口端口 608。在一些实施方式中，入口端口 606的宽度与出口端口 608的宽度实质上类似于圆柱形的处理容积604的直径，以确保从入口端口至出口端口 608的均匀气体流动。在一些实施方式中，入口端口 606可为基板通道，用于将基板转移(例如装载与卸载)进与出处理容积604。
[0052]基板处理装置600进一步包括选择性的注入匣体502，注入匣体502耦接于气体注入装置103，如以上所述并且如图6的虚线所表示。注入匣体502类似地耦接于入口端口606，使得与气体注入装置103之间实现气密的(或实质上气密的)密封。注入匣体502被配置以提供分别来自第一与第二喷嘴224、232的气流，所述气流通过入口端口 606和处理容积604而到达出口端口 608。凹口 610形成于腔室主体602上、在入口端口 606上方，且长形通孔612穿过凹口 610的底部而形成并且通向入口端口 606。注入匣体502被配置以提供处理气体通过长形通孔612而到达入口端口 606和处理容积604。
[0053]在未使用注入匣体502的实施方式中，气体注入装置103的底部320与凹口 610被配置成以气密的(或实质上气密的)方式协同地耦接。长形通孔612被配置以接收的尺寸与形状经设计以接收第一与第二导管218、226以及第一喷嘴224与第二喷嘴232于其中。第一与第二喷嘴224、232可至少部分延伸通过长形通孔612。
[0054]在处理期间，第一与第二气体分别通过第一与第二喷嘴224、232而被分开地供给，第一与第二气体填充长形通道510且离开注入匣体502至腔室主体602的入口端口606。通过排气组件614的作用，可促进混合气体流动通过处理容积604。
[0055]发明人已经发现，利用本发明的气体注入装置103获得了每一气体种类的增强的独立流动控制。第一喷嘴224可控制来自顶部气室104的第一气体的流动，且第二喷嘴232控制来自底部气室105的第二气体的流动。第一与第二导管218、226将相对冷的处理气体维持成彼此分开，直到这些处理气体在远离辐射能量源108的入口端口 606中混合。已经观察到这合乎需要地将燃烧处理移动至处理容积604。发明人已经注意到，在入口端口 606中混合这些处理气体减少或消除过早的燃烧与逆燃，从而保护气体注入装置103免于损伤。
[0056]排气组件614可在出口端口 608附近耦接于腔室主体602。排气组件614具有开口 616，开口 616实质上相似于出口端口 608，以促进混合的处理气体均匀流动通过处理容积 604。
[0057]基板处理装置600可进一步包括一或更多个侧部注入装置618，侧部注入装置618耦接于穿过腔室主体602进入处理容积604中而形成的侧部端口 620或622。侧部端口形成于入口端口 606与出口端口 608之间，且侧部端口被配置以允许气流到达处理容积604，所述气流相对于从气体注入装置流动至排气装置的气体的气流方向成一角度，比如所述气流实质上垂直于从气体注入装置流动至排气装置的气体的气流方向。侧部气体有利于改良处理容积604的边缘区域附近的气体分布均匀性。
[0058]因此，本文已经提供改良的装置与方法，用于处理气体的分配。本发明的方法与装置的实施方式可有利地提供用于基板处理的改良的气体混合与分布，例如在快速热处理中。
[0059]虽然前述内容针对本发明的实施方式，但在不背离本发明的基本范围的情况下，可设计出本发明的其他与进一步的实施方式。
【主权项】
1.一种气体注入装置，包括: 长形顶部气室，所述顶部气室包括第一气体入口 ； 长形底部气室，所述底部气室设置于所述顶部气室之下并且支撑所述顶部气室，所述底部气室包括第二气体入口； 多个第一导管，所述多个第一导管设置通过所述底部气室，且所述多个第一导管具有流体地耦接于所述顶部气室的第一端和设置于所述底部气室之下的第二端；及 多个第二导管，所述多个第二导管具有流体地耦接于所述底部气室的第一端和设置于所述底部气室之下的第二端； 其中所述底部气室的下端适用于将所述气体注入装置流体地耦接于混合腔室，使得所述多个第一导管的第二端和所述多个第二导管的第二端流体连通于所述混合腔室。2.如权利要求1所述的气体注入装置，其中所述多个第一导管的第二端与所述多个第二导管的第二端被设置于所述底部气室的下端之下。3.如权利要求1所述的气体注入装置，其中所述第一导管与所述第二导管在所述底部气室的所述下端处以交替形式排列。4.如权利要求1所述的气体注入装置，其中所述第一导管或所述第二导管的至少之一的第二端包括喷嘴。5.如权利要求1至4的任一项所述的气体注入装置，其中所述顶部气室或所述底部气室的至少之一包括涡流发生器。6.如权利要求5所述的气体注入装置，其中所述涡流发生器包括压缩的容积区域和气体入口，所述压缩的容积区域在所述气室中并且流体连通于所述气室的内部容积，所述气体入口进入所述压缩的容积区域。7.如权利要求1至4的任一项所述的气体注入装置，其中下述至少之一成立: 第一气源流体地耦接于所述顶部气室的第一端并且流体地耦接于所述顶部气室的第二端；或 第二气源流体地耦接于所述底部气室的第一端并且流体地耦接于所述底部气室的第_-上山8.如权利要求1至4的任一项所述的气体注入装置，进一步包括: 匣体，所述匣体包括长形主体和通过所述主体而形成的通道，其中所述底部气室的下端耦接于所述匣体，使得所述多个第一导管的第二端和所述多个第二导管的第二端流体连通于所述通道。9.一种气体注入装置，包括: 长形顶部气室，所述顶部气室具有涡流发生器和一对相对的第一气体入口，其中所述涡流发生器包括所述顶部气室的上部中的压缩的容积区域，且其中所述相对的第一气体入口设置于所述顶部气室的相对侧部的上部中、在所述压缩的容积区域内； 长形底部气室，所述底部气室设置于所述顶部气室之下并且支撑所述顶部气室，所述长形底部气室具有涡流发生器和一对相对的第二气体入口，其中所述涡流发生器包括所述底部气室的上部中的压缩的容积区域，且其中所述相对的第二气体入口设置于所述底部气室的相对侧部的上部中、在所述压缩的容积区域内； 多个第一导管，所述多个第一导管设置通过所述底部气室，且所述多个第一导管具有流体地耦接于所述顶部气室的第一端和设置于所述底部气室之下的第二端；及 多个第二导管，所述多个第二导管具有流体地耦接于所述底部气室的第一端和设置于所述底部气室之下的第二端。10.一种基板处理装置，包括: 腔室主体，所述腔室主体具有内部容积与基板通道，所述基板通道用以促进将基板转移进与出所述内部容积，其中如权利要求1至9的任一项所述的气体注入装置与所述基板通道相邻而耦接于所述腔室主体，使得所述气体注入装置的所述混合腔室是所述基板通道。11.如权利要求10所述的基板处理装置，其中所述腔室主体进一步包括基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述内部容积中，且其中下述至少之一成立: 所述气体注入装置与所述腔室主体的排气组件促进气体流过所述基板支撑件的基板支撑表面；或 所述气体注入装置具有近似于所述基板支撑件的直径的宽度。12.如权利要求10至11的任一项所述的基板处理装置，其中所述第一导管与所述第二导管被配置以分别供给第一气体与第二气体至所述内部容积。13.如权利要求10至11的任一项所述的基板处理装置，进一步包括侧部注入组件，所述侧部注入组件耦接于通过所述腔室主体而形成的侧部端口。14.如权利要求10至11的任一项所述的基板处理装置，进一步包括: 第一气源，所述第一气源耦接于所述第一气体入口 ；及 第二气源，所述第二气源耦接于所述第二气体入口。15.如权利要求14所述的基板处理装置，其中所述基板处理装置是快速热处理装置，且其中所述第一气源提供氧气(02)或氢气(?)的一种，且其中所述第二气源提供所述氧气(02)或所述氢气(?)的另一种。
【专利摘要】本文提供用于混合及传送处理气体的装置与方法。在一些实施方式中，一种气体注入装置包括：长形顶部气室，顶部气室包括第一气体入口；长形底部气室，底部气室设置于顶部气室之下并且支撑顶部气室，底部气室包括第二气体入口；多个第一导管，多个第一导管设置通过底部气室，且多个第一导管具有流体地耦接于顶部气室的第一端和设置于底部气室之下的第二端；以及多个第二导管，多个第二导管具有流体地耦接于底部气室的第一端和设置于底部气室之下的第二端；其中底部气室的下端适用于将气体注入装置流体地耦接于混合腔室，使得多个第一导管的第二端与多个第二导管的第二端流体连通于混合腔室。
【IPC分类】H01L21/324
【公开号】CN105431928
【申请号】CN201480005224
【发明人】阿古斯·索菲安·查德拉, 卡利安吉特·戈什, 克里斯托弗·S·奥尔森, 乌梅什·M·科卡尔
【申请人】应用材料公司
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2014年1月14日
【公告号】US9123758, US20140216585, WO2014123667A1