:明和化成株式会社制的MEH-7851SS (含有由式（I)表示的骨架的树 月旨，Mn :550,羟基当量：202g/eq)
[0181] 酚醛树脂2 :明和化成株式会社制的MEH-7851-4H (含有由式（I)表示的骨架的树 月旨，Mn :1230,羟基当量：242g/eq)
[0182] 酚醛树脂3 :明和化成株式会社制的MEH-7500 (三苯基甲烷型酚醛树脂，Mn :490， 羟基当量：97g/eq)
[0183] 二氧化硅填料：球状二氧化硅（商品名"S0-25R"，平均粒径：500nm(0. 5 μ m)，株式 会社 ADMATECHS 制）
[0184] 有机酸：东京化成株式会社制的邻茴香酸
[0185] 咪唑催化剂：四国化成株式会社制的2PHZ-PW(2-苯基-4, 5-二羟基甲基咪唑）
[0186] [粘接膜的制作]
[0187] 按照表1所示的配合比，将各成分溶解在甲乙酮中，制备固体成分浓度为23. 6重 量％的粘接剂组合物溶液。
[0188] 将该粘接剂组合物溶液涂布在经硅酮脱模处理的厚度为50 μπι的由聚对苯二 甲酸乙二醇酯膜形成的脱模处理膜上，然后在130°C下使其干燥2分钟，由此制作厚度为 45 μ m的粘接膜。
[0189] 对于得到的粘接膜，进行以下评价。结果示于表1。
[0190] [挠性]
[0191] 将厚度为45 μπι的粘接膜切割为长3m、宽330mm，并且在将其卷绕在3英寸直径 的聚丙烯制的卷芯上时，将粘接膜上未产生裂纹的情况评价为〇，将产生裂纹的情况评价 为X 〇
[0192] [玻璃化转变温度（Tg)]
[0193] 首先，通过在175°C下进行1小时的加热处理使粘接膜热固化，然后用切割刀将其 切割成厚度200 μ m、长度40mm (测定长度）、宽度IOmm的长条状，使用固体粘弹性测定装置 (RSAIII，Rheometric Scientific(株）制），测定-50~300°C下的储能弹性模量和损耗 弹性模量。测定条件为频率1Hz、升温速度10°C /min。进一步，通过算出tan δ (G"（损耗 弹性模量）/G'（储能弹性模量））的值而得到玻璃化转变温度。
[0194] (粘度的测定）
[0195] 粘接膜的最低熔融粘度的测定是使用流变仪（HAAKE公司制，RS-1)，利用平行板 法测定的值。更详细而言，在缝隙100 μ m、旋转板直径20_、旋转速度5s \升温速度10°C / 分钟的条件下，在40°C至200°C的范围内测定熔融粘度，将这时所得的40°C~100°C范围以 及KKTC~200°C范围的熔融粘度的最低值作为各温度范围下的最低熔融粘度。
[0196] [热可靠性]
[0197] (1)切割胶带一体型粘接膜的制作
[0198] 使用手压辊将粘接膜贴合在切割胶带（商品名"V-8-T"，日东电工株式会社制）的 粘合剂层上，制作切割胶带一体型粘接膜。
[0199] (2)半导体封装体的制作
[0200] 准备在单面形成有凸块的单面带有凸块的半导体晶片，在该单面带有凸块的半导 体晶片的凸块形成面上粘贴切割胶带一体型粘接膜。作为单面带有凸块的半导体晶片，使 用以下材料。另外，粘贴条件如下所述。底部填充材料的厚度Υ( = 45μηι)相对于连接部 件的高度Χ( = 45μπι)的比（Υ/Χ)为1。
[0201] ?单面带有凸块的半导体晶片
[0202] 半导体晶片的直径：8英寸
[0203] 半导体晶片的厚度：0. 2mm(使用研削装置"DFG-8560DISC0株式会社制"，从0. 7mm 背面研削至0. 2mm)
[0204] 凸块的高度：45 μ m
[0205] 凸块的间距：50 μ m
[0206] ?粘贴条件
[0207] 粘贴装置：商品名"DSA840-WS"日东精机株式会社制
[0208] 粘贴速度：5mm/min
[0209] 粘贴压力：0· 25MPa
[0210] 粘贴时的台面温度：80°C
[0211] 粘贴时的真空度：150Pa
[0212] 粘贴后，在下述条件下进行半导体晶片的切割。对于切割，以形成7. 3mm见方的芯 片尺寸的方式进行全切割。
[0213] ?切割条件
[0214] 切割装置：商品名"DFD_6361"DISC0公司制
[0215] 切割环（日语：久'彳シ > 夕y >夕）："2-8-1"（DISCO公司制）
[0216] 切割速度：30mm/sec
[0217] 切割刀：
[0218] Zl ;DISC0 公司制 "2030-SE 27HCDD"
[0219] Z2 ;DISC0 公司制 "2030-SE 27HCBB"
[0220] 切割刀转数：
[0221] Zl ；40000rpm
[0222] Z2 ；45000rpm
[0223] 切割方式：阶梯式切割
[0224] 晶片芯片尺寸：7. 3mm见方
[0225] 接着，以使用针从切割胶带的基材侧往上顶的方式，拾取粘接膜与单面带有凸块 的半导体芯片的层叠体（带有粘接膜的半导体芯片）。
[0226] 接着，在使半导体芯片的凸块形成面和BGA基板对置的状态下，将半导体芯片热 压接至BGA基板上，进行半导体芯片的安装。需要说明的是，安装条件如下所述，通过安装 条件1进行处理后，通过安装条件2进行处理。由此，得到在BGA基板上安装有半导体芯片 的半导体封装体。
[0227] ?安装条件1
[0228] 热压接装置：商品名"FCB-3"松下制
[0229] 加热温度：150°C
[0230] 载荷：10kg
[0231] 保持时间：10秒
[0232] ?安装条件2
[0233] 热压接装置：商品名"FCB-3"松下制
[0234] 加热温度：260°C
[0235] 载荷：10kg
[0236] 保持时间：10秒
[0237] (3)热可靠性的评价
[0238] 通过以上方法，将实施例和比较例的半导体封装体各制作10个样品，将_55°C~ 125°C以30分钟循环1次的热循环重复进行500个循环后，用包埋用环氧树脂包埋半导体 封装体。接着，以焊料接合部露出的方式在与基板垂直的方向上切断半导体封装体，对露出 的焊料接合部的剖面进行研磨。然后，使用光学显微镜（倍率：1〇〇〇倍）观察研磨后的焊 料接合部的剖面，将焊料接合部未断裂的情况评价为"〇"，将即使1个样品的焊料接合部 断裂的情况评价为" X "。结果示于表1。
[0239]
[0240] 在配合数均分子量为600以下的环氧树脂（环氧树脂2)、数均分子量超过500的 酚醛树脂（酚醛树脂1、2)以及丙烯酸类树脂的实施例1、2中，可以得到良好的挠性和良好 的热可靠性。
[0241] 另一方面，在未配合环氧树脂2的比较例2 (配合环氧树脂1代替实施例1的环氧 树脂2的例子）中，虽然热可靠性良好，但是挠性差。另外，在配合分子量较小的酚醛树脂 3的比较例1中，虽然挠性良好，但热可靠性差。
[0242] 符号说明
[0243] 1 背面研削用胶带
[0244] Ia 基材
[0245] Ib粘合剂层
[0246] 2 底部填充用粘接膜
[0247] 3 半导体晶片
[0248] 3a半导体晶片的电路面
[0249] 3b半导体晶片的与电路面相反一侧的面
[0250] 4 连接部件（凸块）
[0251] 5 半导体芯片
[0252] 6 被粘物
[0253] 7 导通材料
[0254] 10背面研削用胶带一体型底部填充用粘接膜
[0255] 11切割胶带
[0256] Ila 基材
[0257] Ilb粘合剂层
[0258] 30半导体装置
[0259] 41切割胶带
[0260] 41a 基材
[0261] 41b粘合剂层
[0262] 42底部填充用粘接膜
[0263] 43半导体晶片
[0264] 44连接部件（凸块）
[0265] 45半导体芯片
[0266] 46被粘物
[0267] 47导通材料
[0268] 50切割胶带一体型底部填充用粘接膜
[0269] 60半导体装置
【主权项】
1. 一种底部填充用粘接膜，其含有树脂成分，所述树脂成分包含数均分子量为600以 下的环氧树脂、数均分子量超过500的酚醛树脂以及弹性体， 所述树脂成分中的所述环氧树脂的含量为5~50重量％，所述酚醛树脂的含量为5~ 50重量％。2. 根据权利要求1所述的底部填充用粘接膜，其中，所述酚醛树脂的羟基当量为200g/ eq以上。3. 根据权利要求1或2所述的底部填充用粘接膜，其中，所述酚醛树脂含有由式（I)所 表示的骨架， [化1]式中，n表示整数。4. 根据权利要求1~3中任一项所述的底部填充用粘接膜，其中，所述环氧树脂为双酚 A型环氧树脂或双酚F型环氧树脂。5. 根据权利要求1~4中任一项所述的底部填充用粘接膜，其中，所述树脂成分中的所 述弹性体的含量为10~40重量％。6. 根据权利要求1~5中任一项所述的底部填充用粘接膜，其中，所述弹性体为丙烯酸 类树脂。7. 根据权利要求1~6中任一项所述的底部填充用粘接膜，其中，在40~100°C的条 件下测定粘度时，存在达到20000Pa?s以下的温度， 100~200°C的条件下的最低粘度为lOOPa?s以上。8. 根据权利要求1~7中任一项所述的底部填充用粘接膜，其中，所述底部填充用粘接 膜中含有30~70重量％的无机填充剂。9. 一种背面研削用胶带一体型底部填充用粘接膜，其具备权利要求1~8中任一项所 述的底部填充用粘接膜和背面研削用胶带， 所述底部填充用粘接膜被设置在所述背面研削用胶带上。10. -种切割胶带一体型底部填充用粘接膜，其具备权利要求1~8中任一项所述的底 部填充用粘接膜和切割胶带， 所述底部填充用粘接膜被设置在所述切割胶带上。11. 一种半导体装置，其是使用权利要求1~8中任一项所述的底部填充用粘接膜制作 的。12. -种半导体装置，其是使用权利要求9所述的背面研削用胶带一体型底部填充用 粘接膜制作的。13. -种半导体装置，其是使用权利要求10所述的切割胶带一体型底部填充用粘接膜 制作的。
【专利摘要】提供一种不会损害挠性、并且可以提高玻璃化转变温度的底部填充用粘接膜。本发明涉及一种底部填充用粘接膜，其含有树脂成分，所述树脂成分包含数均分子量为600以下的环氧树脂、数均分子量超过500的酚醛树脂以及弹性体，所述树脂成分中的所述环氧树脂的含量为5～50重量％，所述酚醛树脂的含量为5～50重量％。
【IPC分类】B32B27/38, H01L21/52, H01L21/301, C09J7/00, C09J163/00, B32B27/42, H01L21/60, C09J121/00, C09J161/04
【公开号】CN105103280
【申请号】CN201480020067
【发明人】盛田浩介, 高本尚英, 花园博行, 福井章洋
【申请人】日东电工株式会社
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2014年3月27日
【公告号】WO2014162974A1