述第一沟道-漏极结构位于所述第一源极上方并且基本平行于所述第二沟道-漏极结构，所述第一沟道-漏极结构包括第一沟道和位于所述第一沟道上方的第一漏极；还包括连接至所述第二源极的导电插塞。
[0095]根据本发明的又一些实施例，提供了一种制造串联晶体管结构的方法，包括:形成在衬底上方凸出的串联源极-沟道-漏极结构，所述串联源极-沟道-漏极结构包括位于所述衬底上方的第一源极、位于所述第一源极上方的第一沟道-漏极结构以及位于所述第一源极上方的第二沟道-漏极结构，并且所述第一沟道-漏极结构和所述第二沟道-漏极结构基本彼此平行，或者所述串联源极-沟道-漏极结构包括所述第一源极、位于所述衬底上方并横向邻近所述第一源极的第二源极、位于所述第一源极和所述第二源极之间的隔离部分、位于所述第一源极上方的所述第二沟道-漏极结构以及位于所述第二源极上方的第三沟道-漏极结构，并且所述第二沟道-漏极结构和所述第三沟道-漏极结构基本彼此平行；在所述第一源极上方或在所述第一源极和所述第二源极上方形成源极介电层；围绕所述第一沟道-漏极结构的沟道和所述第二沟道-漏极结构的沟道或围绕所述第二沟道-漏极结构的所述沟道和所述第三沟道-漏极结构的沟道形成栅极介电层；在所述源极介电层上方并且围绕所述栅极介电层形成栅极；以及在所述第一沟道-漏极结构的漏极上方和所述第二沟道-漏极结构的漏极上方分别形成第一漏极焊盘和第二漏极焊盘，并且所述第一漏极焊盘和所述第二漏极焊盘分别与所述第一沟道-漏极结构的所述漏极和所述第二沟道-漏极结构的所述漏极接触，或在所述第二沟道-漏极结构的所述漏极上方和所述第三沟道-漏极结构的漏极上方形成所述第二漏极焊盘，并且所述第二漏极焊盘与所述第二沟道-漏极结构的所述漏极和所述第三沟道-漏极结构的所述漏极接触。
[0096]在上述方法中，其中，形成在所述衬底上方凸出的所述串联源极-沟道-漏极结构包括:在所述衬底上方顺序地形成源极层、沟道层和漏极层；以及图案化所述漏极层、所述沟道层和所述源极层以形成在所述衬底上方凸出的所述串联源极-沟道-漏极结构。
[0097]在上述方法中，其中，形成在所述衬底上方凸出的所述串联源极-沟道-漏极结构包括:在所述衬底上方顺序地形成源极层、沟道层和漏极层；以及图案化所述漏极层、所述沟道层和所述源极层以形成在所述衬底上方凸出的所述串联源极-沟道-漏极结构；其中，形成在所述衬底上方凸出的所述串联源极-沟道-漏极结构，所述串联源极-沟道-漏极结构包括所述第一源极、位于所述衬底上方并且横向邻近所述第一源极的所述第二源极、位于所述第一源极和所述第二源极之间的所述隔离部分、位于所述第一源极上方的所述第二沟道-漏极结构和位于所述第二源极上方的所述第三沟道-漏极结构，并且所述第二沟道-漏极结构和所述第三沟道-漏极结构基本彼此平行，还包括:在所述衬底上方顺序地形成所述源极层、所述沟道层和所述漏极层之前，提供所述衬底，所述衬底具有位于所述衬底上方的所述隔离部分。
[0098]在上述方法中，其中，形成在所述衬底上方凸出的所述串联源极-沟道-漏极结构包括:在所述衬底上方顺序地形成源极层、沟道层和漏极层；以及图案化所述漏极层、所述沟道层和所述源极层以形成在所述衬底上方凸出的所述串联源极-沟道-漏极结构；其中，形成在所述衬底上方凸出的所述串联源极-沟道-漏极结构，所述串联源极-沟道-漏极结构包括所述第一源极、位于所述衬底上方并且横向邻近所述第一源极的所述第二源极、位于所述第一源极和所述第二源极之间的所述隔离部分、位于所述第一源极上方的所述第二沟道-漏极结构和位于所述第二源极上方的所述第三沟道-漏极结构，并且所述第二沟道-漏极结构和所述第三沟道-漏极结构基本彼此平行，还包括:在所述衬底上方顺序地形成所述源极层、所述沟道层和所述漏极层之前，提供所述衬底，所述衬底具有位于所述衬底上方的所述隔离部分；还包括:在形成所述第二漏极焊盘之前，形成覆盖所述栅极的层间电介质，所述第二漏极焊盘位于所述第二沟道-漏极结构的所述漏极上方和所述第三沟道-漏极结构的所述漏极上方并与所述第二沟道-漏极结构的所述漏极和所述第三沟道-漏极结构的所述漏极接触；以及在所述层间电介质中形成两个导电插塞，并且所述两个导电插塞分别连接至所述第一源极和所述第二源极。
[0099]在上述方法中，其中，形成在所述衬底上方凸出的所述串联源极-沟道-漏极结构包括:在所述衬底上方顺序地形成源极层、沟道层和漏极层；以及图案化所述漏极层、所述沟道层和所述源极层以形成在所述衬底上方凸出的所述串联源极-沟道-漏极结构；其中，形成在所述衬底上方凸出的所述串联源极-沟道-漏极结构，所述串联源极-沟道-漏极结构包括所述第一源极、位于所述衬底上方并且横向邻近所述第一源极的所述第二源极、位于所述第一源极和所述第二源极之间的所述隔离部分、位于所述第一源极上方的所述第二沟道-漏极结构和位于所述第二源极上方的所述第三沟道-漏极结构，并且所述第二沟道-漏极结构和所述第三沟道-漏极结构基本彼此平行，还包括:在所述衬底上方顺序地形成所述源极层、所述沟道层和所述漏极层之前，提供所述衬底，所述衬底具有位于所述衬底上方的所述隔离部分；其中，图案化所述漏极层、所述沟道层和所述源极层还包括:在所述第一源极上方形成所述第一沟道-漏极结构，并且所述第一沟道-漏极结构基本平行于所述第二沟道-漏极结构。
【主权项】
1.一种串联晶体管结构，包括: 第一源极，位于衬底上方； 第一沟道-漏极结构，位于所述第一源极上方，所述第一沟道-漏极结构包括第一沟道和位于所述第一沟道上方的第一漏极； 第二沟道-漏极结构，位于所述第一源极上方并且基本平行于所述第一沟道-漏极结构，所述第二沟道-漏极结构包括第二沟道和位于所述第二沟道上方的第二漏极； 栅极介电层，围绕所述第一沟道和所述第二沟道； 栅极，围绕所述栅极介电层； 第一漏极焊盘，位于所述第一漏极上方并与所述第一漏极接触；以及第二漏极焊盘，位于所述第二漏极上方并与所述第二漏极接触，其中，所述第一漏极焊盘和所述第二漏极焊盘彼此分离。2.根据权利要求1所述的串联晶体管结构，其中，所述串联晶体管结构位于I/O器件中。3.根据权利要求1所述的串联晶体管结构，还包括位于所述第一源极和所述栅极之间的源极介电层。4.根据权利要求3所述的串联晶体管结构，还包括:高k介电层，所述高k介电层位于所述栅极介电层和所述栅极之间并且位于所述源极介电层和所述栅极之间。5.根据权利要求1所述的串联晶体管结构，还包括位于所述第一源极中的源极硅化物区。6.一种串联晶体管结构，包括: 第一源极，位于衬底上方； 第二源极，位于所述衬底上方并且横向邻近所述第一源极； 隔离部分，位于所述第一源极和所述第二源极之间以将所述第一源极与所述第二源极电隔离； 第二沟道-漏极结构，位于所述第一源极上方，所述第二沟道-漏极结构包括第二沟道和位于所述第二沟道上方的第二漏极； 第三沟道-漏极结构，位于所述第二源极上方并且基本平行于所述第二沟道-漏极结构，所述第三沟道-漏极结构包括第三沟道和位于所述第三沟道上方的第三漏极； 栅极介电层，围绕所述第二沟道和所述第三沟道； 栅极，围绕所述栅极介电层；以及 第二漏极焊盘，位于所述第二漏极和所述第三漏极上方并与所述第二漏极和所述第三漏极接触。7.根据权利要求6所述的串联晶体管结构，还包括分别连接至所述第一源极和所述第二源极的两个导电插塞。8.根据权利要求6所述的串联晶体管结构，其中，所述串联晶体管结构位于I/O器件中。9.根据权利要求6所述的串联晶体管结构，还包括源极介电层，所述源极介电层位于所述第一源极和所述栅极之间并且位于所述第二源极和所述栅极之间。10.一种制造串联晶体管结构的方法，包括: 形成在衬底上方凸出的串联源极-沟道-漏极结构，所述串联源极-沟道-漏极结构包括位于所述衬底上方的第一源极、位于所述第一源极上方的第一沟道-漏极结构以及位于所述第一源极上方的第二沟道-漏极结构，并且所述第一沟道-漏极结构和所述第二沟道-漏极结构基本彼此平行，或者所述串联源极-沟道-漏极结构包括所述第一源极、位于所述衬底上方并横向邻近所述第一源极的第二源极、位于所述第一源极和所述第二源极之间的隔离部分、位于所述第一源极上方的所述第二沟道-漏极结构以及位于所述第二源极上方的第三沟道-漏极结构，并且所述第二沟道-漏极结构和所述第三沟道-漏极结构基本彼此平行； 在所述第一源极上方或在所述第一源极和所述第二源极上方形成源极介电层； 围绕所述第一沟道-漏极结构的沟道和所述第二沟道-漏极结构的沟道或围绕所述第二沟道-漏极结构的所述沟道和所述第三沟道-漏极结构的沟道形成栅极介电层； 在所述源极介电层上方并且围绕所述栅极介电层形成栅极；以及在所述第一沟道-漏极结构的漏极上方和所述第二沟道-漏极结构的漏极上方分别形成第一漏极焊盘和第二漏极焊盘，并且所述第一漏极焊盘和所述第二漏极焊盘分别与所述第一沟道-漏极结构的所述漏极和所述第二沟道-漏极结构的所述漏极接触，或在所述第二沟道-漏极结构的所述漏极上方和所述第三沟道-漏极结构的漏极上方形成所述第二漏极焊盘，并且所述第二漏极焊盘与所述第二沟道-漏极结构的所述漏极和所述第三沟道-漏极结构的所述漏极接触。
【专利摘要】本发明提供一种串联晶体管结构，包括：第一源极、第一沟道-漏极结构、第二沟道-漏极结构、栅极介电层、栅极、第一漏极焊盘和第二漏极焊盘。第一源极位于衬底上方。第一沟道-漏极结构位于第一源极上方并且包括第一源极上方的第一沟道和第一漏极。第二沟道-漏极结构位于第一源极上方，并且基本平行于第一沟道-漏极结构，并且包括第一源极上方的第二沟道和第二漏极。栅极介电层围绕第一沟道和第二沟道。栅极围绕栅极介电层。第一漏极焊盘位于第一漏极上方并与第一漏极接触。第二漏极焊盘位于第二漏极上方并与第二漏极接触，其中，第一漏极焊盘和第二漏极焊盘彼此分离。本发明还涉及串联晶体管结构及其制造方法。
【IPC分类】H01L21/8234, H01L27/088, H01L29/78, H01L21/336
【公开号】CN105428315
【申请号】CN201510349959
【发明人】王景祺, 李建志, 江典蔚, 蔡庆威, 王志庆, 何炯煦, 谢文兴
【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2015年6月23日
【公告号】DE102014117059A1, US9373620, US20160079239