检查有机发光二极管的质量的方法和检查系统的制作方法
【技术领域】
[0001] 所描述的技术主要涉及检查有机发光二极管（0LED)的质量的方法和用于执行该 方法的检查系统。
【背景技术】
[0002] 通常，检验0LED的质量需要各种步骤。例如，向0LED施加反向电压并且通过电流 计测量反向饱和电流。另外，通过电压计和电流计获得0LED的电压-电流曲线。使用电 压-电流曲线通过曲线拟合获得理想因数。另外，使用光电检测器和时间分辨光致发光技 术（time-resolved photoluminescence technology)测量载流子寿命。
【发明内容】
[0003] 一个发明方面是通过0LED的模拟和提取0LED的物理特征以简化步骤检查0LED 的质量的方法。
[0004] 另一方面是用于执行该方法的0LED的检查系统。
[0005] 另一方面是检查0LED的方法，所述方法包括测量施加至0LED的两端的0LED电压 和通过向0LED施加输入电压而流过0LED的0LED电流，使用0LED电压和0LED电流估计 0LED的参数并且使用参数提取0LED的物理特征。
[0006] 在示例性实施方式中，0LED通过电阻器和电容器模拟。
[0007] 在示例性实施方式中，0LED包括正极，形成在正极上的空穴注入层，形成在空穴注 入层上的空穴传输层，形成在空穴传输层上的发光层，形成在发光层上的电子传输层，形成 在电子传输层上的电子注入层和形成在电子注入层上的负极。模拟的0LED可以包括连接 在第一节点和第二节点之间的寄生电阻RP，并联连接在第二节点与第三节点之间的二极管 电阻RD和二极管电容CD以及连接在第一节点和第三节点之间的寄生电容CP。
[0008] 在示例性实施方式中，寄生电阻RP被定义为空穴注入层的电阻、空穴传输层的电 阻、电子传输层的电阻和电子注入层的电阻的总和。寄生电容CP可以被定义为正极与负极 之间的电容。二极管电阻RD可以被定义为发光层的电阻。二极管电容CD可以被定义为发 光层的电容。
[0009] 在示例性实施方式中，参数包括二极管电阻常数RD0、二极管电容常数⑶0、寄生 电阻RP、寄生电容CP和特征值a。当发光层的电压是VD时，二极管电阻可以是= ， e 而二极管电容可以是⑶=⑶〇X eaVD。
[0010] 在示例性实施方式中，估计0LED的参数使用多个参数候选向量的适应度函数 (fitness function)。适应度函数可以被定义为测量的0LED电压与估计的0LED电压之间 的差值，估计的0LED电压使用参数候选向量估计。
[0011] 在示例性实施方式中，当Θ i是参数候选向量，t是时间，I0LED是0LED电流， V0LED是测量的0LED电压且1???)是使用参数候选向量估计的0LED电压时，适应度函数 h被定义为
[0012] 在示例性实施方式中，利用以下等式对估计的0LED电压!；进行估计：
[0013] 在示例性实施方式中，估计0LED的参数包括：从Ν个初始参数候选向量中选择具 有高适应度函数的Ρ个第一参数候选向量，Ρ和Ν是正整数，Ν大于Ρ ;在连接第一参数候选 向量的线上选择Ν-Ρ个第二参数候选向量；以及从第一参数候选向量和第二参数候选向量 中选择具有最尚适应度函数的最优向量。
[0014] 在示例性实施方式中，估计0LED的参数包括从Ν个初始参数候选向量中重复选择 具有最尚适应度函数的最优向量并且从最优向量确定最终向量。
[0015] 在示例性实施方式中，0LED的物理特征包括反向饱和电流ISO。反向饱和电流ISO 可以逼
[0016] 在示例性实施方式中，0LED的物理特征包括理想因数η。当k是玻耳兹曼常数且 T是绝对温度时，理想因数η可以是《 = 4 ? am
[0017] 在示例性实施方式中，0LED的物理特征包括载流子寿命τπι。载流子寿命τπι可 以是 Tm = RD0XCD0。
[0018] 在示例性实施方式中，负载电阻器串联连接至0LED以测量0LED电压和0LED电 流。
[0019] 另一方面是0LED的检查系统，检查系统包括负载电阻器、数据收集模块和处理 器。负载电阻器串联连接至0LED。数据收集模块被配置为向0LED施加输入电压并且测量 施加至0LED的两端的0LED电压和流过0LED的0LED电流中的至少一个。处理器被配置为 使用0LED电压和0LED电流估计0LED的参数并使用参数提取0LED的物理特征。
[0020] 在示例性实施方式中，0LED通过电阻器和电容器模拟。
[0021] 在示例性实施方式中，0LED包括正极，形成在正极上的空穴注入层，形成在空穴注 入层上的空穴传输层，形成在空穴传输层上的发光层，形成在发光层上的电子传输层，形成 在电子传输层上的电子注入层和形成在电子注入层上的负极。模拟的0LED可以包括连接 在第一节点和第二节点之间的寄生电阻RP，并联连接在第二节点与第三节点之间的二极管 电阻RD和二极管电容CD以及连接在第一节点和第三节点之间的寄生电容CP。
[0022] 在示例性实施方式中，寄生电阻RP被定义为空穴注入层的电阻、空穴传输层的电 阻、电子传输层的电阻和电子注入层的电阻的总和。寄生电容CP可以被定义为正极与负极 之间的电容。二极管电阻RD可以被定义为发光层的电阻。二极管电容CD可以被定义为发 光层的电容。
[0023] 在示例性实施方式中，参数包括二极管电阻常数RD0、二极管电容常数⑶0、寄生 电阻RP、寄生电容CP和特征值a。当发光层的电压是VD时，二极管电阻可以是^， e 并且二极管电容可以是⑶=⑶ox eaVD。
[0024] 在示例性实施方式中，处理器被配置为使用多个参数候选向量的适应度函数估计 0LED的参数。适应度函数可以被定义为测量的0LED电压与估计的0LED电压之间的差值， 估计的0LED电压使用参数候选向量估计。
[0025] 在示例性实施方式中，当Θ i是参数候选向量，t是时间，I0LED是0LED电流， V0LED是测量的0LED电压使用参数候选向量估计的0LED电压时，适应度函数 h被定义关
[0026] 在示例性实施方式中，处理器被配置为从N个初始参数候选向量中选择具有高适 应度函数的P个第一参数候选向量，P和N是正整数，N大于P，处理器被配置为在连接第一 参数候选向量的线上选择N-P个第二参数候选向量并且从第一参数候选向量和第二参数 候选向量中选择具有最高适应度函数的最优向量。
[0027] 另一方面是检查有机发光二极管（0LED)的质量的方法，方法包括向0LED施加输 入电压，测量0LED两端的0LED电压和流过0LED的0LED电流，至少部分基于0LED电压和 0LED电流估计0LED的参数，并且至少部分基于该参数提取0LED的物理特征。
[0028] 在以上方法中，0LED模拟包括一个或多个电阻器和一个或多个电容器。
[0029] 在以上方法中，0LED包括正极，形成在正极上面的空穴注入层，形成在空穴注入层 上面的空穴传输层，形成在空穴传输层上面的发光层，形成在发光层上面的电子传输层，形 成在电子传输层上面的电子注入层和形成在电子注入层上面的负极，其中，每个层具有电 阻，其中，0LED模拟包括i)电连接在第一节点和第二节点之间的寄生电阻RP，ii)并联电 连接在第二节点与第三节点之间的二极管电阻RD和二极管电容CD和iii)电连接在第一 节点和第三节点之间的寄生电容CP。
[0030] 在以上方法中，寄生电阻RP被定义为空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电 子注入层的电阻的总和，其中，寄生电容CP被定义为正极与负极之间的电容，其中