简化的有机发射装置及其制造方法
【专利摘要】本发明提供具有简化结构的有机发射装置及其制造方法。包括依序堆叠的阳极、具有表面1A和与表面1A相反的表面2A的导电聚合物层、具有表面1B和与表面1B相反的表面2B的低分子发光层和阴极。阳极的表面与导电聚合物层的表面1A接触，导电聚合物层的表面2A与低分子发光层的表面1B接触，并且低分子发光层的表面2B与阴极的表面接触。
【专利说明】
简化的有机发射装置及其制造方法
技术领域
[0001 ]本发明涉及有机发光装置及其制造方法。
【背景技术】
[0002]有机发光装置是自发光装置，具有宽视角、优异的对比度、快速响应时间、高亮度和优异的驱动电压以及响应速率特性，并且可实现多色显示。
[0003]标准有机发光装置可包括阳极、阴极和夹置于所述阳极与所述阴极之间的有机层。有机层可包括电子注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极等。当在阳极与阴极之间施加电压时，从阳极注入的空穴通过空穴传输层被转移到发光层，并且从阴极注入的电子通过电子传输层被转移到发光层。载流子，例如电子和空穴，在发光层中复合而产生激子，当所述激子由激发态变成基态时，产生光。
[0004]为了提高装置的效率和寿命，已经以增加辅助层(或缓冲层)(例如空穴注入层、空穴传输层和电子传输层)的方式研发了有机发光装置。因此，用于制造所述装置的材料和工艺成本已经逐渐升高，而如何解决这些问题已经成为有机发光装置中的主要难题。
[0005]当在薄膜中形成有机发光装置的辅助层或将所述辅助层移除时，可能减小发光层与电极(例如，阳极或阴极)之间的距离，从而导致发光层中出现激子猝灭现象。即，辅助层，例如空穴注入层、空穴传输层和电子传输层，可起到防止发光层中出现激子猝灭现象的作用。
[0006]因此，为了制造高质量的有机发光装置，重要的是，通过移除辅助层(例如空穴注入层、空穴传输层和电子传输层)简化装置结构，将激子猝灭现象减到最少。
[0007]公开内容
[0008]技术问题
[0009]本发明涉及提供具有高效率和简化结构并且实现降低的制造成本的有机发光装置。
[0010]技术方案
[0011]根据本发明的一方面，有机发光装置包括依序堆叠的阳极、具有表面IA和与表面IA相反的表面2A的导电聚合物层、具有表面IB和与表面IB相反的表面2B的低分子发光层和阴极。阳极的表面与导电聚合物层的表面IA接触，导电聚合物层的表面2A与低分子发光层的表面IB接触，并且低分子发光层的表面2B与阴极的表面接触。导电聚合物层是单层，其包括电导率为1X10—7S/cm到小于0.1S/cm的导电聚合物和具有低表面能的材料，表面2A的具有低表面能的材料的浓度大于表面IA的具有低表面能的材料的浓度，表面2A的低未占据分子轨道(LUMO)能级的绝对值小于低分子发光层的LUMO能级的绝对值，并且表面2A起到防止激子粹灭的作用。低分子发光层包括低分子发光材料，并且所述低分子发光材料的电子迀移率与所述低分子发光材料的空穴迀移率相同，或所述低分子发光材料的电子迀移率比所述低分子发光材料的空穴迀移率大。
[0012]在一些实施方案中，表面IA的高占据分子轨道(HOMO)能级(S卩，电离电位)的绝
【附图说明】
[0026]图1是示意性地描述根据本发明的实施方案的有机发光装置的横截面的图。
[0027]
[0028]
[0029]
[0030]
【具体实施方式】
[0032]在下文中，将参考附图来全面地描述本发明的实施方案。然而，本发明可以不同形式体现并且不应被视为限定于本文所描述的实施方案。本发明应理解为包括本发明的精神和范围内包括的所有等同物和替代物。
[0033]图1是示意性地显示根据本发明的实施方案的有机发光装置100的图。有机发光装置100依序包括阳极120(其为空穴注入电极)、导电聚合物层130、低分子发光层150和阴极170(其为电子注入电极)。当在有机发光装置100的阳极120与阴极170之间施加电压时，从阳极120注入的空穴通过导电聚合物层130移动到低分子发光层150，并且从阴极170注入的电子移动到低分子发光层7150，由此使得空穴和电子在导电聚合物层130与低分子发光层150之间复合，从而产生激子。当激子由激发态转移到基态时，产生光。
[0034]导电聚合物层130包括表面1A141和与表面1A141相反的表面2A145，并且低分子发光层150包括表面1B145和与表面1B145相反的表面2B147。
[0035]阳极120的表面与导电聚合物层130的表面1A141接触，导电聚合物层130的表面2A145与低分子发光层150的表面1B145接触，并且低分子发光层150的表面2B147与阴极170的表面接触。因此，表面2A和表面IB是由相同的参考编号145来表示。
[0036]虽然未在图1中显示，但阳极120可形成在衬底上。作为衬底，可使用常规用于半导体制造工艺的衬底。例如，衬底可包括玻璃、蓝宝石、硅、氧化硅、金属箔(例如铜箔或铝箔)、钢衬底(例如不锈钢等)、金属氧化物、聚合物衬底或其两种或更多种的组合。作为金属氧化物的实例，有氧化铝、氧化钼、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡、氧化钒等。作为聚合物衬底的实例，有kapton箔、聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、多芳基化合物、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)、乙酸丙酸纤维素(CAP)等，但本发明并不限于此。
[0037]阳极120可通过使用沉积法或溅射法将阳极形成材料供应于衬底上来形成。阳极120可选自具有相对较高功函数的材料以促进空穴注入。阳极120可为反射电极或透明电极。作为阳极形成材料，可使用透明且具有优异的电导率的氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(Sn02)、氧化锌(ZnO)、金属氧化物/金属/金属氧化物多层、石墨烯、碳纳米管等。或者，阳极120可利用镁(1%)、铝(41)、银(48)^8/11'0^8/120、铝-锂(41-1^)、钙(〇&)、镁-铟(Mg-1n)、镁-银(Mg-Ag)等形成为反射电极。阳极120可包括不同种类的两种材料。例如，阳极120可形成为具有包括不同种类的两种材料的双层结构，并且可以进行各种修改。
【主权项】
1.有机发光装置，其包括: 依序堆叠的阳极、具有表面IA和与所述表面IA相反的表面2A的导电聚合物层、具有表面IB和与所述表面IB相反的表面2B的低分子发光层，以及阴极， 所述阳极的表面与所述导电聚合物层的所述表面IA接触，所述导电聚合物层的所述表面2A与所述低分子发光层的所述表面IB接触，并且所述低分子发光层的所述表面2B与所述阴极的表面接触。 所述导电聚合物层是单层，其包括电导率为1X10—7S/cm到小于0.lS/cm的导电聚合物和具有低表面能的材料，所述表面2A的具有低表面能的材料的浓度大于所述表面IA的具有低表面能的材料的浓度，所述表面2A的低未占据分子轨道(LUMO)能级的绝对值小于所述低分子发光层的LUMO能级的绝对值，并且所述表面2A起到防止激子猝灭的作用，并且 所述低分子发光层包括低分子发光材料，并且所述低分子发光材料的电子迀移率与所述低分子发光材料的空穴迀移率相同，或所述低分子发光材料的电子迀移率比所述低分子发光材料的空穴迀移率大。2.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述表面IA的高占据分子轨道(HOMO)能级的绝对值大于所述阳极的功函数。3.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述表面2A的HOMO能级的绝对值大于所述低分子发光层的HOMO能级的绝对值。4.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中在操作期间，在所述导电聚合物层与所述低分子发光层之间的界面处形成激子形成区域。5.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述具有低表面能的材料的浓度沿着从所述表面IA向所述表面2A的方向逐渐增加。6.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述具有低表面能的材料是包括至少一个氟(F)的氟化材料。
【文档编号】H01L51/54GK105932165SQ201510828120
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2015年11月24日
【发明人】不公告发明人
【申请人】青岛金智高新技术有限公司