胶法或蒸发法制作第一氧化层，并与所述第二氧化层形成良好电接触，从而形成双存储介质层；
步骤S4:在所述第一氧化层的左侧或上方通过磁控溅射、PECVD、MOCVD、ALD、MBE、PLD或蒸发法制作第二端电极，并形成良好电接触，从而形成具有双介质层的阻变存储器。
[0019]在本实施例中，若所述步骤S2中，在所述第一端电极的左侧制作第二氧化层，则所述步骤S3中，在所述第二氧化层的左侧制作第一氧化层；若所述步骤S2中，在所述第一端电极的上方制作第二氧化层，则所述步骤S3中，在所述第二氧化层的上方制作第一氧化层；
在本实施例中，若所述步骤S3中，在所述第二氧化层的左侧制作第一氧化层，则所述步骤S4中，在所述第一氧化层的左侧制作第二端电极；若所述步骤S3中，在所述第二氧化层的上方制作第一氧化层，则所述步骤S4中，在所述第一氧化层的上方制作第二端电极。
[0020]在本实施例中，如图2所示，由于第一氧化层02和第二氧化层03的电子亲和势不一样，在它们的界面处将形成针对电子输运中必须克服的能量差，这在一定程度上抑制了电流的增加；同时由于第一氧化层02的吉布斯自由能比第二氧化层03的吉布斯自由能小，导致第二氧化层03中的氧离子容易跑到第一氧化层02中。一方面，导致较薄第二氧化层03中出现较多氧空位，使得电子可利用氧空位在第二氧化层03中实现轻松的输运。另一方面，较厚第一氧化层02中的氧空位急剧减少，第一氧化层02的电绝缘特性得到加强，电子在两电极间的输运必须克服两氧化层界面处的能量差，才可跃迀到第一氧化层02的导带中，从而实现电子的输运。因此，真正能够在两电极间输运的电子数量大为减少，这就抑制了电流的增加，从而获得微安级别的工作电流。
[0021]以下结合优选的实施例进行详细说明。
[0022]实施例1:
一种基于双存储介质层的低功耗阻变存储器，其结构如图1所示，由玻璃衬底05、厚度为200 nm的ΙΤ0作为第一端电极04、厚度为15nm的ZnO作为第二氧化层03、厚度为30nm的Hf(Ut为第一氧化层02和厚度为200nm的Ti作为第二端电极01构成。
[0023]基于该双存储介质层的阻变存储器的具体制作步骤如下:
将具有ΙΤ0导电薄膜的玻璃衬底放入真空室中，采用磁控溅射制备15nm的ZnO作为第二氧化层；随后采用磁控溅射制备30nm的为第一氧化层，从而形成双层存储介质；接着在Hf0x2上溅射200nm的Ti电极。最后，通过微电子加工工艺，加工出分离的阻变存储器，其电极面积约为40000平方微米。
[0024]图3是单层存储介质和上述双层存储介质阻变存储器的实测图。从图中，我们可以看出采用单层ZnO或者单层HfOx作为存储介质，其阻变存储器的工作电流为1mA以上。但若保留其它条件不变，而仅仅将单层存储介质换成符合上述条件的Hf0x/Zn0双存储介质层，阻变存储器的最大工作电流大大降低到2 μΑ，功耗也随之大幅降低。
[0025]实施例2:
一种基于双存储介质层的低功耗阻变存储器，其结构如图1所示，由PET衬底05、厚度为250 nm的ΙΤ0作为第一端电极04、厚度为5nm的ZnO作为第二氧化层03、厚度为20nm的Ge(Ut为第一氧化层02和厚度为200nm的Ti作为第二端电极01构成。
[0026]基于该双层存储介质的阻变存储器的具体制作步骤如下:
将具有ΙΤ0导电薄膜的PET衬底放入真空室中，采用磁控溅射制备5nm的ZnO作为第二氧化层；随后采用磁控溅射制备20nm的Ge(Ut为第一氧化层，从而形成双层存储介质；接着在Ge0x2上溅射200nm的Ti电极。最后，通过微电子加工工艺，加工出分离的阻变存储器，其电极面积约为10000平方微米。通过类似的测试手段，可以获得的微安级别的低工作电流。
[0027]以上是本发明的较佳实施例，凡依本发明技术方案所作的改变，所产生的功能作用未超出本发明技术方案的范围时，均属于本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种基于双存储介质层的低功耗阻变存储器，其特征在于:包括 一衬底； 一第一端电极，设置于所述衬底上，并与所述衬底形成良好电接触； 一双层阻变介质，设置于所述第一端电极的左侧或上方； 一第二端电极，若所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的左侧，则所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的左侧；若所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的上方； 其中，所述的双层阻变介质是由第一氧化层与第二氧化层组成的叠层结构；在第一氧化层与第二氧化层的层间，所述第一氧化层的吉布斯自由能低于所述第二氧化层的吉布斯自由能，所述第一氧化层的电子亲和势也低于所述第二氧化层的电子亲和势，所述第二氧化层的厚度< 15 nm且所述第一氧化层的厚度大于所述第二氧化层厚度至少2 nm。2.根据权利要求1所述的一种基于双存储介质层的低功耗阻变存储器，其特征在于:所述衬底为聚合物、金属、半导体或绝缘体；所述端电极为导电金属、金属合金、导电金属化合物或半导体；所述双层存储介质为半导体或绝缘体。3.根据权利要求2所述的一种基于双存储介质层的低功耗阻变存储器，其特征在于:所述聚合物包括塑料、橡胶、PET、PEN、PEEK、PC、PES、PAR、PCO、PMMA以及PI ;所述导电金属包括 Ta、Cu、Pt、T1、Au、W、N1、A1 以及 Ag ;所述金属合金包括 Pt/T1、Ti/Ta、Cu/T1、Cu/Au、Ti/ff以及Al/Zr ;所述导电金属化合物包括TiN、Tiff, TaN以及WSi ;所述半导体包括S1、ZrOx、Ge、ZnO、ITO、GZO、AZO、HfOx、GeOx以及 FTO ;所述绝缘体包括 MgO、ZrO x、HfOx、GeOxW及 Si0xO4.一种如权利要求1所述的基于双存储介质层的低功耗阻变存储器的制备方法，其特征在于:包括以下步骤: 步骤S1:在衬底上通过磁控溅射、PECVD、MOCVD、ALD、MBE、PLD或蒸发制作第一端电极； 步骤S2:在所述第一端电极的左侧或上方通过磁控溅射、PECVD、MOCVD、ALD、MBE、PLD、溶胶凝胶法或蒸发法制作第二氧化层，并与所述第一端电极形成良好电接触； 步骤S3:在所述第二氧化层的左侧或上方通过磁控溅射、PECVD、MOCVD、ALD、MBE、PLD、溶胶凝胶法或蒸发法制作第一氧化层，并与所述第二氧化层形成良好电接触，从而形成双存储介质层； 步骤S4:在所述第一氧化层的左侧或上方通过磁控溅射、PECVD、MOCVD、ALD、MBE、PLD或蒸发法制作第二端电极，并形成良好电接触，从而形成具有双介质层的阻变存储器。5.根据权利要求4所述的一种基于双存储介质层的低功耗阻变存储器的制备方法，其特征在于:若所述步骤S2中，在所述第一端电极的左侧制作第二氧化层，则所述步骤S3中，在所述第二氧化层的左侧制作第一氧化层；若所述步骤S2中，在所述第一端电极的上方制作第二氧化层，则所述步骤S3中，在所述第二氧化层的上方制作第一氧化层。6.根据权利要求4所述的一种基于双存储介质层的低功耗阻变存储器的制备方法，其特征在于:若所述步骤S3中，在所述第二氧化层的左侧制作第一氧化层，则所述步骤S4中，在所述第一氧化层的左侧制作第二端电极；若所述步骤S3中，在所述第二氧化层的上方制作第一氧化层，则所述步骤S4中，在所述第一氧化层的上方制作第二端电极。
【专利摘要】本发明涉及一种基于双存储介质层的低功耗阻变存储器及其制备方法，所述存储器包括一衬底；一第一端电极，设置于所述衬底上，并与所述衬底形成良好电接触；一双层阻变介质，设置于所述第一端电极的左侧或上方；一第二端电极，若所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的左侧，则所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的左侧；若所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的上方。本发明的存储器由两个端电极和夹于两电极间的双层存储介质组成，通过参数优选和合理设计，使得该存储器的工作电流为微安级别，这为阻变存储器低功耗运行提供了保证。
【IPC分类】H01L45/00, H01L27/24
【公开号】CN105390611
【申请号】CN201510665569
【发明人】赖云锋, 曾泽村, 程树英, 林培杰, 俞金玲, 周海芳, 郑巧
【申请人】福州大学
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年10月16日