一种片式电阻器的封端方法
【技术领域】
[0001]本发明属于电子制备工艺领域，尤其涉及一种片式电阻器的封端方法。
【背景技术】
[0002]随着科技的不断进步，电子设备在日常生活中的应用越来越多，对于电子设备的质量要求越来越高，伴随着对于电子元气件的质量与制备工艺的要求也在提升。对于电子片式电阻器的封端工艺，在很大程度上影响了电阻元件的性能，对于所使用的电子设备的功能有很大的影响。
【发明内容】
[0003]本发明旨在提供一种简单易于操作的片式电阻器的封端方法。
[0004]一种片式电阻器的封端方法，其特征在于包括如下步骤:
(1)选用背面光滑的陶瓷基片，在基片上先后印刷背电极、面电极、电阻浆，并且经过烧结、激光调阻等工序，形成电阻体；
(2)然后印刷两次玻璃保护层和电阻标记，并进行烧结；
(3)沿着基片横向沟槽将基片掰断成为条状体；
(4 )在条状基片两边涂以导电浆料，使底电极和面电极得以连通成为一个等电整体，经烘干、烧结后，使端头电极牢固地附在电阻体两端。
[0005]本发明所述的一种片式电阻器的封端方法，其特征在于所述步骤(I)中基片的正面均匀分布纵、横向的细小沟槽。
[0006]本发明所述的一种片式电阻器的封端方法，其特征在于所述步骤(4)中的电浆料为银浆。
[0007]本发明所述的一种片式电阻器的封端方法，其特征在于所述步骤(4)中的电阻体的规格为2mmX 1.27mm。
[0008]本发明所述的一种片式电阻器的封端方法，其特征在于所述步骤(4)中的涂覆浆料的精度为±0.005mm。
[0009]本发明所述片式电阻器的封端方法，通过对其工艺的改进使得电阻器的封端工艺更加的切近电子设备的需求，封端工艺的精度得到提升，电阻器的质量得到提高，一致性良好，工作稳定。本发明所述片式电阻器的封端方法，操作简单且易于推广。
【具体实施方式】
[0010]一种片式电阻器的封端方法，包括如下步骤:
(1)选用背面光滑的陶瓷基片，在基片上先后印刷背电极、面电极、电阻浆，并且经过烧结、激光调阻等工序，形成电阻体；
(2)然后印刷两次玻璃保护层和电阻标记，并进行烧结；
(3)沿着基片横向沟槽将基片掰断成为条状体，这个过程称为一次分割，一次分割的目的是便于对片式电阻器进行封端；
(4 )在条状基片两边涂以导电浆料，使底电极和面电极得以连通成为一个等电整体，经烘干、烧结后，使端头电极牢固地附在电阻体两端。
[0011]本发明所述的一种片式电阻器的封端方法，所述步骤(I)中基片的正面均匀分布纵、横向的细小沟槽。在片式电阻器实际应用场合，即表面贴装工艺SMT当中，底电极是用于贴在电路板上并加以焊接，使片式电阻牢固地安装在电路板上。为了焊接后电阻体能与电路连通，就必须应用封端工艺使片式电阻的底电极与面电极预先连通。所述步骤(4)中的电浆料为银浆。所述步骤(4)中的电阻体的规格为2mmX 1.27mm。所述步骤(4)中的涂覆浆料的精度为±0.005mm,以满足产品一致性良好工作稳定的要求，其中条状基片两端深浅偏差为0.01 mm，涂封深度波动为±0.01 mm。
【主权项】
1.一种片式电阻器的封端方法，其特征在于包括如下步骤:(I)选用背面光滑的陶瓷基片，在基片上先后印刷背电极、面电极、电阻浆，并且经过烧结、激光调阻等工序，形成电阻体；(2)然后印刷两次玻璃保护层和电阻标记，并进行烧结；(3)沿着基片横向沟槽将基片掰断成为条状体；(4)在条状基片两边涂以导电浆料，使底电极和面电极得以连通成为一个等电整体，经烘干、烧结后，使端头电极牢固地附在电阻体两端。2.如权利要求1所述的一种片式电阻器的封端方法，其特征在于所述步骤(I)中基片的正面均匀分布纵、横向的细小沟槽。3.如权利要求1所述的一种片式电阻器的封端方法，其特征在于所述步骤(4)中的电浆料为银浆。4.如权利要求1所述的一种片式电阻器的封端方法，其特征在于所述步骤(4)中的电阻体的规格为2mmX 1.27mm。5.如权利要求1所述的一种片式电阻器的封端方法，其特征在于所述步骤(4)中的涂覆浆料的精度为±0.005mm。
【专利摘要】一种片式电阻器的封端方法，属于电子制备工艺领域。选用背面光滑的陶瓷基片，在基片上先后印刷背电极、面电极、电阻浆，并且经过烧结、激光调阻等工序，形成电阻体；然后印刷两次玻璃保护层和电阻标记，并进行烧结；沿着基片横向沟槽将基片掰断成为条状体；在条状基片两边涂以导电浆料，使底电极和面电极得以连通成为一个等电整体，经烘干、烧结后，使端头电极牢固地附在电阻体两端。通过对其工艺的改进使得电阻器的封端工艺更加的切近电子设备的需求，封端工艺的精度得到提升，电阻器的质量得到提高，本发明所述片式电阻器的封端方法，操作简单且易于推广。
【IPC分类】H01C17/00
【公开号】CN105632666
【申请号】CN201410598091
【发明人】刘秋丽
【申请人】陕西高华知本化工科技有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2014年10月31日