Electrodes 105(包括阴极Cathode 104)与所述半导体衬底构成两个或这两个以上的不同击穿电压的二极管。其中，所述的电极Electrodes 105包括至少一个或一个以上电极，以及一个阴极Cathode 104。
[0053]P型掺杂的半导体衬底P-type substrate(Anode) 101与N型低掺杂的低掺杂漂移区N-type drift reg1n 102间形成PN结PN junct1n 103;因此，P型掺杂的半导体衬底P-type substrate(Anode) 101 与N型低惨杂的低惨杂漂移区N-type drift reg1n 102可构成电学结构上的阳极和阴极，通过外接电极Electrodes 105和阴极Cathode 104构成完整的二极管结构。
[0054]通过在低惨杂漂移区N-type drift reg1n 102上外接多个到PN结PN junct1n103距离不同的电极Electrodes 105和阴极Cathode 104，在N型低掺杂漂移区N-typedrift reg1n 102内形成多个击穿电压BV不同的电学结构上的二极管。
[0055]图1中虚线连接结构表示的是多个不同的二极管的连接关系，具体的，二极管D1de 106即为阴极Cathode 104与阳极，即P型惨杂的半导体衬底P-type substrate(Anode )101构成的二极管结构，虚线表示电学连接关系；根据电极Electrodes 105和阴极Cathode 104到PN结PN junct1n 103的距离，形成击穿电压不同的二极管，且共用衬底；因此，形成的集成结构所占用的空间大大降低。
[°°56] 电极Electrodes 105(包括Cathode 104)的位置以及它们与PN结的距离决定了单个二极管的BV。单个二极管的BV通常可以通过实验或者仿真计算来确定。
[0057]同时，通过颠倒掺杂属性，也可以形成共阴极集成二极管。
[0058]参见图2，本实施例提供的共极集成二极管的另一种结构:共阴极集成二极管;包括:N型掺杂的半导体衬底N-type 81^81:^七6(4110(16)110;所述半导体衬底1'|-七5^6substrate(Cathode)110上设置一P型低掺杂的低掺杂漂移区P-type drift reg1n 120；所述低掺杂漂移区P_type drift reg1n 120上连接两个或者两个以上的电极Electrodes150(包括阳极 Anode 140)。
[0059]其中，N型掺杂的半导体衬底N-type substrate(Cathode)110与P型低掺杂的低掺杂漂移区P-type drift reg1n 120间形成PN结PN junct1n 130;所述两个或者两个以上的电极Electrodes 150(包括阳极Anode 140)与所述半导体衬底构成两个或这两个以上的不同击穿电压的二极管。其中，所述的电极Electrodes 150包括至少一个电极，以及一个阳极Anode 140。
[0060]N型掺杂的半导体衬底N-type substrate (Cathode )110与P型低掺杂的低掺杂漂移区P-type drift reg1n 120间形成PN结PN junct1n 130;因此，N型掺杂的半导体衬底N-type substrate(Cathode)110与P型低惨杂的低惨杂漂移区P-type drift reg1n 120可构成电学结构上的阴极和阳极，通过外接电极Electrodes 150和阳极Anode 140构成完整的二极管结构。
[0061 ] 通过在低惨杂漂移区P-type drift reg1n 120上外接多个到PN结PN junct1n130距离不同的电极Electrodes 150和阳极Anode 140，在P型低掺杂的低掺杂漂移区P-type drift reg1n 120内形成多个击穿电压BV不同的电学结构上的二极管。
[0062]图2中虚线连接结构表示的是多个不同的二极管的连接关系，具体的，二极管D1de 160即为阳极Anode 140与阴极，即N型惨杂的半导体衬底N-type substrate(Cathode) 110构成的二极管结构，虚线表示电学连接关系；根据电极Electrodes 150和Anode 140到PN结PN junct1n 130的距离，形成击穿电压不同的二极管，且共用衬底；因此，形成的集成结构所占用的空间大大降低。
[0063]电极Electrodes150的位置以及它们与PN结的距离决定了单个二极管的BV。单个二极管的BV通常可以通过实验或者仿真计算来确定。
[0064]实施例2
[0065]参见图3和图4，本实施例提供的共极集成二极管在上述实施例一的基础上，针对所述共阳极集成二极管设置独立的重掺杂P型区构成P型重掺杂的阳极Anode(P-type)205，以替代衬底的阳极功能。或者针对所述共阴极集成二极管设置独立的重掺杂N型区构成N型重掺杂的阴极Cathode(N-type)240，以替代衬底的阴极功能。
[0066]参见图3，本实施例提供的一种共极集成二极管为共阳极集成二极管，包括:半导体衬底substrate 201以及设置在其内的一N型低掺杂漂移区N-type drift reg1n 202；所述N型低掺杂漂移区内设置一重掺杂P型区构成P型重掺杂的阳极Anode(P-type)203;所述低掺杂漂移区N-type drift reg1n 202上连接两个或者两个以上的电极Electrodes205(包括阴极Cathode 204)。
[0067]其中，N型低掺杂的低掺杂漂移区N-type drift reg1n 202与P型重掺杂的阳极Anode (P-type) 203间形成PN结；所述两个或者两个以上的电极E Ie ctrode s 205和阴极Cathode 204与阳极Anode(P_type)203构成两个或这两个以上的不同击穿电压的二极管。
[0068]所述重掺杂P型区的掺杂浓度比所述N型低掺杂漂移区的掺杂浓度高至少一个数量级。
[0069]其中，所述P型重掺杂的阳极Anode(P-type) 203构成所述共阳极集成二极管的阳极;所述两个或者两个以上的电极Electrodes 205(包括阴极Cathode 204)构成所述共阳极集成二极管的阴极，且与所述阳极Anode(P-type)203构成两个或这两个以上的不同击穿电压的二极管。
[0070]半导体衬底substrate 201可为本征，P型掺杂，或N型掺杂；阳极Anode(P-type)203与N型低掺杂漂移区N-type drift reg1n 202间形成PN结；因此，阳极Anode(P-type)203与N型低掺杂漂移区N-type drift reg1n 202可构成电学结构上的阳极和阴极，通过N型低掺杂漂移区N-type drift reg1n 202上外接电极Electrodes 205以及阴极Cathode204构成完整的多个二极管结构。
[0071]图3中虚线连接结构表示的形成的多个不同的二极管，二极管D1de206即为阴极Cathode 204与阳极Anode (P-type) 203构成的二极管结构，虚线表示电学连接关系;根据电极Electrodes 205和阴极Cathode 204到PN结的距离，形成击穿电压不同的二极管;其阳极共用P型重掺杂的Anode (P-type) 203，因此，其实质上是在由距离PN结最远的阴极Cathode204和P型重掺杂的Anode(P-type)203之间构成多个击穿电压较小的多个共阳极二极管，形成的集成结构所占用的空间大大降低。
[0072]电极Electrodes205和阴极Cathode204的位置以及它们与左端PN结的距离决定了单个二极管的BV。单个二极管的BV通常可以通过实验或者仿真计算来确定。
[0073]同时，本实施例还通过颠倒掺杂属性，提供一种共阴极集成二极管。
[0074]参见图4，本实施例提供的一种共极集成二极管为共阴极集成二极管，包括:半导体衬底substrate 210以及设置在其内的一P型低掺杂的低掺杂漂移区P_type driftreg