显示面板的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明是关于一种显示面板的制备方法，尤其指一种能够制备出具有优异可靠性的显示面板的制备方法。
【背景技术】
[0002]随着显示器技术不断进步，用户对于电子产品的要求越来越高，所有的装置均朝体积小、厚度薄、重量轻等趋势发展，故目前市面上主流的显示器装置已由以往的阴极射线管发展成液晶显示设备(IXD)或有机发光二极管装置(OLED)。
[0003]薄膜晶体管已广泛的应用在各种高阶显示器中，由于市场的快速竞争，显示器的尺寸与显示质量需求(例如:显示色彩饱和度)快速增加，同时也增加对产品中薄膜晶体管的电性表现与稳定度的要求。于薄膜晶体管的制备过程中，金属电极的制作方式是通常先于基板上沉积所需金属材料层，接着利用微影蚀刻方式制作出所需光阻图案，而后再蚀刻光阻下方的金属层，即可制作出具有所需图案的金属层。然而，在蚀刻过程中，蚀刻反应的产物可能会破坏半导体层或累积于半导体层上，进而造成组件起始电压负偏、或影响组件操作的可靠性等问题。
[0004]有鉴于此，目前亟需发展一种改善上述问题的显示面板的制备方法，改善其所制备的显示面板中薄膜晶体管特性，进而提升显示设备的显示质量。
【发明内容】
[0005]本发明的目的是提供一种显示面板的制备方法，以制备具有提升可靠性的显示面板。
[0006]为实现上述目的，本发明提供的显示面板的制备方法，包括下列步骤:(A)提供一基板；一氧化半导体层，设置于该基板上；以及一栅极电极，设置于该基板上并对应该氧化半导体层；(B)形成一金属层于该氧化半导体层上；(C)形成一光阻于该金属层上并蚀刻该金属层，以形成一源极电极与一漏极电极，且该源极电极与该漏极电极相互隔离；(D)加热该光阻，使该光阻覆盖该源极电极与该漏极电极的一侧壁；(E)于该基板上施加一碱性液；以及(F)移除该光阻，以显露该源极电极与该漏极电极。
[0007]于上述步骤(A)中，该栅极电极可设置于该氧化半导体层上；或者，该栅极电极可设置于该基板与该氧化半导体层之间。
[0008]于上述步骤(B)中，该金属层的结构可为包含铝的一单层结构或一多层结构，该多层结构可包含至少两种金属选自由:钥(Mo)、铝(Al)、及钛(Ti)或其所组成的群组。
[0009]于上述步骤(C)中，使用一蚀刻液蚀刻该金属层，该蚀刻液可为一种以上选自由:硝酸、磷酸、及醋酸所组群组。
[0010]于上述步骤⑶中，以该侧壁的总面积为100%为基准，该光阻覆盖该源极电极与该漏极电极的该侧壁的面积为50%以上，该光阻较佳可完全覆盖该源极电极与该漏极电极的该侧壁。此外，加热该光阻可于100度至150度的温度范围内进行2分钟至60分钟，较佳为于I1度至140度的温度范围内进行3分钟至30分钟。
[0011]于上述步骤(E)中，该碱性液可为一包含氢氧(OH)基的显影液，且该碱性液的酸碱值可大于PH7且小于等于pH14，较佳为介于pH12至pH14之间。
[0012]据此，通过本发明的显示面板的制备方法，于步骤(C)中蚀刻该金属层之后，于步骤(D)中加热该光阻，使该光阻覆盖该源极电极与该漏极电极的一侧壁，因此，当于步骤
(E)中施加碱性液时，能够保护该源极电极与该漏极电极，减少受到碱性液侵蚀的面积，而后续膜层堆叠于该源极电极与该漏极电极上时，不会因受侵蚀部分而导致薄膜晶体管基板内部形成太大的孔洞，据此，通过本发明的制备方法所制备的显示面板具有高操作可靠性。并且，于步骤(E)中施加碱性液，可中和蚀刻反应的产物，防止蚀刻反应的产物破坏半导体层，进而避免组件起始电压产生负偏情形，有效减少色晕(mura)发生，即可降低产品缺陷率。
[0013]并且，本发明另提供一种显示面板，是由上述显示面板的制备方法所制备，该显示面板包括:一第一基板；一氧化半导体层，设置于该基板上；一栅极电极，设置于该基板上并对应该氧化半导体层；一源极电极与一漏极电极，设置于该氧化半导体层上，其中该源极电极与该漏极电极具有一侧壁，该侧壁包含一凹陷部，且该凹陷部占该侧壁的总面积系大于0%且小于等于50% ;—第二基板，设置于该第一基板的对侧；以及复数个液晶单元，设置于该第一基板与该第二基板之间。
【附图说明】
[0014]图1A至IG是本发明一较佳实施例的显示面板的制备方法示意图。
[0015]图1E’是图1E的另一实施态样的示意图。
[0016]图2是本发明另一较佳实施例的薄膜晶体管基板示意图。
[0017]图3是本发明再一较佳实施例的薄膜晶体管基板示意图。
[0018]图4是本发明又一较佳实施例的薄膜晶体管基板示意图。
[0019]图5是本发明一较佳实施例的显示面板示意图。
[0020]图6是本发明比较例的薄膜晶体管基板示意图。
[0021 ] 附图中符号说明:
[0022]100, 200薄膜晶体管基板；300液晶单元；400对侧基板；500显示面板；10，20，30基础单元；1基板；2第一绝缘层；3第二绝缘层；4栅极电极；5氧化半导体层；6金属层；61源极电极;62漏极电极；611，612，621，622侧壁；7光阻；8第三绝缘层；81，82，83，84孔洞；85，86，87，88凹陷部；9缓冲层。
【具体实施方式】
[0023]以下是由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明亦可由其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可针对不同观点与应用，在不悖离本发明的精神下进行各种修饰与变更。
[0024]实施例
[0025]请参阅图1A至1G，为本发明的显示面板的制备方法示意图。
[0026]首先，如图1A所示，提供一基板1、一第一绝缘层2及一第二绝缘层3，依序设置于该基板I上；一栅极电极4，设置于该基板I上且位于该第一绝缘层2与该基板I之间；以及一氧化半导体层5，设置于该基板I上且位于该第一绝缘层2与该第二绝缘层3之间；其中该栅极电极4对应该氧化半导体层5。
[0027]接着，如图1B所示，形成一金属层6于该氧化半导体层5上。于此，可利用各种技术沉积单层或多层结构的金属层6，其方法包括电镀、无电电镀、蒸镀、溅镀及其组合。于本发明中，该金属层6的结构可为包含铝(Al)的一单层结构或一多层结构，该多层结构可包含至少两种金属是选自由:钥(Mo)、铝(Al)、及钛(Ti)所组群组，例如:钥(Mo)/铝(Al)/钥(Mo)、钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)或钛(Ti)/铝(Al)/钥(Mo)的三层结构金属层。
[0028]然后，请参见图1C，利用微影蚀刻工艺，形成一光阻7于该金属层6上并使用一蚀刻液蚀刻该金属层6，如图1D所示，经图案化后，形成一源极电极61与一漏极电极62，且源极电极61与漏极电极62互相隔离。其中，该蚀刻液可为一种以上选自由:硝酸、磷酸、醋酸或其所组成的群组，例如:一包含硝酸、磷酸、及醋酸的蚀刻液。此外，于此步骤中可使用各种技术图案化金属层，包括湿蚀刻、电化学蚀刻及其定义该源极电极61与该漏极电极62的蚀刻光罩(图未示)的组合。
[0029]然后，请参见图1E，加热该光阻7，使该光阻7覆盖该源极电极61的侧壁611，612与该漏极电极62的侧壁621，622。其中，加热该光阻7可于100度至150度的温度范围内进行2分钟至60分钟，较佳为于110度至140度的温度范围内进行3分钟至30分钟；然而，加热的条件可由本领域技术人员根据使用的光阻种类及加热方式而调整。此外，经加热该光阻7后，以任一侧壁611或612或621或622的总面积为100%为基准，该光阻7覆盖该侧壁611或612或621或622的面积为50%以上，较佳的情况为该光阻7完全覆盖该侧壁611、612、621及622。请参照图1E，其为该光阻7完全覆盖该侧壁611或612或621或622的示意图；另请参照图1E’，其为该光阻7覆盖该侧壁611或612或621或622的面积为约60%的示意图。于本发明中，「完全覆盖」一词表示该光阻7覆盖该侧壁611或612或621或622的全部面积，即该光阻7覆盖该侧壁611或612或621或622的面积为100%。
[0030]然后，如图1F所示，于该基板I上施加一碱性液，更明确的说，是于该光阻7/该源极电极61与该漏极电极62/该第二绝缘层3的结构上施加一碱性液。接着，移除该光阻7以显露该源极电极61与该漏极电极62，通常是通氧气或是使用酸液移除该光阻7。最后，可视实际需求设置一第三绝缘层8于该源极电极61与该漏极电极62上，完成一薄膜晶体管基板100。其中，该碱性液可为一含氢氧基(OH)的显影液，且该碱性液的酸碱值可大于pH7小于等于PH14，较佳为介于pH12至pH14之间；然而，该碱性液的酸碱值可由本领域技术人员根据实际蚀刻反应的产物而调整，例如:当使用一包含硝酸、磷酸、及醋酸的蚀刻液蚀刻钥(Mo)/铝(Al)/钥(Mo)的三层结构金属层6时，蚀刻反应后会产生包含氢的酸根，因此，需选用碱性液中和氢的酸根，防止氧化半导体层5因为受到氢的酸根影响而导致该薄膜晶体管基板10