1至图4, 0LED 300包括正极、形成在正极上的空穴注入层HIL、形成在空 穴注入层HIL上的空穴传输层HTL、形成在空穴传输层HTL上的发光层EML、形成在发光层 EML上的电子传输层ETL、形成在电子传输层ETL上的电子注入层EIL和形成在电子注入层 EIL上的负极。
[0070] 参考图3,通过电阻器和电容器对0LED 300进行模拟。例如，模拟的0LED 300包 括连接在第一节点和第二节点之间的寄生电阻RP，并联连接在第二节点与第三节点之间的 二极管电阻RD和二极管电容⑶，以及连接在第一节点和第三节点之间的寄生电容CP。
[0071] 寄生电阻RP被定义为空穴注入层的电阻RPHI、空穴传输层的电阻RPHT、电子传输 层的电阻RPET和电子注入层的电阻RPEI的总和。
[0072] 寄生电容CP被定义为正极与负极之间的电容。例如，寄生电容CP表示正极和负 极周围的封装材料PM的寄生电容。
[0073] 发光层EML可以被表示为第一级RC电路。发光层EML被表示为并联连接的二极 管电阻RD和二极管电容CD。二极管电阻RD是发光层EML的电阻。二极管电容CD是发光 层EML的电容。
[0074] 发光层EML两端的电压是VD。0LED两端的电压是V0LED。流过0LED的电流是 I0LED〇
[0075] 处理器100可以使用0LED电流I0LED和0LED电压V0LED估计0LED 300的参数。 例如，处理器100使用粒子群优化（particle swarm optimization) ( "PS0"）估计参数。
[0076] 参数可以包括二极管电阻常数RD0、二极管电容常数⑶0、寄生电阻RP、寄生电容 CP和特征值a。二极管电阻RD和二极管电阻常数RD0具有如等式2中的关系。二极管电 容CD和二极管电容常数CD0具有如等式3中的关系。
[0077] 等式 2 …戲）
[0078] RD - e
[0079] 等式 3
[0080] CD = CD0 X eaVD
[0081] 处理器100可以使用多个参数候选向量的适应度函数（fitness function)估计 参数。可以使用等式4确定参数候选向量。
[0082] 等式 4
[0083] Θ = [CD0RD0RP CP a]
[0084] 处理器100选择N个初始参数候选向量中的P个第一参数候选向量。在此，P和N 是正整数。N可以大于P。处理器100可以选择连接第一参数候选向量的线上的N-P个第 二参数候选向量。处理器100可以确定第一参数候选向量和第二参数候选向量中具有最高 的适应度函数的最优向量以估计参数。
[0085] 处理器100可以如以上说明的从N个最初始参数候选向量重复确定最优向量，并 且处理器100可以从最优向量中选择最终的向量以估计参数。
[0086] 参考图6A至图6D详细地说明估计参数的方法。
[0087] Θ i是参数候选向量，t是时间，I0LED是0LED电流，V0LED是0LED电压， 是估计的0LED电压，适应度函数h被定义为如等式5。
[0088] 等式 5
[0089]
[0090] 在等式5中，VOLED (t，I0LED)表示通过数据收集模块200测量的0LED电压V0LED 根据时间（t)而变化。当参数候选向量是Θ i且0LED电流是I0LED时，匕从￡/) (t，Θ i， I0LED)表示估计的0LED电压根据时间而变化并且被非线性模拟。
[0091] 测量的0LED电压和使用参数候选向量Θ i估计的0LED电压之间的差值的绝对值 的平方随着时间被求和并且乘以-1。然后，获得参数候选向量的适应度函数。
[0092] 参数候选向量Θ i的适应度函数具有负值。当适应度函数h增加（适应度函数h 接近零）时，参数候选向量Θ i接近真实的0LED的特征。
[0093] 可以使用等式6和等式7计算估计的0LED电压。等式6和等式7是分别 在第一节点和第二节点通过基尔霍夫电流定律（"KCL"）计算的微分方程。
[0094] 等式 6
[0095]
[0096]
[0097]
[0098] 处理器100使用参数RDO、CDO、RP、CP和a提取0LED 300的物理特征。
[0099] 0LED 300的物理特征可以是反向饱和电流ISO。0LED 300的漏电流随着反向饱 和电流ISO的增加而增加。因此，在一些实施方式中，当0LED 300的反向饱和电流ISO基 本上等于或大于第一阈值时，0LED 300未通过质量测试。如在等式8中定义反向饱和电流 IS0〇
[0100] 等式 8
[0101]
[0102] 在检查0LED的典型方法中，当反向电压被施加至0LED时，通过电流计直接测量反 向饱和电流。根据本示例性实施方式，0LED的反向饱和电流ISO通过参数估计而容易地获 得。
[0103] 0LED 300的物理特征可以是理想因数（ideal factor)n。0LED 300的驱动电压随 着0LED 300的理想因数η的增加而增加。因此，在一些实施方式中，当0LED 300的理想因 数η基本上等于或大于第二阈值时，0LED 300未通过质量测试。当k是玻耳兹曼常数而Τ 是绝对温度时，如在等式9中定义理想因数η。
[0104] 等式 9
[0105]
[0106] 在检查0LED的典型方法中，使用电压计和电流计或者使用阻抗计获得电压-电流 曲线。然后使用电压-电流曲线通过曲线拟合获得理想因数η。根据本示例性实施方式， 0LED的理想因数η通过参数估计而容易地获得。
[0107] 0LED 300的物理特征可以是载流子寿命τ m。0LED 300的导通时间和截止时间随 着0LED 300的载流子寿命τπι的增加而增加。因此，在一些实施方式中，当0LED 300的载 流子寿命τπι基本上等于或大于第三阈值时，0LED 300未通过质量测试。如在等式10中 定义载流子寿命τπι。
[0108] 等式 10
[0109] τ m = RDO X CDO
[0110] 在检查0LED的典型方法中，使用光电检测器和时间分辨光致发光技术测量载流 子寿命τηι。根据本示例性实施方式，0LED的载流子寿命τηι通过参数估计而容易地获得。
[0111] 根据本示例性实施方式，通过参数估计获得0LED的反向饱和电流IS0、理想因数 η和载流子寿命τπι的全部。因此，以简化步骤检查0LED的质量，从而使得可以减少检查 0LED的成本和时间。另外，减少包括0LED的显示设备的制造成本并且可以改善显示设备的 可靠性。
[0112] 图5是示出了检查图1的0LED 300的方法的流程图。图6Α至图6D是示出了估 计图5的参数的步骤的概念图。
[0113] 在一些实施方式中，以常规的编程语言，诸如C或者C++或者另一合适的编程语言 执行图5流程。程序可以存储在检查系统10的计算机可存取存储介质，例如，检查系统10 或者处理器100的存储器（未示出）上。在某些实施方式中，存储介质包括随机存取存储 器（RAM)、硬盘、软盘、数字视频设备、光盘、视频盘和/或其他光存储介质等。程序可以存 储在处理器中。处理器可以具有基于，例如，i)高级RISC机器（ARM)微控制器和ii) Intel 公司的微处理器（例如，Pentium家庭微处理器）的配置。在某些实施方式中，利用各种计 算机平台使用单片或者多片微处理器、数字信号处理器、嵌入式微处理机、微控制器等实施 处理器。在另一实施方式中，利用宽范围的操作系统