支撑件中。静电吸盘具有密封带和至少一个夹持电极。通过将衬底放置到载体支撑件上来形成工件。能够通过将衬底粘附到支撑膜并然后将带有支撑膜的衬底安装到框架来形成该工件。该支撑膜能够具有聚合物层和/或导电层。该支撑膜能够是标准的切片带。该框架能够具有导电层和/或金属层。RF功率源能够联接到工件支撑件，以在工件周围产生等离子体。该工件然后被装载到工件支撑件上以进行等离子体处理，其中，衬底不与密封带重叠。夹持电极能够与衬底的一部分重叠或与衬底完全重叠。夹持电极能够与密封带的一部分重叠或与密封带完全重叠。密封带的内径能够大于衬底的外径。静电吸盘将工件夹持到工件支撑件。能够通过将诸如氦气的加压流体从工件支撑件供应到工件来提供工件和工件支撑件之间的热连通。能够通过真空栗减小处理室内的压力并能够通过气体入口将工艺气体引入到处理室中。通过等离子体源来产生等离子体，从而通过所产生的等离子体来蚀刻工件。能够提供真空兼容的传送模块，其与处理室连通。工件能够被装载到该真空兼容的传送模块中的传送臂上，从而在工件从该真空兼容的传送模块传送到处理室期间将处理室维持在真空下。
[0038]本发明的又一个特征是提供一种用于对衬底进行等离子切片的方法。衬底能够具有诸如硅的半导体层和/或衬底能够具有诸如GaAs的II1-V族层。衬底能够具有被图案化在衬底的电路侧的保护层，如光致抗蚀剂层。提供了具有壁的处理室，其中，等离子体源邻近处理室的所述壁。等离子体源能够是高密度等离子体源。可以提供与处理室流体连通的真空栗和与处理室流体连通的气体入口。提供了在处理室内的工件支撑件。静电吸盘被并入到工件支撑件中。静电吸盘具有至少一个夹持电极。通过将衬底放置到载体支撑件上来形成工件。能够通过将衬底粘附到支撑膜并然后将带有支撑膜的衬底安装到框架来形成工件。该支撑膜能够具有聚合物层和/或导电层。该支撑膜可以是标准的切片带。框架能够具有导电层和/或金属层。RF功率源能够联接到工件支撑件，以在工件周围产生等离子体。工件然后被装载到工件支撑件上以进行等离子体处理，其中，夹持电极与衬底的一部分重叠。该夹持电极能够与衬底完全重叠。夹持电极的第一直径能够大于衬底的第二直径。夹持电极能够延伸超过衬底的周界约2_。该夹持电极能够是RF偏置的。静电吸盘将工件夹持到工件支撑件。能够通过将诸如氦气的加压流体从工件支撑件供应到工件来提供工件和工件支撑件之间的热连通。能够通过真空栗减小处理室内的压力并能够通过气体入口将工艺气体引入到处理室中。通过等离子体源来产生等离子体，从而通过所产生的等离子体来蚀刻工件。能够提供真空兼容的传送模块，其与处理室连通。工件能够被装载到该真空兼容的传送模块中的传送臂上，从而在工件从该真空兼容的传送模块传送到处理室期间将处理室维持在真空下。
[0039]本发明的又一个特征是提供一种用于对衬底进行等离子切片的方法。衬底能够具有诸如硅的半导体层和/或衬底能够具有诸如GaAs的II1-V族层。衬底能够具有被图案化在衬底的电路侧的保护层，如光致抗蚀剂层。提供了具有壁的处理室，其中，等离子体源邻近处理室的所述壁。等离子体源能够是高密度等离子体源。可以提供与处理室流体连通的真空栗和与处理室流体连通的气体入口。提供了在处理室内的工件支撑件。静电吸盘被并入到工件支撑件中。静电吸盘具有密封带、流体入口和至少一个夹持电极。流体入口位于密封带的内径内。通过将衬底放置到载体支撑件上来形成工件。能够通过将衬底粘附到支撑膜并然后将带有支撑膜的衬底安装到框架来形成工件。该支撑膜能够具有聚合物层和/或导电层。该支撑膜能够是标准的切片带。框架能够具有导电层和/或金属层。RF功率源能够联接到工件支撑件以在工件周围产生等离子体。工件然后被装载到工件支撑件上以进行等离子体处理，其中，衬底不与密封带重叠。夹持电极能够与衬底的一部分重叠或与衬底完全重叠。该夹持电极能够是RF偏置的。密封带能够完全环绕该衬底。流体入口能够位于衬底的周界外侧。静电吸盘将工件夹持到工件支撑件。能够通过将诸如氦气的加压流体从工件支撑件供应到工件来提供工件和工件支撑件之间的热连通。能够通过真空栗减小处理室内的压力并能够通过气体入口将工艺气体引入到处理室中。通过等离子体源来产生等离子体，从而通过所产生的等离子体来蚀刻工件。能够提供真空兼容的传送模块，其与处理室连通。工件能够被装载到该真空兼容的传送模块中的传送臂上，从而在工件从该真空兼容的传送模块传送到处理室期间将处理室维持在真空下。
[0040]本发明的另一个特征是提供一种用于对衬底进行等离子切片的方法。衬底能够具有诸如硅的半导体层和/或衬底能够具有诸如GaAs的II1-V族层。衬底能够具有被图案化在衬底的电路侧的保护层，如光致抗蚀剂层。提供了具有壁的处理室，其中，等离子体源邻近处理室的所述壁。等离子体源能够是高密度等离子体源。可以提供与处理室流体连通的真空栗和与处理室流体连通的气体入口。提供了在处理室内的工件支撑件。静电吸盘被并入到工件支撑件中。通过将衬底放置到载体支撑件上来形成工件。能够通过将衬底粘附到支撑膜并然后将带有支撑膜的衬底安装到框架来形成工件。支撑膜能够具有聚合物层和/或导电层。该支撑膜能够是标准的切片带。框架能够具有导电层和/或金属层。RF功率源能够联接到工件支撑件以在工件周围产生等离子体。在处理室内提供了提升机构。提升机构将工件装载到工件支撑件上以进行等离子体处理。提升机构在工件的衬底的外径之外接合所述工件。提升机构能够接合工件的框架。该提升机构能够在工件的衬底的外径之外至少五毫米处接合所述工件。提升机构能够在工件的衬底的外径之外穿过静电吸盘。替代地，提升机构能够不穿过静电吸盘。提升机构能够在工件支撑件的外部。静电吸盘将工件夹持到工件支撑件。能够通过将诸如氦气的加压流体从工件支撑件供应到工件来提供工件和工件支撑件之间的热连通。能够通过真空栗减小处理室内的压力并能够通过气体入口将工艺气体引入到处理室中。通过等离子体源来产生等离子体，从而通过所产生的等离子体来蚀刻工件。能够提供真空兼容的传送模块，其与处理室连通。工件能够被装载到该真空兼容的传送模块中的传送臂上，从而在工件从该真空兼容的传送模块传送到处理室期间将处理室维持在真空下。
[0041]本发明的又一个特征是提供一种用于对衬底进行等离子切片的方法。衬底能够具有诸如硅的半导体层和/或衬底能够具有诸如GaAs的II1-V族层。衬底能够具有被图案化在衬底的电路侧的保护层，如光致抗蚀剂层。提供了具有壁的处理室，其中，等离子体源邻近处理室的所述壁。等离子体源能够是高密度等离子体源。可以提供与处理室流体连通的真空栗和与处理室流体连通的气体入口。提供了在处理室内的工件支撑件。静电吸盘被并入到工件支撑件中。静电吸盘能够还包括至少一个RF供电的夹持电极。该夹持电极能够与衬底完全重叠。通过将衬底放置在载体支撑件上来形成工件。能够通过将衬底粘附到支撑膜并然后将带有支撑膜的衬底安装到框架来形成工件。该支撑膜能够具有聚合物层和/或导电层。支撑膜能够是标准的切片带。框架能够具有导电层和/或金属层。工件被装载到工件支撑件上以用于等离子体处理。RF功率源能够联接到工件支撑件。RF偏压被施加到工件支撑件的第一区域。工件支撑件的第一区域的尺寸大于衬底的第二区域。工件支撑件的第一区域的尺寸能够比衬底的第二区域大百分之五。替代地，工件支撑件的第一区域的尺寸能够比衬底的第二区域大百分之四十。所述RF偏压能够在与衬底重叠的区域中是连续的。静电吸盘将工件夹持到工件支撑件。能够通过将诸如氦气的加压流体从工件支撑件供应到工件来提供工件和工件支撑件之间的热连通。能够通过真空栗减小处理室内的压力并能够通过气体入口将工艺气体引入到处理室中。通过等离子体源来产生等离子体，从而通过所产生的等离子体来蚀刻工件。能够提供真空兼容的传送模块，其与处理室连通。工件能够被装载到该真空兼容的传送模块中的传送臂上，从而在工件从该真空兼容的传送模块传送到处理室期间将处理室维持在真空下。
[0042]本发明的又一个特征是提供一种用于对衬底进行等离子切片的方法。衬底能够具有诸如硅的半导体层和/或衬底能够具有诸如GaAs的II1-V族层。衬底能够具有被图案化在衬底的电路侧的保护层，如光致抗蚀剂层。提供了具有壁的处理室，其中，等离子体源邻近处理室的所述壁。等离子体源能够是高密度等离子体源。可以提供与处理室流体连通的真空栗和与处理室流体连通的气体入口。提供了在处理室内的工件支撑件。通过将衬底放置到载体支撑件上来形成工件。能够通过将衬底粘附到支撑膜并然后将带有支撑膜的衬底安装到框架来形成工件。支撑膜能够具有聚合物层和/或导电层。支撑膜能够是标准的切片带。框架能够具有导电层和/或金属层。RF功率源能够被联接到工件支撑件以在工件周围生成等离子体。工件被装载到工件支撑件上以用于等离子体处理。RF功率源能够联接到工件支撑件。在处理室内提供了机械隔板。该机械隔板位于等离子体源和工件之间。该机械隔板能够将所述源从处理室隔离。该机械隔板能够定位成与工件具有第一距离，其中，第一距离能够大于等离子体鞘层的第二距离。该机械隔板能够定位成在衬底上方至少一毫米。机械隔板能够是导电的。机械隔板能够减少到达工件的离子密度。机械隔板能够与衬底的一部分重叠或者该机械隔板能够与衬底完全重叠。该机械隔板能够还包括多个孔口，所述多个孔口能够在整个机械隔板内均匀或非均匀地分布。能够通过真空栗减小处理室内的压力并能够通过气体入口将工艺气体引入到处理室中。通过等离子体源来产生等离子体，从而通过所产生的等离子体来蚀刻工件。能够通过RF偏置功率来维持工件和机械隔板之间的等离子体。机械隔板能够减小到达工件表面的等离子体发射强度。机械隔板的温度能够维持在0°C到350°C的范围内。能够提供真空兼容的传送模块，其与处理室连通。工件能够被装载到该真空兼容的传送模块中的传送臂上，从而在工件从该真空兼容的传送模块传送到处理室期间将处理室维持在真空下。
[0043]本发明的另一个特征是提供一种用于对衬底进行等离子切片的方法。衬底能够具有诸如硅的半导体层和/或衬底能够具有诸如GaAs的II1-V族层。衬底能够具有被图案化在衬底的电路侧的保护层，如光致抗蚀剂层。提供了具有壁的处理室，其中，等离子体源邻近处理室的所述壁。等离子体源能够是高密度等离子体源。可以提供与处理室流体连通的真空栗和与处理室流体连通的气体入口。提供了在处理室内的衬底支撑件。通过将衬底放置到载体支撑件上来形成工件。能够通过将衬底粘附到支撑膜并然后将带有支撑膜的衬底安装到框架来形成工件。支撑膜能够具有聚合物层和/或导电层。支撑膜能够是标准的切片带。框架能够具有导电层和/或金属层。衬底被装载到衬底支撑件上以用于等离子体处理。在处理室内提供了机械隔板。该机械隔板位于等离子体源和衬底之间。RF功率源联接到工件支撑件。具有比离子等离子体频率大的RF偏置频率的RF偏置功率被施加到衬底。RF偏置功率能够是脉冲的。离子等离子体频率能够约为4MHz。RF偏置功率能够具有从4MHz到160MHz的范围。能够通过真空栗减小处理室内的压力并能够通过气体入口将工艺气体引入到处理室中。通过等离子体源来产生等离子体，从而通过所产生的等离子体来蚀刻衬底。通过等离子体蚀刻步骤使衬底上的绝缘层暴露。该绝缘层能够是衬底载体。绝缘层能够是衬底内的层。绝缘层能够是带。能够提供真空兼容的传送模块，其与处理室连通。衬底能够被装载到该真空兼容的传送模块中的传送臂上，从而在衬底从该真空兼容的传送模块传送到处理室期间将处理室维持在真空下。
[0044]本发明的又一个特征是提供一种用于对衬底进行等离子切片的方法。衬底能够具有诸如硅的半导体层和/或衬底能够具有诸如GaAs的II1-V族层。衬底能够具有被图案化在衬底的电路侧的保护层，如光致抗蚀剂层。提供了具有壁的处理室，其中，等离子体源邻近处理室的所述壁。等离子体源能够是高密度等离子体源。可以提供与处理室流体连通的真空栗和与处理室流体连通的气体入口。提供了在处理室内的工件支撑件。通过将衬底放置到载体支撑件上来形成工件。能够通过将衬底粘附到支撑膜并然后将带有支撑膜的衬底安装到框架来形成工件。支撑膜能够具有聚合物层和/或导电层。支撑膜能够是标准的切片带。框架能够具有导电层和/或金属层。工件被装载到工件支撑件上以用于等离子体处理。RF功率源能够联接到工件支撑件。在处理室内提供了多个机械隔板。所述多个机械隔板位于等离子体源和工件之间。所述多个隔板能够将所述源与室隔离。多个机械隔板中的至少一个机械隔板能够与多个机械隔板中的另一个机械隔板的至少一部分重叠。多个机械隔板能够与衬底的一部分重叠或多个机械隔板能够与衬底完全重叠。多个机械隔板能够还包括多个孔口，所述多个孔口能够在所述多个机械隔板内均匀或非均匀地分布。能够通过真空栗减小处理室内的压力并能够通过气体入口将工艺气体引入到处理室中。通过等离子体源来产生等离子体，从而通过所产生的等离子体来蚀刻工件。所述多个机械隔板能够定位成与工件具有第一距离，其中，第一距离能够大于等离子体鞘层的第二距离。所述多个机械隔板能够是导电的。所述多个机械隔板能够减少到达工件的离子通量。通过RF偏置功率能够维持工件和多个机械隔板之间的等离子体。多个机械隔板能够减少到达工件的等离子体发射强度。机械隔板的温度能够维持在0°C到350°C的范围内。能够提供真空兼容的传送模块，其与处理室连通。工件能够被装载到该真空兼容的传送模块中的传送臂上，从而在工件从该真空兼容的传送模块传送到处理室期间将处理室维持在真空下。
[0045]本发明的又一个特征是提供一种用于对衬底进行等离子切片的方法。衬底能够具有诸如硅的半导体层和/或衬底能够具有诸如GaAs的II1-V族层。衬底能够具有被图案化在衬底的电路侧的保护层，如光致抗蚀剂层。提供了具有壁的处理室，其中，等离子体源邻近处理室的所述壁。等离子体源能够是高密度等离子体源。可以提供与处理室流体连通的真空栗和与处理室流体连通的气体入口。提供了在处理室内的工件支撑件。通过将衬底放置到载体支撑件上来形成工件。能够通过将衬底粘附到支撑膜并然后将带有支撑膜的衬底安装到框架来形成工件。支撑膜能够具有聚合物层和/或导电层。支撑膜能够是标准的切片带。框架能够具有导电层和/或金属层。工件被装载到工件支撑件上以用于等离子体处理。RF功率源能够联接到工件支撑件。在处理室内提供了机械隔板。机械隔板位于等离子体源和工件之间。该机械隔板能够具有多个孔口，所述多个孔口能够具有孔口尺寸。机械隔板能够具有多个孔口，所述多个孔口能够具有孔口间隔。机械隔板能够具有多个孔口，所述多个孔口能够具有孔口形状。机械隔板能够具有多个孔口，所述多个孔口能够具有孔口长径比。能够通过真空栗减小处理室内的压力并能够通过气体入口将工艺气体引入到处理室中。通过等离子体源来产生等离子体，从而通过所产生的等离子体来蚀刻工件。测量了属性均匀性。该属性均匀性能够是蚀刻速率。该属性均匀性能够是特征轮廓。该属性均匀性能够是蚀刻选择性。该属性均匀性能够是关键尺寸。基于该测量步骤的关于属性均匀性的结果，机械隔板的定位被调节。机械隔板上的孔口尺寸能够被调节。机械隔板上的孔口间隔能够被调节。机械隔板上的孔口形状能够被调节。机械隔板上的孔口长径比能够被调节。能够提供真空兼容的传送模块，其与处理室连通。工件能够被装载到该真空兼容的传送模块中的传送臂上，从而在工件从该真空兼容的传送模块传送到处理室期间将处理室维持在真空下。
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