一层12nm厚的铺薄膜。
[0043]步骤3.在锑薄膜上采用共蒸发方法制备铜铟镓砸吸收层
[0044]采用传统的共蒸发三步法在背电极上制作铜铟镓砸吸收层，需要特别指出的是，三步法第一步衬底温度在250°C -300°C范围，而第二步和第三步衬底温度在350°C -380°C范围内即可。在本优选实施例中，第一步衬底温度取250°C或300°C，第二步和第三步衬底温度取350 °C或380 °C ；
[0045]步骤4.按照传统工艺制备铜铟镓砸薄膜太阳电池
[0046]在铜铟镓砸薄膜上面自下至上依次制作缓冲层CdS层；1-ZnO层；透明窗口层；减反射层和栅线电极。
[0047]实施例2:
[0048]步骤1.在钛箔衬底(100微米)上制作背电极
[0049]通过直流磁控溅射沉积系统在钛箔衬底上沉积厚度为500nm-700nm的Mo作为背电极，Mo为双层结构，接近衬底的为高阻Mo层，厚度在100nm-150nm，在高阻Mo层上再沉积400nm-550nm的低阻Mo层，作为电池的背电极；在本优选实施例中，Mo的厚度取SOOnmS700nm，高阻Mo层的厚度取10nm或150nm，低阻Mo层的厚度取400nm或550nm ；
[0050]步骤2.在背电极上采用电子束蒸发的方法制备锑薄膜
[0051]利用电子束蒸发设备，米用0.1kw的电子束蒸发功率，50分钟的时间，在制备好的Mo背电极上蒸发一层12nm厚的铺薄膜。
[0052]步骤3.在锑薄膜上采用共蒸发方法制备铜铟镓砸吸收层
[0053]采用传统的共蒸发三步法在背电极上制作铜铟镓砸吸收层，需要特别指出的是，三步法第一步衬底温度在250°C -300°C范围，而第二步和第三步衬底温度在350°C -380°C范围内即可。在本优选实施例中，第一步衬底温度取250°C或300°C，第二步和第三步衬底温度取350 °C或380 °C ；
[0054]步骤4.按照传统工艺制备铜铟镓砸薄膜太阳电池
[0055]在铜铟镓砸薄膜上面自下至上依次制作缓冲层CdS ;i_ZnO层；透明窗口层；减反射层和栅线电极。
[0056]实施例3:
[0057]步骤1.在不锈钢衬底(100微米)上制作背电极
[0058]通过直流磁控溅射沉积系统在不锈钢衬底上沉积厚度为500nm-700nm的Mo作为背电极，Mo为双层结构，接近衬底的为高阻Mo层，厚度在100nm-150nm，在高阻Mo层上再沉积400nm-550nm的低阻Mo层，作为电池的背电极；在本优选实施例中，Mo的厚度取500nm或700nm，高阻Mo层的厚度取10nm或150nm，低阻Mo层的厚度取400nm或550nm ；
[0059]步骤2.在背电极上采用电子束蒸发的方法制备锑薄膜
[0060]利用电子束蒸发设备，米用0.1kw的电子束蒸发功率，50分钟的时间，在制备好的Mo背电极上蒸发一层12nm厚的铺薄膜。
[0061]步骤3.在锑薄膜上采用共蒸发方法制备铜铟镓砸吸收层
[0062]采用传统的共蒸发三步法在背电极上制作铜铟镓砸吸收层，需要特别指出的是，三步法第一步衬底温度在250°C -300°C范围，而第二步和第三步衬底温度在350°C -380°C范围内即可。在本优选实施例中，第一步衬底温度取250°C或300°C，第二步和第三步衬底温度取350 °C或380 °C ；
[0063]步骤4.按照传统工艺制备铜铟镓砸薄膜太阳电池
[0064]在铜铟镓砸薄膜上面自下至上依次制作缓冲层CdS ;i_ZnO层；透明窗口层；减反射层和栅线电极。
[0065]以上对本发明的实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。
【主权项】
1.一种低温制备高效柔性铜铟镓砸薄膜太阳电池的方法，其特征在于:包括如下步骤: 步骤一、在柔性衬底上制作背电极；具体为: 通过直流磁控溅射沉积系统在柔性衬底上沉积厚度范围为500nm至700nm的Mo作为背电极，其中:Mo为双层结构，接近衬底的一层为高阻Mo层，上述高阻Mo层的厚度范围为10nm至150nm ;在上述高阻Mo层上再沉积厚度范围为400nm至550nm的低阻Mo层，作为电池的背电极； 步骤二、在上述背电极上采用电子束蒸发的方法制备锑薄膜；具体为: 利用电子束蒸发设备，米用0.1kw的电子束蒸发功率，50分钟的时间，在制备好的Mo背电极上蒸发一层12nm厚的铺薄膜； 步骤三、在上述锑薄膜上采用共蒸发方法制备铜铟镓砸吸收层；具体为: 采用共蒸发三步法在背电极上制作铜铟镓砸吸收层，其中，上述三步法中的第一步衬底温度在250°C _300°C范围，第二步和第三步衬底温度在350°C _380°C范围内； 步骤四、在上述铜铟镓砸吸收层上制备铜铟镓砸薄膜太阳电池；具体为: 在铜铟镓砸薄膜上面自下至上依次制作缓冲层CdS层；1-ZnO层；透明窗口层；减反射层和栅线电极。2.根据权利要求1所述的低温制备高效柔性铜铟镓砸薄膜太阳电池的方法，其特征在于:所述柔性衬底为聚酰亚胺衬底、钛箔衬底、不锈钢衬底中的一种。3.根据权利要求2所述的低温制备高效柔性铜铟镓砸薄膜太阳电池的方法，其特征在于:所述高阻Mo层的厚度为lOOnm，所述低阻Mo层厚度为400nm。4.根据权利要求2所述的低温制备高效柔性铜铟镓砸薄膜太阳电池的方法，其特征在于:所述高阻Mo层的厚度为150nm，所述低阻Mo层厚度为400nm。5.根据权利要求2所述的低温制备高效柔性铜铟镓砸薄膜太阳电池的方法，其特征在于:所述高阻Mo层的厚度为lOOnm，所述低阻Mo层厚度为550nm。6.根据权利要求2所述的低温制备高效柔性铜铟镓砸薄膜太阳电池的方法，其特征在于:所述高阻Mo层的厚度为150nm，所述低阻Mo层厚度为550nm。7.根据权利要求2-6任一项所述的低温制备高效柔性铜铟镓砸薄膜太阳电池的方法，其特征在于:所述第一步衬底温度为250°C，所述第二步和第三步衬底温度为350°C。8.根据权利要求2-6任一项所述的低温制备高效柔性铜铟镓砸薄膜太阳电池的方法，其特征在于:所述第一步衬底温度为250°C，所述第二步和第三步衬底温度为380°C。9.根据权利要求2-6任一项所述的低温制备高效柔性铜铟镓砸薄膜太阳电池的方法，其特征在于:所述第一步衬底温度为300°C，所述第二步和第三步衬底温度为380°C。10.根据权利要求2-6任一项所述的低温制备高效柔性铜铟镓砸薄膜太阳电池的方法，其特征在于:所述第一步衬底温度为30(TC，所述第二步和第三步衬底温度为350°C。
【专利摘要】本发明公开了一种低温制备高效柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法，包括如下步骤：步骤一、通过直流磁控溅射沉积系统在柔性衬底上沉积厚度范围为500nm至700nm的Mo作为背电极，其中：Mo为双层结构，高阻Mo层的厚度范围为100nm至150nm；在高阻Mo层上再沉积厚度范围为400nm至550nm的低阻Mo层，作为电池的背电极；步骤二、利用电子束蒸发设备，采用0.1kw的电子束蒸发功率，50分钟的时间，在Mo背电极上蒸发一层12nm厚的锑薄膜；步骤三、在上述锑薄膜上采用共蒸发方法制备铜铟镓硒吸收层；步骤四、在上述铜铟镓硒吸收层上制备铜铟镓硒薄膜太阳电池。
【IPC分类】H01L31/0224, H01L31/032, H01L31/18
【公开号】CN105118872
【申请号】CN201510430524
【发明人】申绪男, 赵岳, 王胜利, 赖运子, 刘帅奇, 赵彦民, 乔在祥
【申请人】中国电子科技集团公司第十八研究所
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2015年7月21日