上方。指状结构161、162，通过定位在横向半导体器件140的与有源面积区域142,143的侧面相邻的无源面积区域中的总线163，而彼此电耦合。上金属化层160的指状结构161、162布置为与基底中间金属化层150的指状结构152、154基本垂直，并且总线163布置为与基底中间金属化层150的总线153基本垂直。
[0075]相似地，上金属化层160的指状结构164布置在中间金属化层150的电耦合至在两个有源面积区域142、143中的漏极的漏极总线155上方，并且与总线155基本平行。指状结构164耦合至总线165，该总线165布置为与有源面积区域142、143的侧面相邻，该总线165与耦合源极电极的总线163相对。可以将耦合至源极的指状结构161、162视为与耦合至漏极的指状结构164交错。
[0076]图11图示了沿着图10的线D-D的穿过漏极指状结构164和漏极总线165的截面图，并且图示了中间金属化层150的漏极总线165通过沿着总线165的长度间隔定位并且延伸穿过第二介电层159的多个导电过孔166，而电耦合至上金属化层160的漏极指状结构164。
[0077]图12图示了沿着图10的线E-E的穿过源极指状结构162和源极总线153的截面图。多个导电过孔167沿着源极总线153的长度间隔定位并且延伸穿过第二介电层159，以将中间金属化层150的源极总线153电耦合至上金属化层160的源极指状结构161、162。
[0078]第二介电层159可以具有大得足以减小寄生电容的厚度。介电层159的厚度可以是至少20 μπι。在一些实施例中，介电层159可以通过预制的板诸如电路板或者包括部分固化的B-级环氧树脂的所谓预浸材来提供。
[0079]在横向晶体管器件140包括三个或者更多个有源面积区域的实施例中，栅极槽道158可以在中间金属化层150的耦合至邻近有源面积区域的部分之间延伸。图13图示了沿着图10的线F-F的穿过下金属化结构147的栅极条146的截面图。
[0080]中间金属化层150的电耦合至在两个相邻有源面积区域中的源极的源极总线153’的形状，可以偏离基本矩形的形式。在图10中图示的实施例中，源极总线153’具有曲折形式，从而使得源极总线153’的更宽部分通过窄部分而彼此分开。在中间金属化层150的该源极总线153’与上金属化层的指状结构162之间的导电过孔167可以布置在更宽部分中。
[0081]在这些实施例中，栅极槽道158定位在具有曲折形式的两个源极总线153’、153”之间，并且也具有曲折结构。下金属化层147的耦合至在有源面积区域143中的栅极的导电层的长度可以变化，以补偿栅极槽道148的曲折结构。因此上金属化层160的指状结构162电耦合至源极总线153’、153”以及定位在相邻有源面积区域中的源极两者。
[0082]这种布置可以用于减小在邻近有源面积区域的总线之间的距离，以便增加在横向晶体管器件140内的有源面积区域142、143的封装密度。
[0083]空间相对术语诸如“之下”、“下方”、“下”、“之上”、“上方”、“上”等用于方便说明，
以阐释一个元件相对于第二元件的定位。这些术语旨在囊括除了与在附图中描绘的取向之外的器件的不同取向。
[0084]进一步地，术语诸如“第一”、“第二”等也用于描述各种元件、区域、部分等，并且不旨在进行限制。贯穿本说明，类似的术语指类似的元件。
[0085]如此处所使用的，术语“具有”、“含有”、“包含”、“包括”等是开放性术语，表示存在所提及的元件或者特征，但是不排除另外的元件或者特征。“一”、“一个”和“该”旨在包括复数以及单数，除非上下文另有明确表示。
[0086]要理解，此处描述的各个实施例的特征可以彼此组合，除非另有明确规定。
[0087]虽然此处已经图示并且描述了具体实施例，但是本领域技术人员应了解，在不脱离本发明的范围的情况下，可以用多种替代和/或等同实的施方式来替代所示出和描述的实施例。本申请旨在涵盖此处论述的具体实施例的任何更改或者变型。因此，本发明旨在仅仅受权利要求书及其等同物的限制。
【主权项】
1.一种半导体器件，包括横向晶体管器件，所述横向晶体管器件包括上金属化层，所述上金属化层包括η个细长焊盘区域，所述细长焊盘区域中的相邻细长焊盘区域耦合至所述横向晶体管器件的不同电流电极，所述η个细长焊盘区域定界出了所述横向晶体管的η-1个有源区域，其中η彡3。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述横向晶体管器件包括LDMOS或者HEMT器件。3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述半导体器件包括基于III族氮化物的横向晶体管。4.根据权利要求1至3中的一项所述的半导体器件，其中所述η个细长焊盘区域彼此实质上平行地延伸。5.根据权利要求1至4中的一项所述的半导体器件，其中每个有源面积区域包括多个第一电流电极和多个第二电流电极和多个控制电极。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一细长焊盘区域耦合至在两个相邻所述有源面积区域中的所述第一电流电极。7.根据权利要求5或6所述的半导体器件，其中所述第二细长焊盘区域耦合至在两个相邻所述有源面积区域中的所述第二电流电极。8.根据权利要求5至7中的一项所述的半导体器件，其中所述第一电流电极、所述第二电流电极和所述控制电极与在所述上金属化层的所述焊盘中的所述第一细长焊盘区域、所述第二细长焊盘区域和所述第三细长焊盘区域基本垂直地延伸。9.根据权利要求1至8中的一项所述的半导体器件，其中所述上金属化层包括耦合至源极的第一细长焊盘区域、耦合至漏极的第二细长焊盘区域和耦合至源极的第三细长焊盘区域，所述第二细长焊盘区域布置在所述第一细长焊盘区域与所述第三细长焊盘区域之间，所述第一细长焊盘区域和所述第二细长焊盘区域定界出了所述横向晶体管器件的第一有源区域，并且所述第二细长焊盘区域和所述第三细长焊盘区域定界出了所述横向晶体管器件的第二有源区域。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述上金属化层的所述第一细长焊盘区域和所述第三细长焊盘区域由在所述第一细长焊盘区域与所述第三细长焊盘区域之间延伸的一个或者多个键合接线电耦合。11.根据权利要求1至10中的一项所述的半导体器件，进一步包括中间金属化层，所述中间金属化层包括三个或者更多个细长槽道，其中相邻所述槽道耦合至所述横向晶体管的不同电流电极，其中每个槽道包括与所述槽道的长度基本垂直地延伸的多个指状结构，相邻所述槽道的所述指状结构互锁并且彼此电隔离。12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述中间金属化层的所述槽道布置在所述上金属化层的细长焊盘区域之下。13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中所述槽道通过至少一个导电过孔而电耦合至所述细长焊盘区域。14.根据权利要求11至13中的一项所述的半导体器件，进一步包括下金属化层，所述下金属化层包括多个细长焊盘区域，在所述中间金属化层的每个指状结构之下都布置有细长焊盘区域。15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中所述下金属化层的所述细长焊盘区域通过至少一个导电过孔而电耦合至所述中间金属化层的所述指状结构。16.根据权利要求15所述的半导体器件，进一步包括布置在所述下金属化层与所述中间金属化层之间的第一介电层。17.根据权利要求11至16中的一项所述的半导体器件，其进一步包括布置在所述中间金属化层与所述上金属化层之间的第二介电层。18.根据权利要求17所述的半导体器件，其中所述上金属化层通过所述第二介电层而与所述中间金属化层相隔至少20 μπι的距离。19.根据权利要求11至18中的一项所述的半导体器件，其中所述下金属化层的耦合至所述控制电极的所述细长焊盘区域在所述中间金属化层的耦合至接地电位的所述槽道之下延伸。20.根据权利要求11至19中的一项所述的半导体器件，其中所述上金属化层的耦合至接地电位的所述细长焊盘区域在所述中间金属化层的耦合至所述控制电极的所述细长焊盘区域上方延伸。
【专利摘要】本发明的各个实施例涉及电子部件。在一个实施例中，半导体器件包括横向晶体管器件，该横向晶体管器件包括上金属化层。上金属化层包括n个细长焊盘区域。n个细长焊盘区域中的相邻细长焊盘区域耦合至横向晶体管器件的不同电流电极。n个细长焊盘区域定界出了横向晶体管的n-1个有源区域，n≥3。
【IPC分类】H01L23/488
【公开号】CN105448875
【申请号】CN201510595864
【发明人】O·黑伯伦, R·奥特雷姆巴, G·普雷科托, K·希斯
【申请人】英飞凌科技奥地利有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2015年9月17日
【公告号】DE102014113465A1, US20160086897