采用得到的基体并经电解脱脂-酸洗-银冲击镀的前处理工序后，按表1中记 载的各种厚度通过表中记载的各镀浴形成了反射层。
[0079] 接着，对形成有反射层的引线框测定并评价了初期的全反射率。在分光光度计(U-4100(商品名、（株）日立尚科技制））中，对以硫酸锁试验片为基准物质时的全反射率在 300nm~800nm的范围实施了连续测定。其中，表1中示出了作为紫外光区域至近紫外光区域 的375nm的全反射率（％ )、以及作为可视光区域的450nm和600nm的全反射率（％ )。分别要求 特性为：波长375nm时的反射率为80%以上；波长450nm时的反射率为90%以上；以及波长 600nm时的反射率为95 %以上。
[0080] 另外，根据连续测定的结果确认了在各波长间全反射率不会骤降。
[0081 ]并且，关于各反射层形成后的表面粗糙度Sa，利用AFM(Mobile S:制品名、 Nanosurf社制、触针:C0NTR_10#)进行了测定。视角为6· 16μηιΧ6· 16μηι，采用未形成油坑的 任意5处的平均值，表1中示出了该测定结果。
[0082]此外，采用得到的基体来形成凹部，确认了其有无龟裂。凹部的形状为深度是 0.25mm，从上表面观察的形状是底部的长度和宽度均为4mm的正方形，伸出部弯曲半径为 0.3mm，由凹部的底部的垂线和斜部形成的角度是30度，通过冲压机形成。并且，未存在龟裂 或形成有微小皱纹的程度的情况为"无"、判定为合格，将存在龟裂及大皱纹的情况记为 "有"而判定为不合格，在表1中一并记载。
[0083]前处理和反射层形成条件如下实施。
[0084](前处理条件）
[0085][电解脱脂]
[0086]脱脂液:Na0H 60g/升
[0087] 脱脂条件:2.5A/dm2、温度60°C、脱脂时间60秒
[0088] [酸洗]
[0089] 酸洗液:10%硫酸
[0090] 酸洗条件:30秒浸渍、室温
[0091] [银冲击镀]
[0092] 电镀液:KAg(CN)2 4.45g/升、KCN 60g/升
[0093] 电镀条件：电流密度5A/dm2、温度25°C
[0094] (反射层形成条件）
[0095] [银镀浴]
[0096] 电镀液:AgCN 50g/升、KCN 100g/升、K2C03 30g/升
[0097] 电镀条件：电流密度lA/dm2、温度30°C
[0098] [银-硒镀浴]
[0099] 电镀液:KCN 150g/升、K2C03 15g/升、KAg(CN)2 75g/升、Na2〇3Se · 5H20 5g/升
[0100] 电镀条件：电流密度2A/dm2、温度50°C
[0101] [银-锑镀浴]
[0102] 电镀液:KCN 150g/升、K2C03 15g/升、KAg(CN)2 75g/升、C4H4K0Sb 10g/升
[0103] 电镀条件：电流密度ΙΑ/dm2、温度50°C
[0105] 根据表1的结果可知如下的情况。
[0106] 在根据本发明的实施例1~12中，以入射角60°测定的该基体的表面的光泽度在相 对于乳制方向的平行方向和垂直方向上均为500%以上，并且，该平行方向的光泽度与垂直 方向的光泽度之比（平行方向光泽度除以垂直方向光泽度的数值)在0.8~1.2的范围内。因 此，在各实施例中，在采用得到的基体的光半导体装置用引线框中，即使包覆厚度薄也具有 从近紫外光区域到可视光区域(波长340nm~800nm)的反射率显著高的光反射特性，适合作 为用于光半导体装置用引线框的基体。
[0107] 相对于此，现有例1是通用的引线框基体，但光泽度尤其是垂直方向测定值低于 500%，即使形成相同包覆厚度且相同电镀液组成的覆膜，反射率也未达到本发明例的高水 平。
[0108] 另一方面，如比较例1和2那样，尽管光泽度超过500%，在其平行方向的光泽度与 垂直方向的光泽度之比是规定的〇. 8~1.2的范围外的情况下也同样地即使是相同电镀液 和相同包覆厚度也无法得到本发明例的高水平的反射率。并且，产生由胀形加工导致的龟 裂，从加工性的方面而言，本发明例示出了优异的特性。
[0109] 其结果是，由于不满足所述光泽度的条件、即不满足基体表面的光泽度在相对于 乳制方向的平行方向和垂直方向上分别为500%以上和该平行方向的光泽度与垂直方向的 光泽度之比处于规定的范围内中的至少一项，因此，从近紫外光区域到可视光区域(波长 340nm~800nm)的反射率低，不适合作为用于光半导体装置用引线框的基体。
[0110] 对本发明与其实施方式一同进行了说明，但我们认为，只要不特别地指定，则在说 明的任一细节中均不限定，应广泛地解释为不违反所附的权利要求书所示的发明的精神和 范围。
[0111] 标号说明
[0112] 1:基体
[0113] 2:反射层
[0114] 3:中间层
[0115] 4:凹部
【主权项】
1. 一种用于光半导体装置用引线框的基体，该基体通过乳制加工而形成，所述用于光 半导体装置用引线框的基体的特征在于， 以入射角60°测定的该基体表面的光泽度在相对于乳制方向的平行方向和垂直方向上 分别为500%以上， 并且，该平行方向的光泽度与垂直方向的光泽度之比是0.8~1.2。2. 根据权利要求1所述的用于光半导体装置用引线框的基体，其特征在于， 在所述基体上，在表面上形成的油坑的个数在100μπιΧ100μL?的面积中是50个以内。3. 根据权利要求1或2所述的用于光半导体装置用引线框的基体，其特征在于， 在所述基体上形成有用于在引线框上搭载光半导体元件的凹部，该凹部呈碗状。4. 一种光半导体装置用引线框，其特征在于， 在权利要求1至3中的任一项所述的用于光半导体装置用引线框的基体上的最表面，具 有由银、银-硒合金、银-锑合金、银-锡合金、银-铟合金、银-金合金、银-铂合金中的任一种 构成的反射层。5. 根据权利要求4所述的光半导体装置用引线框，其特征在于， 所述反射层的厚度是3μπι以下。6. 根据权利要求4或5所述的光半导体装置用引线框，其特征在于， 具有所述反射层的表面的借助于原子间力显微镜测定的表面粗糙度Sa是3nm以上且 50nm以下。7. 根据权利要求4至6中的任一项所述的光半导体装置用引线框，其特征在于， 在具有所述反射层的光半导体装置用引线框中，波长450nm时的全反射率是95 %以上。8. -种用于光半导体装置用引线框的基体的制造方法，其是制造权利要求1至3中的任 一项所述的用于光半导体装置用引线框的基体的方法，所述制造方法的特征在于， 乳制辑的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra计为0.05μηι以下，采用动力粘度为7mm2/s以 下的乳制油，使乳制时的张力为200MPa~600MPa来进行精乳制。9. 一种光半导体装置用引线框的制造方法，其是制造权利要求4至7中的任一项所述的 光半导体装置用引线框的方法，所述制造方法的特征在于， 至少通过电镀法形成所述反射层。10. -种光半导体装置，其特征在于， 所述光半导体装置是使用权利要求1至3中的任一项所述的用于光半导体装置用引线 框的基体而在光半导体元件搭载部上形成光的反射层之后，搭载光半导体元件而构成的。11. 一种光半导体装置，其特征在于， 所述光半导体装置是在权利要求4至7中的任一项所述的光半导体装置用引线框上搭 载光半导体元件而构成的。
【专利摘要】一种光半导体装置用引线框的基体，其通过轧制加工而形成，其中，以入射角60°测定的该基体表面的光泽度在相对于轧制方向的平行方向和垂直方向上分别为500％以上，并且，其平行方向的光泽度与垂直方向的光泽度之比是0.8～1.2。
【IPC分类】H01L33/62, H01L31/12
【公开号】CN105453283
【申请号】CN201380078695
【发明人】小林良聪, 中津川达也, 座间悟, 松田晃, 铃木智
【申请人】古河电气工业株式会社
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2013年8月30日
【公告号】WO2015029211A1