可变电容器件及天线装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种可变电容器件及使用该可变电容器件的天线装置。
【背景技术】
[0002]例如，在手机FeliCa (Felicity Card)用的 NFC (Near Field Communicat1n:近距离无线通讯)模块中，因天线线圈的差异而引起13.56MHZ的谐振频率偏移从而导致接收灵敏度劣化之类的现象。因此，将包含电容器的频率调整电路组装入模块中，当出厂时检查所有的机器，对电容器的电容进行微调整，修正谐振频率的偏移。
[0003]以往，利用的是在固定的电容元件中串联地连接FET (Field Effect Transistor,场效应晶体管)开关而成的开关电容器。而且，预先利用出厂检查将切换设定写入至控制用IC(Integrated Circuit，集成电路)中，当使用NFC时，将FET切换，对电容器的电容进行微调整。
[0004]另一方面，近年正在研究对于比FET开关便宜且耐压优异的通用的陶瓷电容器的替换。陶瓷电容器材料具备伴随DC偏置电压的施加而电容减少的特性，且有意识地利用该特性。
[0005]但是，因陶瓷电容器的电容在施加偏置电压时出现经时变化之类的问题等，而研究采用将包含并非由烧结体而是由薄膜形成的电介质层的可变电容元件多个串联地连接而成的可变电容器件。
[0006]在形成如此的可变电容器件时，期待在同一基板上形成可变电容元件与电阻。其中，在可变电容元件的部分为确保耐湿性，而形成绝缘性耐湿膜及导电性密接膜，但可知因绝缘性耐湿膜与形成在该绝缘性耐湿膜之上的层间绝缘层的关系、及导电性密接膜的性质等，而产生机械可靠性的问题或泄漏电流的问题。
[0007][【背景技术】文献]
[0008][专利文献]
[0009][专利文献1]日本专利特开2011-119482号公报
[0010][专利文献2]日本专利特开2008-66682号公报
[0011][专利文献3]日本专利特开2002-377483号公报
【发明内容】
[0012][发明要解决的问题]
[0013]因此，本发明的目的是根据一形态，而解决在以薄膜形成串联地连接而成的可变电容元件时一同地形成的密接膜的相关问题。
[0014][解决问题的技术手段]
[0015]本发明的可变电容器件包含串联地连接而成的多个可变电容元件。而且，多个可变电容元件各自包含形成在支撑基板上的下部电极层、形成在下部电极层之上的电介质层、及形成在电介质层之上的上部电极层。而且，可变电容器件包含上部电极层形成后所形成的导电性密接膜及绝缘性耐湿膜。进而，导电性密接膜及绝缘性耐湿膜是在为了多个可变电容元件中的1个或多个可变电容元件而分离形成的下部电极层的每一区域中分离。
[0016]若采用具有如此构成的可变电容器件，则可防止在下部电极层的区域间所产生的泄漏电流。
[0017]而且，本发明的可变电容器件也可以更包含形成在绝缘性耐湿膜上的绝缘层。在该情况时，也可以在导电性密接膜及绝缘性耐湿膜中为了在下部电极层的每一区域进行分离而被去除的部分，使绝缘层与支撑基板相接。通过如此方式，绝缘层与支撑基板的密接性增加，机械可靠性提升。
[0018]另外，也可以将如此的可变电容器件用于天线装置。由此，获得更佳的天线装置。
[0019]对于以上所述的构成，利用以下的实施方式具体地进行说明，但并非限定于实施方式。
[0020][发明的效果]
[0021]根据一形态，可解决在以薄膜形成串联地连接而成的可变电容元件时一同地形成的耐湿膜的相关问题。
【附图说明】
[0022]图1是表示本发明的实施方式的可变电容器件的电路构成例的图。
[0023]图2是表示本实施方式的可变电容器件的基本构成的透视俯视图。
[0024]图3是表示产生漏电流的情况下的等效电路的图。
[0025]图4是本实施方式中的可变电容器件的第1剖视图。
[0026]图5是本实施方式中的可变电容器件的第2剖视图。
[0027]图6是用以说明实施方式的效果的图。
[0028]图7是表示天线装置的构成例的图。
【具体实施方式】
[0029]图1中表示本发明的实施方式的可变电容器件中所形成的电路的一例。在图1所示的可变电容器件中，自高频信号的输入端子(Signal (in))到高频信号的输出端子(Singal(out))之间，将可变电容元件群Cl至C4串联地连接。而且，可变电容元件群C1至C4的各自的一端经由电阻R1至R3连接于接地用的端子DC1，且另一端经由电阻R4及R5连接于控制电压施加用的端子DC2，且相应于施加至这些端子间的电压，可变电容元件群C1至C4各自的电容进行变化。
[0030]在图2中表示以薄膜形成如此的可变电容器件时的基本结构的透视俯视图。
[0031]在支撑基板上，分别形成有用于2个可变电容元件的下部电极层10及11。在下部电极层10之上，形成电介质层及上部电极层21与电介质层及上部电极层22，从而实现可变电容元件C4及C3。同样地，在下部电极层11之上，形成电介质层及上部电极层23与电介质层及上部电极层24，从而实现可变电容元件C2及C1。另外，相当于图1中的电阻R1至R5的电阻层15至19形成在以下讨论的导电性密接膜(图4中的3)及绝缘性耐湿膜(图4中的4)上。
[0032]在上部电极层21之上，形成有相当于配线层的导体层31，且在该导体层31之上，在层间绝缘层(图4中的72)的开口部形成有相当于配线层的导体层57，且该导体层57连接在相当于高频信号的输出端子的端子电极41。在上部电极层22及上部电极层23之上，形成有相当于配线层的导体层32。在上部电极层24之上，形成有相当于配线层的导体层33，且在该导体层33之上，在层间绝缘层(图4中的72)的开口部形成有相当于配线层的导体层58，且该导体层58连接于相当于高频信号的输入端子的端子电极44。
[0033]在电阻层15上，在层间绝缘层(图4中的5)的开口部形成有相当于配线层的导体层51及52，且电阻层15连接于导体层31与相当于配线层的导体层34。同样地，在电阻层16上，在层间绝缘层(图4中的5)的开口部形成有相当于配线层的导体层54及53，且电阻层16连接于导体层32及导体层34。在电阻层17上，在层间绝缘层(图4中的5)的开口部形成有相当于配线层的导体层56及55，且电阻层17连接于导体层33及34。在导体层34之上，在层间绝缘层(图4中的72)的开口部形成有相当于配线层的导体层59，且该导体层59连接于相当于与接地连接的端子DC1的端子电极42。
[0034]在下部电极层10上，在层间绝缘层(图4中的5)的开口部形成有相当于配线层的导体层66，且在该导体层66之上，形成有相当于配线层的导体层36。另一方面，在电阻层18上，在层间绝缘层(图4中的5)的开口部形成有相当于配线层的导体层60，且在导体层60上形成有导体层36。
[0035]同样地，在下部电极层11上，在层间绝缘层(图4中的5)的开口部形成有相当于配线层的导体层65，且在该导体层65之上，形成有相当于配线层的导体层37。另一方面，在电阻层19上，在层间绝缘层(图4中的5)的开口部形成有相当于配线层的导体层64，且在导体层64上形成有导体层37。
[0036]进而，在电阻层18之上，在层间绝缘层(图4中的5)的开口部也形成有相当于配线层的导体层61，且在该导体层61之上，形成有相当于配线层的导体层35。而且，在电阻层19之上，在层间绝缘层(图4中的5)的开口部也形成有相当于配线层的导体层63，且在导体层63上形成有导体层35。在该导体层35上，形成有相当于配线层的导体层62，且该导体层62连接于相当于控制电压施加用的端子DC2的端子电极43。
[0037]虽然在如此的基本结构中未能直接表现，但为了对于由下部电极层、电介质层及上部电极层形成的可变电容元件提升耐湿性，而将导电性密接膜(图4中的3)与绝缘性耐湿膜(图4中的4)在形成上部电极层21至24后形成于一面。此后，在导电性密接膜及绝缘性耐湿膜中，利用等离子刻蚀等将与形成在上部电极层上的导体层连接的部分去除。
[0038]若采用如此的构成，则因成为在导电性密接膜(图4中的3)及绝缘性耐湿膜(图4中的4)之后所形成的可变电容元件的保护层的层间绝缘层(图4中的5)与绝缘性耐湿膜的密接性较差，而产生机械可靠性下降之类的问题。而且，因绝缘性耐湿膜与用以提升可变电容元件及基板的密接强度的导电性密接膜所具有的导电性，而导致在下部电极层10与下部电极层11之间产生漏电流，从而产生Q值下降之类的现象。作为电路，如图3所示，成为被插入将电容器C2的输入端子侧的端子与电容器C3的输出端子侧的端子连结的电阻Rb的形式。
[0039]因此，在本实施方式中，如图2中示意性所示，通过将形成在下部电极层10与下部电极层11之间的导电性密接膜(图4中的3)及绝缘性耐湿膜(图4中的4)的一部分利用等离子刻蚀等去除，而形成狭缝71。狭缝71是预先将与下部电极层10相接的导电性密接膜的第1区域(左侧)及与下部电极层11相接的导电性密接膜的第2区域(右侧)分离，同时将导电性密接膜的第1区域上所形成的绝缘性耐湿膜的第1区域(左侧)、及导电性密接膜的第2区域上所形成的绝缘性耐湿膜的第2区域(右侧)分离。进而，对于电阻层16的部分，也以不产生漏电流的方式，狭缝71延伸，将导电性密接膜的第1区域及绝缘性耐湿膜的第1区域与导电性密接膜的第2区域及绝缘性耐湿膜的第2区域分离。就此狭缝71而言，若能将下部电极层10与下部电极层11电性分离，则可采用任意的狭缝形状。
[0040]由此，在