一种抗硫化片式厚膜电阻的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及片式厚膜电阻的生产工艺，特别涉及一种抗硫化片式厚膜电阻的制作方法。
【背景技术】
[0002]一般片式厚膜电阻的生产，正、背电极使用丝网印刷印制银钯合金浆料经过高温烧结而成，加上侧电极共同作为电阻的端电极，然后进行滚镀，滚镀法很难使厚膜片式电阻器的正、背电极和保护包覆层交界处形成电镀层，(Ni层和Sn层)，这是因为正、背电极材料是金属导电体，保护包覆层是非金属不导电体，这样在它们交界处电镀层会很薄或未形成电镀层，从而存在孔隙或缝隙，特别是当丝网漏印二次保护包覆层，边界不整齐时，情况尤为严重。环境空气中的硫化物(主要是硫化氢、碳基硫)就会从它们之间结合处的微小孔隙或缝隙中渗透到正、背电极，导致正、背电极中的银被硫化，生成高电阻率的硫化银，阻断了正、背电极与侧电极、电阻层的连通，从而使得电阻的阻值变大直至开路，通过硫化试验，在高温50°C，硫化氢质量分数为100 X 106条件下，经过120小时，发现电阻阻值变大有硫化现象。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是为了解决现在的生产工艺生产的片式厚膜电阻在使用过程中发生硫化反应，阻值变大甚至开路的功能缺陷，而提出的一种抗硫化片式厚膜电阻的制作方法。
[0004]为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案:
1、一种抗硫化片式厚膜电阻的制作方法，其特征在于，包括以下步骤:(1)在陶瓷基片的正面印刷电阻层并烧结，(2)正面掩膜后溅射纯镍正电极，(3)水洗去膜，(4)背面掩膜后溅射纯镍背电极，(5)水洗去膜，(6)镭射，(7)印刷包封层，(8)裂条，(9)溅射纯镍侧电极，
(10)碎片，(11)电镀锡层。
[0005]所述溅射电极的工艺参数如下:真空度为5.0?6.0X 10 5托，电流设置为0.85A，溅射时间为30分钟，正、背电极纯镍的厚度为2-4 μ m。
[0006]有益效果:本发明采用纯镍通过真空溅射制作正、背电极，使得片式厚膜电阻的电极中不含有银成分，彻底解决硫化对片式厚膜电阻的影响，避免了阻值变大或开路的现象，保证了片式厚膜电阻的稳定性。
【具体实施方式】
[0007]本发明提供一种抗硫化片式厚膜电阻的制作方法，包括以下步骤:(1)在陶瓷基片的正面印刷电阻层并烧结，(2)正面掩膜后溅射纯镍正电极，(3)水洗去除正面膜，(4)背面掩膜后溅射纯镍背电极，(5)水洗去除背面膜，(6)镭射，(7)印刷包封层，(8)裂条，(9)溅射纯镍侧电极，(10)碎片，(11)电镀4 μ m以上锡层，最后测试、包装。所述溅射电极的工艺参数如下:真空度为5.0?6.0X 10 5托，电流设置为0.85A，溅射时间为30分钟，正、背电极纯镍的厚度为2-4 μ m。
[0008]本发明改变传统正、背电极采用丝网印刷，而是采用真空溅射纯镍制作正、背电极，使得片式厚膜电阻的电极中不含有银成分，彻底解决硫化对片式厚膜电阻的影响，避免了阻值变大或开路的现象，保证了片式厚膜电阻的稳定性。
[0009]以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种抗硫化片式厚膜电阻的制作方法，其特征在于，包括以下步骤:(1)在陶瓷基片的正面印刷电阻层并烧结，(2)正面掩膜后溅射纯镍正电极，(3)水洗去膜，(4)背面掩膜后溅射纯镍背电极，(5)水洗去膜，(6)镭射，(7)印刷包封层，(8)裂条，(9)溅射纯镍侧电极，(10)碎片，(11)电镀锡层。2.根据权利要求1所述的一种抗硫化片式厚膜电阻的制作方法，其特征在于，所述溅射电极的工艺参数如下:真空度为5.0?6.0X 10 5托时，电流设置为0.85A，溅射时间为30分钟，正、背电极纯镍的厚度为2-4 μ m。
【专利摘要】本发明公开一种抗硫化片式厚膜电阻的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在陶瓷基片的正面印刷电阻层并烧结，（2）正面掩膜后溅射纯镍正电极，（3）水洗去膜，（4）背面掩膜后溅射纯镍背电极，（5）水洗去膜，（6）镭射，（7）印刷包封层，（8）裂条，（9）溅射纯镍侧电极，（10）碎片，（11）电镀锡层；本发明采用纯镍通过真空溅射制作正、背电极，使得片式厚膜电阻的电极中不含有银成分，彻底解决硫化对片式厚膜电阻的影响，避免了阻值变大或开路的现象，保证了片式厚膜电阻的稳定性。
【IPC分类】H01C17/00, H01C17/28
【公开号】CN105336461
【申请号】CN201510806512
【发明人】李福喜, 黄明怀, 徐建建, 陈立俊
【申请人】贝迪斯电子有限公司
【公开日】2016年2月17日
【申请日】2015年11月21日