B)离子或镓(Ga)离子。
[0041]步骤3、如图6-7所示，在所述多晶硅层30、及缓冲层21上形成栅极绝缘层31，在所述栅极绝缘层31上通过物理气相沉积方法形成栅极金属层，对该栅极金属层进行图案化处理，得到对应第一沟道区304上方的第一栅极43、及对应第二沟道区305上方的第二栅极44、以及连接第一栅极43与第二栅极44的栅极扫描线41，同时在所述栅极扫描线41的侧边形成数个与其相连的防静电凸块42。
[0042]具体的，沿所述栅极扫描线41的延伸方向，每三个相邻的多晶硅层30之间(即每三个相邻的像素区内部)设置一个防静电凸块42。
[0043]具体的，所述栅极金属层的材料可以是钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)中的一种或多种的堆栈组合。
[0044]具体的，所述栅极绝缘层31为氧化硅(S1x)层、氮化硅(SiNx)层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。
[0045]步骤4、如图8-9所示，在所述第一、第二栅极43、44、栅极扫描线41、及栅极绝缘层31上方形成层间绝缘层50，对所述层间绝缘层50及栅极绝缘层31进行图案化处理，在所述层间绝缘层50及栅极绝缘层31上形成对应第一重掺杂区301与第二重掺杂区302上方的的第一过孔51，在所述层间绝缘层50上形成对应所述防静电凸块42上方的第二过孔52。
[0046]具体的，所述层间绝缘层50为氧化硅(S1x)层、氮化硅(SiNx)层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。
[0047]步骤5、如图10-11所示，在层间绝缘层50上通过物理气相沉积方法形成覆盖整个层间绝缘层50的源漏极金属层60，所述源漏极金属层60通过第一过孔51与第一重掺杂区301及第二重掺杂区302相接触，同时通过第二过孔52与所述栅极扫描线41侧边的防静电凸块42相接触，由于所述栅极扫描线41连接第一、第二栅极43、44，从而所述源漏极金属层60与所述第一、第二栅极43、44相连接，同时所述源漏极金属层60还与多晶硅层30相连接，从而使得多晶硅层30与第一、第二栅极43、44之间的电压为零，避免了源漏极金属层60的成膜过程中多晶硅层30与第一、第二栅极43、44之间发生静电放电现象。
[0048]具体的，所述源漏极金属层60的材料可以是钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)中的一种或多种的堆桟组合。
[0049]步骤6、如图12-13所示，采用一道光刻制程对所述源漏极金属层60进行图案化处理，得到源极61与漏极62，所述源极61、漏极62分别通过第一过孔51与第一重掺杂区301、及第二重掺杂区302相接触。
[0050]具体的，所述光刻制程包括光阻涂布、曝光、显影、干蚀刻、及光阻剥离制程。在干蚀刻过程中，所述源漏极金属层60沉积于第二过孔52中的部分被蚀刻掉，从而得到的源极61、漏极62与栅极扫描线41、及第一、第二栅极43、44之间断开连接。
[0051]综上所述，本发明提供的一种TFT基板的制作方法，通过在栅极扫描线的侧边形成防静电凸块，之后在层间绝缘层上形成对应所述防静电凸块上方的第二过孔，从而在沉积源漏极金属层后，所述源漏极金属层通过第二过孔与所述栅极扫描线侧边的防静电凸块相接触，由于所述栅极扫描线连接第一、第二栅极，从而所述源漏极金属层与所述第一、第二栅极相连接，同时所述源漏极金属层还与多晶硅层相连接，从而使得多晶硅层与第一、第二栅极之间的电压为零，不仅能够确保在源漏极金属层的成膜过程中不会发生静电放电现象，而且能够有效降低在源漏极金属层的光刻制程完成前静电放电现象的发生率;另外，由于栅极扫描线的侧边设置有连通防静电凸块的第二过孔，从而在栅极扫描线发生断路时，便于采用化学气相沉积的方法进行修补。
[0052]以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤: 步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上形成遮光金属层，对所述遮光金属层进行图案化处理，得到数个遮光金属块(20)，在所述数个遮光金属块(20)、及基板(10)上形成缓冲层(21); 步骤2、在所述缓冲层(21)上形成数个间隔设置的多晶硅层(30)，每个多晶硅层(30)包括位于两端的第一重掺杂区(301)与第二重掺杂区(302)、位于中间的第三重掺杂区(303)、位于所述第一重掺杂区(301)与第三重掺杂区(303)之间的第一沟道区(304)、及位于所述第二重掺杂区(302)与第三重掺杂区(303)之间的第二沟道区(305);所述第一沟道区(304)与第二沟道区(305)分别对应一遮光金属块(20)上方设置； 步骤3、在所述多晶硅层(30)、及缓冲层(21)上形成栅极绝缘层(31)，在所述栅极绝缘层(31)上通过物理气相沉积方法形成栅极金属层，对该栅极金属层进行图案化处理，得到对应第一沟道区(304)上方的第一栅极(43)、及对应第二沟道区(305)上方的第二栅极(44)、以及连接第一栅极(43)与第二栅极(44)的栅极扫描线(41)，同时在所述栅极扫描线(41)的侧边形成数个与其相连的防静电凸块(42); 步骤4、在所述第一、第二栅极(43、44)、栅极扫描线(41)、及栅极绝缘层(31)上方形成层间绝缘层(50)，对所述层间绝缘层(50)及栅极绝缘层(31)进行图案化处理，在所述层间绝缘层(50)及栅极绝缘层(31)上形成对应第一重掺杂区(301)及第二重掺杂区(302)上方的的第一过孔(51)，在所述层间绝缘层(50)上形成对应所述防静电凸块(42)上方的第二过孔(52); 步骤5、在层间绝缘层(50)上通过物理气相沉积方法形成覆盖整个层间绝缘层(50)的源漏极金属层(60)，所述源漏极金属层(60)通过第一过孔(51)与第一重掺杂区(301)及第二重掺杂区(302)相接触，同时通过第二过孔(52)与所述栅极扫描线(41)侧边的防静电凸块(42)相接触，由于所述栅极扫描线(41)连接第一栅极(43)与第二栅极(44)，从而所述源漏极金属层(60)与所述第一、第二栅极(43、44)相连接，同时所述源漏极金属层(60)还与多晶硅层(30)相连接，从而使得多晶硅层(30)与第一、第二栅极(43、44)之间的电压为零，避免了源漏极金属层(60)的成膜过程中多晶硅层(30)与第一、第二栅极(43、44)之间发生静电放电现象； 步骤6、采用一道光刻制程对所述源漏极金属层(60)进行图案化处理，得到源极(61)与漏极(62)，所述源极(61)、漏极(62)分别通过第一过孔(51)与第一重掺杂区(301)及第二重惨杂区(302)相接触。2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤I中，所述基板(10)为透明基板，所述缓冲层(21)为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，所述第一重掺杂区(301)、第二重掺杂区(302)、及第三重掺杂区(303)均为N型重掺杂区或P型重掺杂区。4.如权利要求3所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述N型重掺杂区中掺入的离子为磷离子或砷离子;所述P型重掺杂区中掺入的离子为硼离子或镓离子。5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3中，沿所述栅极扫描线(41)的延伸方向，每三个相邻的多晶硅层(30)之间设置一个防静电凸块(42)。6.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3中，所述栅极金属层的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合;所述栅极绝缘层(31)为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。7.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤4中，所述层间绝缘层(50)为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层;所述步骤5中，所述源漏极金属层(60)的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。8.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤6中，所述光刻制程包括光阻涂布、曝光、显影、干蚀刻、及光阻剥离制程。9.如权利要求8所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，在干蚀刻过程中，所述源漏极金属层(60)沉积于第二过孔(52)中的部分被蚀刻掉，从而得到的源极(61)、漏极(62)与栅极扫描线(41)、及第一、第二栅极(43、44)之间断开连接。
【专利摘要】本发明提供一种TFT基板的制作方法，通过在栅极扫描线的侧边形成防静电凸块，之后在层间绝缘层上形成对应所述防静电凸块上方的第二过孔，从而在沉积源漏极金属层后，所述源漏极金属层通过第二过孔与所述栅极扫描线侧边的防静电凸块相接触，由于所述栅极扫描线连接第一、第二栅极，从而所述源漏极金属层与所述第一、第二栅极相连接，同时所述源漏极金属层还与多晶硅层相连接，从而使得多晶硅层与第一、第二栅极之间的电压为零，不仅能够确保在源漏极金属层的成膜过程中不会发生静电放电现象，而且能够有效降低在源漏极金属层的光刻制程完成前静电放电现象的发生率。
【IPC分类】H01L27/12, H01L23/60, H01L21/77
【公开号】CN105679764
【申请号】CN201610011881
【发明人】王威, 李安石
【申请人】武汉华星光电技术有限公司
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2016年1月7日