触孔结构设置于相应的金属层40的两侧或中间。在另一种优选的实施方式中，每组接触孔结构单元30包括多个接触孔结构，且各接触孔结构沿金属层40依次等距离设置。
[0048]下面将更详细地描述本申请提供的上述测试结构的示例性实施方式。然而，这些示例性实施方式可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施方式。应当理解的是，提供这些实施方式是为了使得本申请的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施方式的构思充分传达给本领域普通技术人员。
[0049]在一种优选的实施方式中，各上述金属层40沿栅极结构20的延伸方向依次设置，且各金属层40的长度方向垂直于栅极结构20。此时，各组接触孔结构单元30中接触孔结构设置于相应的金属层40远离栅极结构20的一侧，其结构如图2所示；或设置于金属层40靠近栅极结构20的一侧，其结构如图3所示；或交替设置于金属层40远离栅极结构20的一侧和金属层40靠近栅极结构20的一侧，其结构如图4所不。各上述金属层40的长度可以根据实际工艺需求进行设定，优选地，各金属层40的长度等于设置有金属层40 —侧的有源区10在垂直于栅极结构20方向的长度。需要注意的是，图2至图3仅示出了每组接触孔结构单元30中包括一个接触孔结构的情况，但此优选实施方式中每组接触孔结构单元30中并不仅限于包括一个接触孔结构的情况。
[0050]在另一种优选的实施方式中，各金属层40沿栅极结构20的延伸方向依次设置，各金属层40的长度方向平行于栅极结构20时，且各述接触孔结构单元30中接触孔结构设置于相应的金属层40的两侧或中间，其结构如图5所示。需要注意的是，图5仅示出了每组接触孔结构单元30中包括一个接触孔结构的情况，但此优选实施方式中每组接触孔结构单元30中并不仅限于包括一个接触孔结构的情况。
[0051]在另一种优选的实施方式中，各金属层40沿远离栅极结构20的方向上依次设置，且各金属层40的长度方向平行于栅极结构20。此时，每组接触孔结构单元30中接触孔结构设置于金属层40沿栅极结构20的延伸方向的第一侧或第二侧，其结构如图6所示；或交替设置于金属层40沿栅极结构20的延伸方向的第一侧与金属层40沿栅极结构20的延伸方向的第二侧，其结构如图7所示。各上述金属层40的长度可以根据实际工艺需求进行设定，优选地，各金属层40的长度等于设置有金属层40 —侧的有源区10在沿栅极结构20的延伸方向上的宽度。需要注意的是，图6和图7仅示出了每组接触孔结构单元30中包括一个接触孔结构的情况，但此优选实施方式中每组接触孔结构单元30中并不仅限于包括一个接触孔结构的情况。
[0052]在又一种优选的实施方式中，各上述金属层40沿栅极结构20的延伸方向和沿远离栅极结构20的方向依次设置，各金属层40的宽度和长度相等，且每组接触孔结构单元30中接触孔结构设置于相应的金属层40的中间，其结构如图8所示。需要注意的是，图8仅示出了每组接触孔结构单元30中包括一个接触孔结构的情况，但此优选实施方式中每组接触孔结构单元30中并不仅限于包括一个接触孔结构的情况。
[0053]上述测试结构的制作方法有很多种，作为一种优选实施方式，本申请还提供了一种测试结构的制作方法。如图9所示，该制作方法包括:在有源区上制作栅极结构；在栅极结构的两侧的有源区中形成源漏极；在栅极结构的一侧的有源区上形成至少两组接触孔结构单元，每组接触孔结构单元包括至少一个接触孔结构；在每组接触孔结构单元的表面上形成金属层。
[0054]下面将更详细地描述根据本申请的示例性实施方式。然而，这些示例性实施方式可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施方式。应当理解的是，提供这些实施方式是为了使得本申请的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施方式的构思充分传达给本领域普通技术人员，在附图中，为了清楚起见，扩大了层和区域的厚度，并且使用相同的附图标记表示相同的器件，因而将省略对它们的描述。
[0055]图10至图12示出了本申请提供的半导体器件的制作方法中，经过各个步骤后得到的基体的剖面结构示意图。下面将结合图10至图12，进一步说明本申请所提供的半导体器件的制作方法。
[0056]首先，在有源区上制作栅极结构20，并在栅极结构20的两侧的有源区中形成源漏极，进而形成如图10所示的基体结构。在一种优选的实施方式中，形成上述栅极结构20和源漏极的步骤包括:在有源区上形成栅极；在栅极的两侧侧壁上形成侧壁层，以形成栅极结构20 ;对位于栅极的两侧的有源区进行离子注入以形成源漏注入区；在源漏注入区的表面上形成金属硅化物层以形成源漏极(图10未示出)。
[0057]上述栅极的材料可以为多晶硅、铜或铝等，形成上述栅极的工艺可以为化学气相沉积或溅射等。上述侧壁层可以为本领域中常见的介质材料，例如二氧化硅或氮化硅等，形成上述栅极的工艺可以为化学气相沉积或溅射等。上述金属硅化物层可以为硅化钨、硅化钴或硅化镍等，形成上述金属硅化物的步骤包括:通过化学气相沉积、溅射或电镀等在源漏注入区的表面沉积金属，以及对上述金属和源漏注入区进行加热以使其反应形成金属硅化物。上述工艺为本领域现有技术，在此不再赘述。
[0058]在形成上述源漏注入区的步骤中，离子注入的工艺参数可以根据现有技术进行设定。可选地，在形成上述源漏注入区之前，还可以对位于栅极的两侧的有源区进行轻掺杂离子注入，以在栅极的两侧的有源区中形成轻掺杂区。
[0059]完成在有源区上制作栅极结构20，并在栅极结构20的两侧的有源区中形成源漏极的步骤之后，在栅极结构20的一侧的有源区上形成至少两组接触孔结构单元30，每组接触孔结构单元30包括至少一个接触孔结构，进而形成如图11所示的基体结构。。在一种优选的实施方式中，形成上述接触孔结构单元30的步骤包括:在栅极结构20的一侧的有源区上形成介质层；刻蚀介质层至暴露出有源区的表面，以在介质层中形成接触孔；在接触孔中填充金属材料，形成接触孔结构单元30。
[0060]需要注意的是，在形成上述接触孔结构单元30的步骤中，既可以不在栅极结构20的另一侧的有源区形成任何接触孔结构单元30和金属层40，也可以在栅极结构20的另一侧的有源区形成一组或多组接触孔结构单元30以及相应的金属层40。
[0061]上述介质层可以为本领域中常见的介质材料，例如二氧化硅或氮化硅等，形成上述介质层的工艺可以为化学气相沉积或溅射等。刻蚀上述介质层的工艺可以为干法刻蚀，更优选为等离子刻蚀。上述金属材料可以为铜或铝等，形成上述金属材料的工艺可以为化学气相沉积、溅射或电镀等。上述工艺为本领域现有技术，在此不再赘述。
[0062]完成在栅极结构20的一侧的有源区上形成至少两组接触孔结构单元30，每组接触孔结构单元30包括至少一个接触孔结构，在源极注入区和漏极注入区的表面上形成金属硅化物层以形成源漏极，进而形成如图12所示的基体结构。在一种优选的实施方式中，形成上述金属层40的步骤包括:形成覆盖介质层和接触孔结构单元30的金属预备层；刻蚀金属预备层，形成金属层40。
[0063]金属预备层可以为铜或铝等，形成上述金属预备层的工艺可以为化学气相沉积、溅射或电镀等。刻蚀上述金属预备层的工艺可以为干法刻蚀，更优选为等离子刻蚀。上述工艺为本领域现有技术，在此不再赘述。
[0064]本申请还提供了一种测试方法，采用测试机测试本申请提供的测试结构的源漏电阻。如图13所示，该测试方法包括:步骤S1、将测试机的两个探针分别单独置于任意两组接触孔结构单元上的金属层上；步骤S2、输出测量值。该测试方法通过将测试机的两个探针分别单独置于任意两组接触孔结构单元上的金属层上