一种led光源结构及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种LED光源结构，包括陶瓷基板，陶瓷基板上设有导通电路，陶瓷基板上还设有阻焊结构，阻焊结构环绕设置在导通电路外部，阻焊结构上设有挡圈，阻焊结构内的陶瓷基板上设有热沉，热沉上设有LED芯片，LED芯片通过金线与导通电路连接；所述挡圈与陶瓷基板围成的空间内覆盖有硅胶透镜；同时还公开了光源结构的制备方法。本发明结构简单，直接将到导通电路与陶瓷基板共烧一体，将LED芯片通过热沉固定的基板上，本发明方法避免单颗光源的贴片工序，降低成本，并且陶瓷及烧结电路可靠，提高LED的整体稳定性，同时不与其它材料发生反应，提高LED的寿命。
【专利说明】
一种LED光源结构及其制备方法
技术领域
[0001 ]本发明属于LED光源技术领域，具体涉及一种LED光源结构。
【背景技术】
[0002]LED作为新照明技术，其节能效果好、长寿命、启动快、可控制发光频谱而取得优良光品质等特点取得公认的效果，随着LED光源的普及，LED使用中的各种问题均暴露出来，随着LED的功率的提高，及集成使用，热量散出、光效提高及时从芯片热沉处散出问题更为突出，与此同时，降低成本成为需解决的问题。影响LED功率的问题之一是LED发光时伴随80%功率的热能的散发，如散热不良直接影响LED的光衰的效果，温度每升高I度，光衰约I %，同时，过高的温度直接影响LED芯片的寿命，因此，提高散热性能、提高光效、降低成本是LED封装结构上需解决的问题。
[0003]现行大功率LED支架大部分为铜、铝复合基板，COB铝、铜复合基板支架，LED晶片直接安装在复合基板的固晶区上，打线区由铜箔蚀刻而成，并于其他电路相通。上述结构存在以下问题:采用铝、铜基复合基板，由金属基板及铜箔用有机粘结绝缘层复合而成，采用有机材料，存在热阻高的问题，热导为I?2.2w/mk;有机材料存在长时间使用老化的问题;膨胀系数与LED晶片(铜:17.7X10—6/K，铝:23X10—6/K，LED芯片5.2X10—6/Κ:)存在不匹配的问题;随着高功率LED的使用，其散热量亦增大，因散热不良，导致晶片温升，光衰加剧，亮度及寿命降低，因膨胀系数不匹配，导致焊接面产生裂纹或完全断裂，热阻进一步加大，热量无法有效散出。
[0004]除上述问题外，还存在封装工艺繁琐、挡光及可靠性问题:如在封装前将挡圈制造完成，一般采用耐高温胶粘合金属或非金属圈，存在可靠性差问题，会脱离基板面或漏胶；如直接采用基板在封装过程中涂覆胶圈，有涂覆及烘干工艺，较为繁琐，二者均存在在光源使用过程因老化、热疲劳等导致脱落等问题，导致光源损坏;且挡圈存在高度，会将侧出光挡住或吸收，导致光效降低。因此急需一种光效高、寿命长、可靠性高的LED光源结构。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种LED光源结构，同时该光源结构的制备方法。
[0006]为实现上述目的，本发明采用如下技术方案:
[0007]—种LED光源结构，包括陶瓷基板，陶瓷基板上设有导通电路，所述导通电路可以通过厚膜印刷烧结、真空镀膜蚀刻等方法固定在陶瓷基板上，一体成型；陶瓷基板上还设有阻焊结构，阻焊结构环绕设置在导通电路外部，阻焊结构上设有挡圈，阻焊结构内的陶瓷基板上设有热沉，热沉上设有LED芯片，LED芯片通过金线与导通电路连接;所述挡圈与陶瓷基板围成的空间内覆盖有硅胶透镜。
[0008]优选的，为了达到更好的散热和绝缘效果，所述陶瓷基板为氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷;所述阻焊结构的材质为玻璃、陶瓷或绝缘的有机材料;所述挡圈材质为硅胶、玻璃或陶瓷。
[0009]为了达到更好的效果，所述热沉为金属热沉;所述LED芯片为多个。多个LED芯片可以通过陶瓷基板上的导通电路进行串联或并联，实现整个光源结构的高功率。
[0010]为提高光效率，降低电阻，减少发热，所述导通电路的材质为金属。
[0011]上述LED光源结构的制备方法，包括以下步骤:将陶瓷基板切割、清洗后，利用厚膜法或移印法在陶瓷基板上制作电路图形，接着在850-900 0C下烧结15-30min得到与陶瓷基板一体的导通电路，再采用传统常用方式将其他部件组装即可;其中所述导通电路的厚度为5_50ymo
[0012]所述所述厚膜法是采用丝网印刷方式，将电路金属浆料通过带有线路图形的丝网的网孔转移到陶瓷基板表面，从而形成各种不同的电路图形。
[0013]所述移印法是采用制作所需电路图形的钢板，将电路金属浆料填充在钢板上的图形凹槽内，然后通过柔性转印头挤压钢板，使得凹槽内的浆料粘附在转印头上，然后将转印头在陶瓷基板上相应的位置进行挤压，使金属浆料粘附在陶瓷基板上并保持填充在钢板上的形状，从而形成各种不同的电路图形。
[0014]上述LED光源结构还可以采用以下方法进行制备，将陶瓷基板切割、清洗后，利用薄膜法在陶瓷基板上制作导通电路，再采用传统常用方法将其他部件组装即可;其中所述导通电路的厚度为3-200μπι。
[0015]所述薄膜法采用真空镀膜方法，在陶瓷表面形成所需的金属层，通过电镀或者化学镀形成陶瓷金属化板材，通过蚀刻形成所需的电路，然后通过电镀或化学镀在线路上镀上相应的功能层从而形成陶瓷基板上的导通电路。
[0016]本发明结构简单，直接将到导通电路与陶瓷基板共烧一体，利用陶瓷的高导热性(96 %氧化铝陶瓷热导为16?20W/mk)，可以将热量导出，降低LED芯片问题的概率，同时陶瓷绝缘性高，提高电路安全性及安装光源的安全性，提高了光源的寿命;陶瓷和导线具有高反光性，将光线反射至上方，同时挡圈可将芯片及光源内部侧出光导出，提高了光效;硅胶透镜一方面能够提高光效，另一方面可以固化、保护光源的内部结构，提高了光源的可靠性;本发明方法简单将LED芯片通过热沉固定的基板上，避免单颗光源的贴片工序，降低成本，并且陶瓷及烧结电路可靠，提高LED的整体稳定性，同时不与其它材料发生反应，提高LED的寿命。
【附图说明】
[0017]图1为本发明结构示意图。
【具体实施方式】
[0018]如图1所示的LED光源结构，包括陶瓷基板I，陶瓷基板I上设有导通电路2，陶瓷基板I上还设有阻焊结构3，阻焊结构3环绕设置在导通电路2外部，阻焊结构3上设有挡圈4，阻焊结构3内的陶瓷基板I上设有热沉5，热沉5上设有LED芯片6，LED芯片6通过金线7与导通电路2连接;所述挡圈4与陶瓷基板I围成的空间内覆盖有硅胶透镜8。
[0019]所述陶瓷基板I为氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷;所述阻焊结构3的材质为玻璃、陶瓷或绝缘的有机材料;所述挡圈材质4为硅胶、玻璃或陶瓷;所述热沉5为金属热沉;所述LED芯片6为多个。
[0020]实施例1
[0021]LED光源结构的制备方法，包括以下步骤:将陶瓷基板用激光切割、喷砂清洗后，采用丝网印刷方式，将电路金属浆料通过带有线路图形的丝网的网孔转移到陶瓷基板表面，在陶瓷基板上制作电路图形，接着在870°C下烧结20min得到与陶瓷基板一体的导通电路，再采用传统常用方式将其他部件组装即可;其中所述导通电路的厚度为5-10μπι;
[0022]实施例2
[0023]LED光源结构的制备方法，包括以下步骤:将陶瓷基板用激光切割、喷砂清洗后，采用制作所需电路图形的钢板，将电路金属浆料填充在钢板上的图形凹槽内，然后通过柔性转印头挤压钢板，使得凹槽内的浆料粘附在转印头上，然后将转印头在陶瓷基板上相应的位置进行挤压，使金属浆料粘附在陶瓷基板上并保持填充在钢板上的形状，在陶瓷基板上制作电路图形，接着在850-900 0C下烧结15-30min得到与陶瓷基板一体的导通电路，再采用传统常用方式将其他部件组装即可;其中所述导通电路的厚度为5_20μπι。
[0024]实施例3
[0025]LED光源结构的制备方法，包括以下步骤:将陶瓷基板用激光切割、喷砂清洗后，采用真空镀膜方法，在陶瓷表面形成所需的金属层，通过电镀或者化学镀形成陶瓷金属化板材，通过蚀刻形成所需的电路，然后通过电镀或化学镀在线路上镀上相应的功能层从而形成陶瓷基板上的导通电路，再采用传统常用方法将其他部件组装即可;其中所述导通电路的厚度为3-200μηι;根据成本和性能要求可以做到0.1?ΙΟμπι。
【主权项】
1.一种LED光源结构，其特征在于:包括陶瓷基板，陶瓷基板上设有导通电路，陶瓷基板上还设有阻焊结构，阻焊结构环绕设置在导通电路外部，阻焊结构上设有挡圈，阻焊结构内的陶瓷基板上设有热沉，热沉上设有LED芯片，LED芯片通过金线与导通电路连接;所述挡圈与陶瓷基板围成的空间内覆盖有硅胶透镜。2.如权利要求1所述的一种LED光源结构，其特征在于，所述陶瓷基板为氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷;所述阻焊结构的材质为玻璃、陶瓷或绝缘的有机材料;所述挡圈材质为硅胶、玻璃或陶瓷。3.如权利要求2所述的一种LED光源结构，其特征在于，所述热沉为金属热沉;所述LED芯片为多个;所述导通电路的材质为金属银。4.权利要求1-3任一所述的LED光源结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤:将陶瓷基板切割、清洗后，利用厚膜法或移印法在陶瓷基板上制作电路图形，接着在850-900°C下烧结15-30min得到与陶瓷基板一体的导通电路，再将其他部件组装即可;其中所述导通电路的厚度为5_50μπι。5.如权利要求4所述的的LED光源结构的制备方法，其特征在于，所述厚膜法是采用丝网印刷方式，将电路金属浆料通过带有线路图形的丝网的网孔转移到陶瓷基板表面，从而形成各种不同的电路图形。6.如权利要求4所述的的LED光源结构的制备方法，其特征在于，所述移印法是采用制作所需电路图形的钢板，将电路金属浆料填充在钢板上的图形凹槽内，然后通过柔性转印头挤压钢板，使得凹槽内的浆料粘附在转印头上，然后将转印头在陶瓷基板上相应的位置进行挤压，使金属浆料粘附在陶瓷基板上并保持填充在钢板上的形状，从而形成各种不同的电路图形。7.权利要求1-3任一所述的LED光源结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤:将陶瓷基板切割、清洗后，利用薄膜法在陶瓷基板上制作导通电路，再将其他部件组装即可;其中所述导通电路的厚度为3_200μπι。
【文档编号】H01L33/64GK105870113SQ201610355896
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年5月26日
【发明人】付国军, 吴崇隽, 蔡斌斌
【申请人】郑州中瓷科技有限公司