填充用粘接膜42。
[0157] 切割胶带41具备基材41a和粘合剂层41b，粘合剂层41b设置在基材41a上。底 部填充膜42设置在粘合剂层41b上。
[0158] 需要说明的是，底部填充用粘接膜42可以不像图3所示那样层叠在切割胶带41 的整面上，只要以足够与半导体晶片43 (参照图4A)贴合的尺寸进行设置即可。
[0159] 切割胶带41具备基材41a和层叠在基材41a上的粘合剂层41b。作为基材41a， 可以使用在基材Ia中例示的基材。作为粘合剂层41b，可以使用在粘合剂层Ib中例示的材 料。
[0160] (使用切割胶带一体型底部填充用粘接膜的半导体装置的制造方法）
[0161] 接着，对使用切割胶带一体型底部填充用粘接膜50的半导体装置的制造方法进 行说明。图4是表示使用切割胶带一体型底部填充用粘接膜50的半导体装置的制造方法 的各工序的图。具体而言，该半导体装置的制造方法，包括：贴合工序，将两面形成有具有连 接部件44的电路面的半导体晶片43与切割胶带一体型底部填充用粘接膜50的底部填充 用粘接膜42贴合；切割工序，切割半导体晶片43,形成带有底部填充用粘接膜42的半导体 芯片45 ;拾取工序，从切割胶带41上剥离带有底部填充用粘接膜42的半导体芯片45 ;连接 工序，用底部填充用粘接膜42填充被粘物46和半导体芯片45之间的空间，并通过连接部 件44将半导体芯片45和被粘物46电连接；以及固化工序，使底部填充用粘接膜42固化。
[0162] <贴合工序>
[0163] 在贴合工序中，如图4A所示，将两面形成有具有连接部件44的电路面的半导体晶 片43与切割胶带一体型底部填充用粘接膜50的底部填充用粘接膜42贴合。需要说明的 是，通常，半导体晶片43的强度较弱，因此为了进行补强，有时将半导体晶片43固定在支承 玻璃等支承体上（未图示）。这种情况下，还可以包括在半导体晶片43和底部填充用粘接 膜42的贴合后，剥离支撑体的工序。关于将半导体晶片43的哪个电路面与底部填充用粘 接膜42贴合，只要根据目标半导体装置的结构进行改变即可。
[0164] 半导体晶片43的两面的连接构件44彼此可以电连接，也可以不进行连接。连接 构件44彼此的电连接，可列举被称为TSV形式的利用借助于通孔的连接而进行的连接。作 为贴合条件，可以采用在背面研削用胶带一体型底部填充用粘接膜10的贴合工序中举例 的条件。
[0165] <切割工序>
[0166] 在切割工序中，切割半导体晶片43和底部填充用粘接膜42,形成带有底部填充用 粘接膜42的半导体芯片45 (参照图4B)。作为切割条件，可以采用在背面研削用胶带一体 型底部填充用粘接膜10的切割工序中所例示的条件。
[0167] <拾取工序>
[0168] 在拾取工序中，从切割胶带41上剥离带有底部填充用粘接膜42的半导体芯片 45 (图 4C)。
[0169] 作为拾取条件，可以采用在背面研削用胶带一体型底部填充用粘接膜10的拾取 工序中所例示的条件。
[0170] <连接工序>
[0171] 在连接工序中，用底部填充用粘接膜42填充被粘物46和半导体芯片45之间的空 间，并通过连接部件44将半导体芯片45与被粘物46电连接（参照图4D)。具体的连接方 法，与背面研削用胶带一体型底部填充用粘接膜10的连接工序中说明的内容相同。作为连 接工序的加热条件，可以采用背面研削用胶带一体型底部填充用粘接膜10中例示的条件。
[0172] <固化工序和密封工序>
[0173] 固化工序和密封工序，与背面研削用胶带一体型底部填充用粘接膜10的固化工 序和密封工序中说明的内容相同。由此，可以制造半导体装置60。
[0174] 实施例
[0175] 以下，例示性地详细说明本发明的优选的实施例。然而，该实施例中所记载的材料 或配合量等只要没有特别限定性的记载，则并非旨在将本发明的范围仅限定于此。
[0176] 以下，对实施例和比较例中使用的各种成分进行汇总说明。
[0177] 丙稀酸类树脂：根上工业株式会社制的Parachron W_197CM(以丙稀酸乙酯-甲基 丙烯酸甲酯为主成分的丙烯酸酯系聚合物，Mw :400000)
[0178] 环氧树脂1 :三菱化学株式会社制的jER1004(双酚A型环氧树脂，Mn :1650，环氧 当量：875 ~975g/eq)
[0179] 环氧树脂2 :三菱化学株式会社制的jER828(双酚A型环氧树脂，Mn :370，环氧当 量：184 ~194g/eq)
[0180] 酚醛树脂1