车昆的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra计为0.05μηι以下，采用动力粘度为7mm 2/s以下的乳制 油，使乳制时的张力为200MPa~600MPa来进行精乳制。
[0030] (9)-种光半导体装置用引线框的制造方法，其是制造(4)至(7)中的任一项所述 的光半导体装置用引线框的方法，所述制造方法的特征在于，至少通过电镀法形成所述反 射层。
[0031] (10)-种光半导体装置，其特征在于，所述光半导体装置是使用（1)至(3)中的任 一项所述的用于光半导体装置用引线框的基体而在光半导体元件搭载部上形成光的反射 层之后，搭载光半导体元件而构成的。
[0032] (11)-种光半导体装置，其特征在于，所述光半导体装置是在(4)至(7)中的任一 项所述的光半导体装置用引线框上搭载光半导体元件而构成的。
[0033]发明效果
[0034] 根据本发明，通过在乳制平行方向和乳制垂直方向上将基体表面的光泽度调整成 规定的关系，从而即使将设置在基体上的由银或银合金构成的反射层的厚度减薄，也能够 得到显著地减小在基体表面产生的乳制筋的影响而具有从近紫外光区域到可视光区域(波 长340nm~800nm)的反射率显著高的光反射特性的用于光半导体装置用引线框的基体。
[0035] 此外，在引线框上形成凹部而形成高输出型的光半导体装置时，即使例如通过胀 形加工而形成凹部，也由于乳制平行方向与垂直方向上的凹凸差形成得较小，因此能够提 供在胀形加工中特别是沿乳制垂直方向不容易发生龟裂的光半导体装置用引线框基体。
[0036] 根据本发明的用于光半导体装置用引线框的基体，通过在乳制平行方向和乳制垂 直方向上将基体表面的光泽度调整成规定的关系，从而即使将设置在基体上的引线框表面 的由银或银合金构成的反射层的厚度减薄，也能够得到显著地减小在基体表面产生的乳制 筋的影响而具有从近紫外光区域到可视光区域(波长340~800nm)的反射率显著高的光反 射特性的光半导体装置用引线框。
[0037] 适当地参照附图并根据下述的记载可知本发明的上述及其它特征和优点。
【附图说明】
[0038] 图1是本发明的用于光半导体装置用引线框的基体的外观图。
[0039]图2是本发明的用于光半导体装置用引线框的基体表面上的观察倍率500倍的SEM 观察图像的一个示例。
[0040] 图3是采用本发明的用于光半导体装置用引线框的基体的光半导体装置用引线框 的一个示例的概略剖视图。
[0041] 图4是采用本发明的用于光半导体装置用引线框的基体的光半导体装置用引线框 的另一示例的概略剖视图。
[0042] 图5是采用本发明的用于光半导体装置用引线框的基体的光半导体装置用引线框 的又一示例的概略剖视图。
【具体实施方式】
[0043] 在本发明中，在通过乳制加工而形成的用于光半导体装置用引线框的基体1的表 面上，如图1所示地，以入射角60°测定的光泽度在相对于乳制方向的平行方向和垂直方向 上分别为500%以上，并且，优选的是550%以上，并且，该平行方向的光泽度和垂直方向的 光泽度之比是0.8~1.2,优选的是该比是0.9~1.1。这里，所述光泽度是指如JIS Z 8741 (IS0 2813)规定地以入射角60°入射可视光时的镜面反射率为10%、折射率1.567的玻璃面 为光泽度100、比较该基准面和镜面反射率而求得的相对值。此外，实际的光泽度是三次测 定的平均值。通过使基体的平行方向的光泽度与垂直方向的光泽度之比在该范围内，从而 能够针对设置在该基体上的引线框的反射层将平行方向的光泽度与垂直方向的光泽度之 差控制得较小，能够将由此得到的光半导体装置的反射率从近紫外光区域显著地提高到可 视光区域。
[0044] 并且，在本发明中，优选的是，在所述基体的表面上形成的油坑的个数在100μπιΧ 100μπι的面积中是50个以内。
[0045]另外，这里所说的油坑是指由于在冷乳制时被导入到乳制辊与材料之间的润滑油 而出现在基体的板或棒料表面的局部的凹部。可根据乳制辊的直径、粗糙度等条件、乳制时 的加工率、乳制速度等加工条件、润滑用油的温度、粘度等条件、板或棒料的机械强度、结晶 粒的大小等条件等而改变该凹部的产生。
[0046]图2是以观察倍率500倍对本发明的基体的表面进行拍摄的SEM照片。如该图所示 那样形成的凹部是油坑。其个数优选的是，在100μπι X 100μπι的面积中是50个以内。在图2中， 左边的照片是在100μL?Χ100μπι的面积中具有超过50个的油坑的以往的基体的一个示例的 照片，中央是具有10~30个的本发明的基体的一个示例的照片，并且，右边是具有10个以下 的本发明的基体的一个示例的照片。
[0047]本发明的基体的表面性状较大地影响形成于光半导体装置的模塑树脂与基体的 紧贴性并如下地起作用。首先，在冷乳制工序中，表面性状变成存在局部的凹部(油坑)的形 态。在对这样的材料根据常法按例如3μπι以下的厚度通过电镀形成基底层进而光反射层的 情况下，即使它们中的任一个或两者是光亮电镀，也可形成反映出该油坑的形状的凹凸。利 用由该形成的油坑形态的凹凸产生的锚固效果可提高与形成光半导体装置时的密封树脂 的紧贴性。可通过在例如观察倍率500倍下的SHM观察并通过数算油坑的数量来评价该油坑 形成的程度。为了提高所述紧贴性，优选的是，宽度5μπι以上且深度ΙΟμπι以下的大小的油坑 的数量在lOOOOwn 2中是50个以下，更优选的是，该数量在15个以下。
[0048]此外，通过在本发明的用于光半导体装置用引线框的基体（1)的表面设置由厚度 优选为3μπι以下的银或银合金的覆膜构成的反射层(2)，从而能够得到光半导体装置用引线 框。图3是该概略剖视图的一个示例。所述反射层的厚度更优选的是2μπι以下，特别优选的是 lMi以下。通常，反射层的厚度越厚越能够使得到的光反射特性优异。关于该方面，在本发明 中，作为基体表面的状态而着眼于光泽度，通过将乳制平行方向和乳制垂直方向的光泽度 调整成规定的关系，从而即使减薄反射层的厚度也能够达成优异的光反射特性。作为表示 优异的反射率的最小厚度，通常是〇. Ιμπι以上，优选的是0.2μπι以上。
[0049] 另外，作为反射层的形成方法，可以是电镀法、溅射法、蒸镀法等，考虑生产性，优 选的是电镀法，特别优选的是湿式电镀法，更加优选的是电解电镀法。
[0050] 并且，在本发明的在所述基体上形成有反射层的光半导体装置用引线框中，优选 的是，通过原子间力显微镜对反射层表面的测定，表面粗糙度Sa在3nm以上且50nm以下，更 优选的是3nm以上且10nm以下。通过使借助于原子间力显微镜对反射层的表面测定的所述 表面粗糙度Sa为该范围内，从而能够成为从近紫外光区域到可视光区域（波长340nm~ 800nm)的光的反射率极优异、并且还能够无逊色地确保与密封树脂及模塑树脂的紧贴性的 适于光半导体装置用的反射层。
[0051]本发明的具有反射层的表面的表面粗糙度是指在原子间力显微镜(Atomic Force Micr〇SC〇pe:AFM)的观察视野得到的表面粗糙度。刚电镀完的枝晶状的析出的频率等以该 表面粗糙度的数值来表现，本发明人发现表面的几十nm左右的凹凸是使反射率降低的原 因。为了测定该表面粗糙度，采用AFM并在几μπι至几十μπι的视野内测定是适当的，根据实验 结果，6.16μηιΧ 6.16μηι的视野下的测定最佳地表现该表面粗糙度，与反射率相关联。另外， 为了减小引线框的大的表面损伤、乳制筋的影响，在引线框的未形成油坑的任意的5点进行 测定，并以其平均值作为表面粗糙度。
[0052]通过将该表面粗糙度在所述范围内尽量控制成较小，从而能够得到相对于波长 340nm~400nm的近紫外光区域和400nm附近~800nm附近的可视光区域这双方的光反射率 优异且具有高密封树脂紧贴性的半导体装置用引线框。
[0053]具有反射层的表面的粗糙度Sa优选的是50nm以下，更优选的是30nm以下，特别优 选的是l〇nm以下，最优选的是5nm以下，从而LED用部件材料的反射率提高。这里，关于本发 明的优选的反射率，在例如反射层由银形成的情况下，在可视光区域(例如400~800nm)中 的全反射率在90%以上，特别优选的是波长为450nm时全反射率在90%以上、