阵列基板的制作方法及阵列基板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法及阵列基板。
【背景技术】
[0002]随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
[0003]现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。
[0004]通常液晶显示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶体管(TFT，Thin FilmTransistor)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括:前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动冲段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。
[0005]低温多晶娃(Low Temperature Poly Silicon，LTPS)是广泛用于中小电子产品中的一种液晶显示技术。传统的非晶硅材料的电子迀移率约0.5-1.0cmVV.S，而低温多晶硅的电子迀移率可达30-300cm2/V.S。因此，低温多晶硅液晶显示器具有高解析度、反应速度快、高开口率等诸多优点。但是另一方面，由于LTPS半导体器件的体积小、集成度高，所以整个LTPS阵列基板的制备工艺复杂，生产成本较高。
[0006]目前，业界主流的显示面板的阵列基板的钝化保护层(PV)通常采用氮化硅(分子式:SiNx)单层结构组成。氮化硅是一种良好的绝缘材料，其透光度较好，介电常数大约是6
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[0007]目前流行的LTPS阵列基板的制作流程中，对平坦层和钝化保护层进行图形化处理以形成像素电极与漏极的接触孔的方法如下:步骤1、如图1所示，首先形成平坦层(PLN)700，并利用光罩对平坦层700进行曝光显影处理，形成位于漏极620上方的第一通孔710;步骤2、如图2所示，在平坦层700上形成图形化的公共电极层(ΒΙΤ0)810，在公共电极层810上沉积氮化硅材料，形成钝化保护层900，利用曝光和蚀刻工艺对钝化保护层900进行图形化处理，在所述钝化保护层900上形成位于第一通孔710内的第二通孔910;所述第二通孔910用于实现像素电极与漏极620的接触。
[0008]然而上述制程需要使用两道光罩并进行一次蚀刻制程，生产成本较高，且工艺流程复杂。
【发明内容】
[0009]本发明的目的在于提供一种阵列基板的制作方法，与现有技术相比，既节省一道光罩，又减少一道蚀刻制程，从而简化工艺流程、节约生产成本。
[0010]本发明的目的还在于提供一种阵列基板，结构简单，制作成本低，且具有良好的电学性能。
[0011 ]为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板的制作方法，包括如下步骤:
[0012]步骤1、提供一基板，在所述基板上沉积第一金属层，对所述第一金属层进行图形化处理，得到遮光层；
[0013]步骤2、在所述遮光层、及基板形成缓冲层，在所述缓冲层上形成非晶硅层，并对非晶硅层进行结晶化处理，从而形成多晶硅层，采用光刻制程对所述多晶硅层进行图形化处理，得到对应于遮光层上方的第一多晶硅段、及与第一多晶硅段间隔设置的第二多晶硅段；
[0014]步骤3、利用光罩对所述第一多晶硅段的中间区域进行P型轻掺杂，得到第一沟道区，之后利用光罩对所述第一多晶硅段的两端进行N型重掺杂，得到位于两端的N型重掺杂区；
[0015]步骤4、在所述第一多晶硅段、第二多晶硅段、及缓冲层上沉积栅极绝缘层，在栅极绝缘层上沉积第二金属层，采用光刻制程对所述栅极绝缘层及第二金属层进行图形化处理，在栅极绝缘层上得到分别对应于所述第一多晶硅段与第二多晶硅段中间区域的第一栅极绝缘层与第二栅极绝缘层，在第二金属层上得到分别位于所述第一、第二栅极绝缘层上方且与所述第一、第二栅极绝缘层对齐的第一栅极与第二栅极；
[0016]步骤5、利用第一栅极作为光罩对所述第一多晶硅段上位于第一沟道区与N型重掺杂区之间的区域进行N型轻掺杂，得到N型轻掺杂区，之后利用光罩对所述第二多晶硅段的两端进行P型重掺杂，得到位于两端的P型重掺杂区、及位于两P型重掺杂区之间的第二沟道区；
[0017]步骤6、在所述第一栅极、第二栅极、第一多晶硅段、第二多晶硅段、及缓冲层上沉积层间绝缘层，通过光刻制程对所述层间绝缘层进行图形化处理，在所述层间绝缘层上形成对应于N型重掺杂区上方的第一过孔、及对应于P型重掺杂区上方的第二过孔；
[0018]步骤7、在所述层间绝缘层上沉积第三金属层，对所述第三金属层进行图形化处理，得到间隔设置的第一源极、第一漏极、第二源极、及第二漏极;所述第一源极、第一漏极分别通过第一过孔与N型重掺杂区相接触，所述第二源极、第二漏极分别通过第二过孔与P型重掺杂区相接触；
[0019]步骤8、在所述第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极、及层间绝缘层上形成平坦层;在所述平坦层上沉积第一透明导电层，对所述第一透明导电层进行图形化处理，得到公共电极；
[0020]步骤9、在所述公共电极、及平坦层上沉积有机光阻材料，形成钝化保护层；
[0021]步骤10、利用光罩对所述钝化保护层、及平坦层进行曝光、显影，得到对应于第一漏极上方的第三过孔、及对应于第二漏极上方的第四过孔；
[0022]步骤11、在所述钝化保护层上沉积第二透明导电层，对所述第二透明导电层进行图形化处理，得到像素电极，所述像素电极分别通过第三过孔、第四过孔与第一漏极、及第二漏极相接触。
[0023]所述步骤2中，利用激光退火方法对非晶硅层进行结晶化处理。
[0024]所述步骤6还包括:对所述层间绝缘层进行去氢和活化处理。
[0025]通过快速热退火工艺对所述层间绝缘层进行去氢和活化处理。
[0026]所述步骤9中，采用蒸镀或喷印的方法沉积有机光阻材料。
[0027]所述步骤9还包括:对所述钝化保护层进行紫外光照射处理，使所述钝化保护层薄化，以增加其透光性。
[0028]所述平坦层的材料为有机光阻，所述钝化保护层的介电常数为3?4。
[0029]所述基板为透明基板;所述第一金属层、第二金属层、第三金属层的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合;所述缓冲层、第一、第二栅极绝缘层、层间绝缘层为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层;所述第一透明导电层、第二透明导电层的材料为金属氧化物。
[0030]本发明还提供一种阵列基板，包括基板，位于基板上的遮光层，位于遮光层、及基板上的缓冲层，位于所述缓冲层上的第一多晶硅段与第二多晶硅段，分别位于第一多晶硅段与第二多晶硅段中间区域上方的第一栅极绝缘层与第二栅极绝缘层，分别位于所述第一栅极绝缘层与第二栅极绝缘层上方且与所述第一、第二栅极绝缘层对齐的第一栅极