金时有喷金粉侵入三层薄膜间隙中、导致电容器的绝缘电阻不稳定等弊端。
[0038] 4、由于1、2、3条原因，本发明专利CBB82S型电容器的性能发生了根本性的变化：
[0039] ①损耗角正切值 tgS 彡 3X10 4(10KHZ，25°C );
[0040] ②耐电流值超过20A ;
[0041] ③绝缘电阻超过50000ΜΩ，绝缘电阻合格率达到99. 8%以上；
[0042] ④耐高温105 °C~IKTC
[0043] ⑤寿命长达10万小时以上。
[0044] 5、由于采用了内串结构，使电容器的耐电压性能倍增，额定电压最高可设计到 2. 5KV，脉冲电压可实现3UR。
[0045] 6、本发明专利CBB82S型电容器已于2013年4月份开始投放到变频微波炉市场， 到2014年5月31日止累计数量为60万只以上，市场反映很好，满足了客户质量要求，实现 了高端电容器国产化，取代了国外进口 MMKP81型电容器，降低了变频微波炉的成本，为推 动低碳环保节能国策起到了积极的作用。
[0046] 7、本发明专利CBB82S型电容器的成本比MMKP81型电容器低20%。
[0047] 四、缺点：
[0048] 对生产设备要求高，需改进目前的国内设备或引进国外设备。
【附图说明】：
[0049] 下面结合附图和实施实例对本发明专利作进一步说明：
[0050] 图1是CBB82型电容器芯子的横向剖面结构图，其中：
[0051] ①为单面镀铝中留边金属化聚丙烯膜，即APM ;
[0052] ②为单面镀铝双留边金属化聚丙烯膜，即APT ;
[0053] ③为铝镀层做电极层；
[0054] ④为铝镀层做Cl和C2两个内串电容器的串联电极和电极层；X为中留边宽度；y 为双留边宽度；z为错幅宽度。
[0055] 图2是MMKP81型电容器芯子的横向剖面结构图，其中：
[0056] ①为双面镀铝中留边金属化聚酯膜，即ATMD ;
[0057] ②为聚丙烯膜，即PP ;
[0058] ③为单面镀铝双留边金属化聚丙烯膜，即APT ;
[0059] ④、⑤为铝镀层，为电极层；
[0060] ⑥为铝镀层做Cl和C2两个内串电容器的串联电极和电极层；
[0061] ⑦为双面镀电极层的载体；
[0062] ⑧和⑨为电容器的介质层；X为中留边宽度；y为双留边宽度；Z为错幅宽度。
[0063] 图3是以MMKP81型电容器喷金后芯子的横向剖面结构图，其中：
[0064] ⑩为四元合金喷金层；
[0065] 图4是本发明专利CBB82S型电容器喷金后芯子的横向剖面结构图，其中：
[0066] ⑩为喷金层的铝打底层；
[0067] ?为锡锌合金喷金层；
[0068] ①为双面镀铝中留边金属化聚丙烯高温膜，即APHMD ;
[0069] ②为聚丙烯高温膜，即PPH ;
[0070] ③为单面镀铝双留边金属化聚丙烯高温膜，即APHT ;
[0071] 图5是本发明专利CBB82S型电容器纵向展开结构图，其中：
[0072] ①为双面镀铝中留边金属化聚丙烯高温膜，即APHMD ;
[0073] ②为聚丙烯高温膜，即PPH ;
[0074] ③为单面镀铝双留边金属化聚丙烯高温膜，即APHT ;
【具体实施方式】：
[0075] 图4是本发明专利实施实例的横向剖面结构图，在图4中，使用了 APHMD双面镀铝 中留边金属化聚丙烯高温膜，见图4的①。而在双面镀的下面加一层PPH聚丙烯高温膜，见 图4中的②。又在PPH膜的下而加一层APHT单面镀双留边聚丙烯高温膜，见图4中的③。 由于双面镀聚丙烯膜中留边X的存在（根据额定电压的高低，中留边X的大小不同），构成 Cl和C2两个电容器，由APHT的低方阻铝金属化镀层将Cl和C2串联。使用的APHT和PPH 宽度相等，二者对齐，比APHMD窄1mm，与APHMD对中。
[0076] 图5是本发明专利实施例的纵向展开结构图，在图4中，重点要求如下：
[0077] 1、在卷绕的起卷处，PPH比APHT长20mm，APHT比APHMD长5mm，APHMD为最后卷 入；
[0078] 2、在卷绕的收卷处，APHMD先切断，APHT延长5mm再切断，最后用PPH外封12~ 15圈。
[0079] 按以上结构进行卷绕，卷绕圈数的多少，取决于具体电容器的容量，具体工艺流程 如下：
[0080] 卷绕一热压一热处理一包裹一喷纯错一喷锡锌合金一焊⑶线一排芯一内包一固 化一粉包一切脚一流平固化一打印标识一电性能分选一电性能抽检一实验室可靠性实验。
【主权项】
1. 一种CBB82S型耐大电流、长寿命聚丙烯薄膜电容器，其构造特征是： ① 双面镀铝中留边金属化聚丙烯高温膜APHMD做内串结构电容器的电极层， ② 单面镀铝双留边金属化聚丙烯高温膜APHT的基膜与处于APHMD和APHT之间的聚丙 烯高温膜PPH做电容器的介质层， ③ 低方阻的APHT的铝镀层做内串电容Cl和C2的串联电极层， ④ 卷绕重点是三层膜之间横向对中，纵向起卷和收卷错幅5MM以上， ⑤ 喷金重点是先纯铝打底之后再喷锡锌合金，双面镀铝电极层与纯铝喷金层为相同分 子结合。
【专利摘要】一种CBB82S型耐大电流、长寿命聚丙烯薄膜电容器，它用双面镀铝中留边金属化聚丙烯高温膜APHMD做内串结构电容器的电极层；用单面镀铝双留边金属化聚丙烯高温膜APHT的基膜与处于APHMD和APHT之间的PPH聚丙烯高温膜做电容器的介质；用APT的铝镀层做内串电容C1和C2的串联电极。在卷绕工艺上采用三层膜之间横向对中，纵向起卷和收卷错幅5MM以上的工艺，在喷金工艺上采用先纯铝打底之后再喷锡锌合金，双面镀铝电极层与纯铝喷金层接触电阻极低，降低了电容器的等效串联电阻ESR，提高了电容器的耐电流特性，降低了电容器的损耗角正切值，减少了电容器的温升，从而延长了电容器的使用寿命，其使用寿命长达10年。
【IPC分类】H01G4/33, H01G4/32, H01G4/005
【公开号】CN105206420
【申请号】CN201410266876
【发明人】李骁, 李新安
【申请人】深圳市铜峰电子有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2014年6月11日