、钼的厚度为小于500纳米。或者该金属反射层24亦可为银/钛/镍合金镀膜，同样的其较佳实施值，银的厚度为200?300纳米、钛的厚度为20?300纳米、镍的厚度为小于500纳米。又或者该金属反射层24亦可为银/镍合金镀膜，同样的其较佳实施值，银的厚度为200?300纳米、镍的厚度为小于500纳米。
[0026]而该保护附着层25形成于该金属反射层24远离该P型半导体层23的一侧(如图4所示)且遮蔽该金属反射层24的边缘，该P型半导体层23、该保护附着层25与该缓冲层26即可完整遮蔽该金属反射层24。
[0027]又该保护附着层25的结构分为一附着层251A与一保护层252A，该附着层251A为藉由等离子增长型化学气相沉积(PVCVD)先行导入氮气、氩气与氨于该金属反射层24上形成附着键结，再导入娃烧(SixHy)以沉积氮化娃(SixNy)或氧化娃(Si02)而形成,其厚度较佳值小于10纳米，且该保护层的厚度为介于30纳米与150纳米之间。
[0028]而该保护层252A的材质为选自氮化硅(SixNy)、二氧化硅(Si02)与二氧化钛(Ti02)所组成的群组，且为使用PVCVD于该附着层251A上继续沉积而形成。
[0029]该缓冲层26形成于该保护附着层25远离该金属反射层24的一侧，该缓冲层26为选自具导电性及且稳定性良好的金属材，且热膨胀系数介于氮化镓及硅之间做为硅基板与氣化嫁嘉晶层间的缓冲层，如钦、钼、钦鹤、银等等。
[0030]该结合层27为形成于该缓冲层26远离该保护附着层25的一侧，该永久基板28形成于该结合层27远离该保护附着层25的一侧，该P型电极29形成于该永久基板28远离该结合层27的一侧，其中该结合层27为黏结该永久基板28与该缓冲层26，而该永久基板28 —般为采用具导电性的硅基板。
[0031]请参阅「图5」所示，为另一实施结构，其中该保护附着层25可以形成于该P型半导体层23与该缓冲层26之间，且让该保护附着层25遮蔽该金属反射层24的侧边边缘，该P型半导体层23、该保护附着层25与该缓冲层26即可完整遮蔽该金属反射层24。
[0032]且于此实施结构，该保护附着层25同样具有附着层251B与保护层252B，该附着层251B同样藉由等离子增长型化学气相沉积(PVCVD)先行导入氮气、氩气与氨于该金属反射层24上形成附着键结，再导入娃烧(SixHy)以沉积氮化娃(SixNy)或氧化娃(Si02)而形成。而该保护层252B的材质同样为选自氮化硅(SixNy)、二氧化硅(Si02)与二氧化钛(Ti02)所组成的群组，且为使用PVCVD于该附着层251B上继续沉积而形成。
[0033]如上所述，本发明通过该附着层的设置，增加附着性，让该保护附着层没有剥离脱落的问题，亦即该保护层可以确实保护该金属反射层，以避免该金属反射层于后续工艺中氧化及于高电流操作时反射层金属析出，因而可以维持该金属反射层的反射率，亦即该发光层所产生的光可以被充分反射，而增加发光二极管的出光效率及电性稳定，满足使用上的需求。
[0034]当然，本发明还可有其他多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种具反射镜保护层的发光二极管结构，其特征在于，包含: 一 N型电极； 一 N型半导体层，该N型电极形成于该N型半导体层的一侧； 一发光层，该发光层形成于该N型半导体层远离该N型电极的一侧； 一 P型半导体层，该P型半导体层形成于该发光层远离该N型半导体层的一侧； 一金属反射层，该金属反射层形成于该P型半导体层远离该发光层的一侧； 一保护附着层，该保护附着层形成于该金属反射层远离该P型半导体层的一侧，且遮蔽该金属反射层的边缘，该保护附着层分为一附着层与一保护层，该附着层为藉由等离子增长型化学气相沉积先行导入氮气、氩气与氨于该金属反射层上形成附着键结，再导入硅烷以沉积氮化硅与氧化硅的任一而形成，而该保护层使用等离子增长型化学气相沉积于该附着层上继续沉积而形成； 一缓冲层，该缓冲层形成于该保护附着层远离该金属反射层的一侧，且该P型半导体层、该保护附着层与该缓冲层完整遮蔽该金属反射层； 一结合层，该结合层形成于该缓冲层远离该保护附着层的一侧； 一永久基板，该永久基板形成于该结合层远离该保护附着层的一侧；以及 一 P型电极，该P型电极形成于该永久基板远离该结合层的一侧。2.根据权利要求1所述的具反射镜保护层的发光二极管结构，其特征在于，该附着层的厚度小于10纳米。3.根据权利要求1所述的具反射镜保护层的发光二极管结构，其特征在于，该保护层的材质为选自氮化硅、二氧化硅与二氧化钛所组成的群组。4.根据权利要求2所述的具反射镜保护层的发光二极管结构，其特征在于，该保护层的厚度为介于30纳米与150纳米之间。5.一种具反射镜保护层的发光二极管结构，其特征在于，包含: 一 N型电极； 一 N型半导体层，该N型电极形成于该N型半导体层的一侧； 一发光层，该发光层形成于该N型半导体层远离该N型电极的一侧； 一 P型半导体层，该P型半导体层形成于该发光层远离该N型半导体层的一侧； 一金属反射层，该金属反射层形成于该P型半导体层远离该发光层的一侧； 一保护附着层，该保护附着层形成于该P型半导体层与该缓冲层之间，且让该保护附着层遮蔽该金属反射层的侧边边缘，该保护附着层分为一附着层与一保护层，该附着层为藉由等离子增长型化学气相沉积先行导入氮气、氩气与氨于该金属反射层上形成附着键结，再导入硅烷以沉积氮化硅或氧化硅而形成，而该保护层使用等离子增长型化学气相沉积于该附着层上继续沉积而形成； 一缓冲层，该缓冲层形成于该金属反射层远离该保护附着层的一侧，且该P型半导体层、该保护附着层与该缓冲层完整遮蔽该金属反射层； 一结合层，该结合层形成于该缓冲层远离该保护附着层的一侧； 一永久基板，该永久基板形成于该结合层远离该保护附着层的一侧；以及 一 P型电极，该P型电极形成于该永久基板远离该结合层的一侧。6.根据权利要求5所述的具反射镜保护层的发光二极管结构，其特征在于，该附着层的厚度为小于10纳米。7.根据权利要求5所述的具反射镜保护层的发光二极管结构，其特征在于，该保护层的材质为选自氮化硅、二氧化硅与二氧化钛所组成的群组。8.根据权利要求6所述的具反射镜保护层的发光二极管结构，其特征在于，该保护层的厚度为介于30纳米与150纳米之间。
【专利摘要】一种具反射镜保护层的发光二极管结构，包含依序堆叠的一P型半导体层、一金属反射层与一缓冲层，以及一保护附着层，其中该保护附着层遮蔽该金属反射层的边缘，该保护附着层分为一附着层与一保护层，该附着层为藉由等离子增长型化学气相沉积(PVCVD)先行导入氮气、氩气与氨于该金属反射层上形成附着键结，再导入硅烷(SixHy)以沉积氮化硅(SixNy)或氧化硅(SiO2)而形成；该保护层为使用PVCVD于该附着层上继续沉积而形成，据此该附着层具有良好的附着性并可避免该保护附着层剥离脱落，且此附着层具有良好的疏水性与热稳定性，于高湿度且温度变化剧烈的环境中可使保护层稳固的披覆在金属反射层边缘，以让该保护层可确实保护该金属反射层，避免该金属反射层氧化而影响发光效率。
【IPC分类】H01L33/44
【公开号】CN105489729
【申请号】CN201410478463
【发明人】颜伟昱, 周理评, 陈复邦, 张智松
【申请人】联胜光电股份有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2014年9月18日