引线键合传输线rc电路的制作方法
【专利摘要】公开了装置和相关方法，该装置和相关方法提供依赖于在部件的有用的频率范围内所施加的频率在频率响应方面显示出可调整变化的固定部件。通过提供被构造为分离与电容器对应的电极的一部分电介质的并联电阻部件，当前公开的主题提供了通常已知的传输线电容器件的改进的操作特性。
【专利说明】
引线键合传输线RC电路
技术领域
[0001]当前公开的主题涉及引线键合传输线电阻-电容(RC)电路。特别是，当前公开的主题涉及这种引线键合器件中的改进，该引线键合器件提供依赖于部件的有用的频率范围内所施加的频率在频率响应方面显示出调整的变化的固定部件。
【背景技术】
[0002]传输线电容电路可以以各种形式使用，包括当被设置成与传输线串联时用于DC阻断，当与传输线或RF源分流时用于RF和源旁路，以及在其他应用中用于阻抗匹配。这种器件仅通过无源调整信号路径的阻抗特性来操作，且具有广阔应用范围的适用性，包括光学收发器模块、宽带接收器、光传输子组件(T0SA)、光接收子组件(ROSA)和各种其他高频器件。
[0003]已经开发出对应于很多这种应用的已知的引线键合传输线电容器件，但是还没有提供满足当前需要的操作需求(诸如调整器件的可用频率范围内的响应的能力)的器件。因此，如果开发出可调整以提供与在器件的有用的频率范围内与上述器件不同响应的器件，则很有利。
【发明内容】
[0004]考虑到现有技术中遭遇的且由当前公开的主题解决的公知特征，开发出在器件的有用的操作频率内提供调整不同响应的改进的装置和方法。
[0005]根据当前公开的主题的示例性实施例的一个方面，已经提供了一种并联RC电路，其中在相对较低频率下操作的器件的初始响应调整到RC时间常数的初始响应，同时在较高频率下器件响应更多基于电容部件。在当前公开的主题的一些实施例中，电阻材料层被放置在与电容结构对应的电极之间的一些或全部区域之间以形成并联电阻-电容(RC)结构。
[0006]根据当前公开的主题的另一方面，在一些情况下，并联RC电路被配置成基于传输线的结构。在示例性的所选实施例中，这种传输线可包括背面地面(backside ground)。
[0007]根据当前公开的主题的示例性实施例的其他方面，传输线RC电路可提供有引线键合焊垫结构。在又一实施例中，传输线结构可被提供在各种基板上，每一个都为完成的结构提供附加的有利特性。在特定的有利实施例中，可以激光修整电阻材料层以提供准确的所需电阻值。
[0008]一个当前公开的示例性实施例涉及RC电路部件，用于插入到传输线中，这种电路部件包括单片基板、电容器和薄膜电阻器。优选地，这种单片基板具有顶表面;这种电容器被支撑在这种基板顶表面上且具有至少部分由介电层分开的第一和第二电极;且这种薄膜电阻器被至少部分地接收在这种电容器第一和第二电极之间，并且与该电容器并联连接。这种RC电路部件示例性实施例的频率响应依赖于部件的有用的频率范围内所施加的频率。
[0009]在这种示例性实施例的一些变形中，这种单片基板可具有相对的第一和第二纵向端部;且这种部件可进一步包括在其第一和第二纵向端部分别被支撑在该基板顶表面上的一对引线键合焊垫，且这种引线键合焊垫分别与该电容器的该第一和第二电极耦合。
[0010]在其他替代中，这种薄膜电阻器可包括被修整为提供精确的所需电阻值以适合于该部件的频率响应的电阻材料层。经由其进一步变形，该电阻材料层可包括氮化钽(TaN)、镍铬合金(NiCr)和氧化钌(RuO2)中的至少一个，且具有高达约100 Ω的片电阻。
[0011 ]对于其他变形，该基板可包括熔融硅石、石英石、氧化铝和玻璃中的至少一种。
[0012]在其他替代的示例性实施例中，这种单片基板可具有底表面;并且该部件还可包括被接收在该基板底表面上的接地电极。在其它中，该第一和第二电极可至少部分地交叠；并且该电阻器可被接收在该交叠处。对于其他替代，该介电层可包括氧氮化硅(S1N)和钛酸钡(BaT13)中的至少一种。对于其他情况，可选择该电容器和电阻器的值使得该对引线键合焊垫中每一个的阻抗约为50 Ω。
[0013]在另一当前公开的示例性实施例中，引线键合传输线RC电路可优选地包括具有顶表面、底表面和相对的第一和第二纵向端部的单片基板;电容器，被支撑在该基板顶表面上且具有第一电极和至少部分地与该第一电极交叠的第二电极，以便限定其间的电极交叠区域，该电容器还包括被接收在至少部分该电极交叠区域中的介电层;一对引线键合焊垫，其被支撑在分别在该第一和第二纵向端部处的该基板顶表面上且分别与该电容器的该第一和第二电极耦合；以及薄膜电阻器。经由该实施例，优选地，该薄膜电阻器被至少部分地接收在该电极交叠区域中，且与该电容器并联连接，和与该薄膜电阻器连接，该薄膜电阻器包括被形成为提供确定电阻值的电阻材料层，用于在电路的有用的频率范围内选择性调整该RC电路的频率响应。
[0014]经由该示例性实施例的变形，该引线键合传输线RC电路可进一步包括被接收在该基板底表面上的接地电极。在又一个这种变形中，该电阻材料层可包括氮化钽(TaN)、镍铬合金(NiCr)和氧化舒(RuO2)中的至少一种，且具有高达100 Ω的片电阻。而且，该基板可包括熔融硅石、石英石、氧化铝和玻璃中的至少一种，同时这种介电层可包括氧氮化硅(S1N)和钛酸钡(BaT13)中的至少一种。
[0015]在其他替代中，可选择该电容器的电容值和该电阻器的电阻值使得该对引线键合焊垫中每一个的阻抗为约50 Ω。
[0016]根据本文的完整公开应当理解，当前公开的主题同样囊括了对应的和/或相关的方法。例如，所囊括的方法的一个当前公开的示例性实施例涉及调整用于插入到传输线中的RC电路部件的频率响应的方法，该电路部件包括如下类型，其具有包括顶表面的单片基板、被支撑在该基板顶表面上并具有至少部分交叠且至少部分由介电层分开的第一和第二电极的电容器，经由该电路部件具有信号路径，该方法包含具有至少部分被接收在电容器和第一及第二电极之间且与该电容器并联连接的薄膜电阻器；以及形成该电阻器的电阻值以便无源调节电路信号路径的阻抗特性，用于在电路部件的有用的频率范围内选择性调整该RC电路部件的频率响应。
[0017]经由前述示例性实施例的一些变化，该方法还可包括选择该电容器的电容值以及该电阻器的电阻值，使得在相对较低频率下操作的RC电路部件的初级响应被调整为RC时间常数，同时，在较高频率下，RC电路部件响应更多地基于电容部件，因此在电路部件的有用的频率范围内，取决于施加的频率固定RC电路部件在频率响应方面具有调整的变化。
[0018]在其他当前公开的变形中，该单片基板可具有相对的第一和第二纵向端部;该方法还可包括在其所述的第一和第二纵向端部处分别提供支撑在该基板顶表面上的一对引线键合焊垫，且所述引线键合焊垫分别与该电容器的第一和第二电极耦合。
[0019]在其他当前公开的替代中，形成电阻值的该步骤可包括提供被修整为提供精确所需电阻值的电阻材料层用于调整该RC电路部件的频率响应。经由其他这种变形，该电阻材料层可包括氮化钽(TaN)、镍铬合金(NiCr)和氧化钌(RuO2)中的至少一种，且具有高达约100 Ω的片电阻。
[0020]在其他当前公开的变形中，该基板可包括熔融硅石、石英石、氧化铝和玻璃中的至少一种;这种单片基板可具有底表面，使得该方法也能进一步包括提供被接收在该基板底表面上的接地电极。
[0021]经由再一替代，该介电层可包括氮氧化硅(S1N)和钛酸钡(BaT13)中的至少一种。而且，该电容器的电容值和该电阻器的电阻值可被选择为使得所述一对引线键合焊垫中的每一个的阻抗都为约50 Ω。
[0022]再有，经由当前公开的替代方法，该单片基板可具有底表面;形成电阻值的该步骤可包括提供被修整为提供精确所需电阻值的电阻材料层，用于调整该RC电路部件的频率响应;以及该方法可进一步包括提供被接收在该基板底表面上的接地电极。
[0023]列举出当前公开的主题的其他实施例，或者根据本文的详细描述对于本领域技术人员是显而易见的。而且，还应当理解，在各实施例中实践其具体示出的、参考的以及讨论的特征和元件的修改和变化，并使用该主题而不超出该主题的精神和范围。该变形可包括但是不限于用于这些示出的、参考的或者讨论的等同装置、特征或者步骤的置换，以及各部分、特征、步骤等的功能上、操作上或者位置反转。
[0024]再有，应当理解，当前公开主题的不同实施例以及不同的当前优选的实施例可包括当前公开的特征、步骤或元件的各种组合或结构，或者其等同物(包括图中未明确示出或者该图的具体描述中未明确陈述的特征、部件或者步骤的组合或其配置)。不必在
【发明内容】
部分表达的当前公开的主题的其他实施例可包括并结合上述总结项中参考的特征、部件或步骤的各方面的各种组合，和/或在本申请中另外讨论的其他特征、部件或步骤。一旦查阅了说明书的剩余部分，本领域技术人员将更好地理解该实施例的特征和方面以及其他内容。
【附图说明】
[0025]引导向本领域技术人员的当前公开的主题的全部和开放性公开内容包括其最佳模式，参考附图在说明书中列举该全部和开放性公开内容，附图中:
[0026]图1示出了先前已知的传输线和串联的电容构造的内部配置；
[0027]图2示出了关于图1中示出的先前已知的器件的图表响应曲线；
[0028]图3示出了用于图1中示出的先前已知的器件的等效电路图；
[0029]图4示出了根据当前公开的主题包括电阻器和并联连接的电容器的传输线的示例性内部配置；
[0030]图5示出了关于图4中示出的示例性器件的图表响应曲线；
[0031]图6示出了用于图4中示出的示例性器件的等效电路图；
[0032]图7示出了关于构造为使用替代的基板材料的图1的先前已知的器件的实施例的图表响应曲线；
[0033]图8示出了使用替代基板材料的图1中示出的示范型器件的等效电路图；
[0034]图9示出了关于使用替代基板材料的图4中示出的器件的图表响应曲线；以及
[0035]图10示出了构造为使用替代基板材料构造的图4中示出的示例性当前公开器件的等效电路图。
[0036]贯穿本说明书和附图的附图标记的重复使用旨在表示相同或相似的特征或元件。
【具体实施方式】
[0037]如主题
【发明内容】
部分讨论的，当前公开的主题特别涉及到对引线键合并联连接的RC器件的改进，其提供依赖于部件有用的频率范围内所施加的频率在频率响应方面显示出变化的调整的固定部件。
[0038]选择的所公开技术各方面的组合对应于当前公开主题的多个不同实施例。应当注意，本文中列出并讨论的每一个示例性实施例都不应当暗指限制当前公开的主题。作为一个实施例的一部分示出或描述的特征或步骤可与另一实施例的各方面组合使用从而产生再一实施例。此外，某些特征可以与执行相同或相似功能的未明确提及的相似器件或特征互换。
[0039]下文具体参考主题的并联引线键合传输线RC电路的当前优选的实施例。参考附图，图1说明了被构建在基板102上的先前已知的传输线电容器100。电容器100提供有被分别放置在基板102相反端部108、110的引线键合焊垫104、106。通过电极112、114的交叠设置形成相对较小值的电容器，该电极分别耦合至引线键合焊垫104、106。在该已知构造中，电容器可具有2pF的值且由熔融硅石构造该基板。已知的相似器件用于构造石英石、氧化铝、玻璃和其他物质的基板。例如，图7和8也说明了与图1中所示的相似但是被构造在氧化铝基板上的已知器件的特性。
[0040]图2和3示出了图1的已知器件的特性，图2示出了用于该器件的响应曲线，同时图3示出了用于图1的器件的等效电路300。
[0041]根据这种已知器件，电容器100可对应于氧氮化硅(S1N)电容器，其具有耦合至熔融硅石基板102上的引线键合焊垫104的第一电极112。电容器100还包括至少部分地在第一电极112下方且经由S1N层(图中未示出)与其分开的第二电极114。电极114耦合至引线键合焊垫106。背面侧电极116用作所组装器件的地平面。
[0042]参考图2，示出了与图1中所示的器件相关的图表响应曲线200。本领域技术人员将理解，符号Sn和S21分别表示传输线电路100的反射和正向传输系数。如图2中所示，用于器件100以及图3中所示的等效电路的高频结构仿真器(HFSS)的仿真模式，正向传输系数S21和反射系数Sn精确追踪且由此与共用的各自的Sn和S21符号一起示出。如图2中所示，该示例的频率等级(schedule)对应于100-30，OOOMHz，使得Sn线中的急降示出的谐振点为约15，425MHz。尤其感兴趣的是这一事实，根据电容器的值，在从较低频率操作范围快速上升之后，正向传输系数S21线实际上在整个有益操作范围内是平坦的。
[0043]参考图3，示出了图1中示出的示例性器件的等效电路图。如上文说明且于图2中所不的，用于等效电路的响应曲线精确追踪电路的HF S S仿真。该不例中，传输线3 O 2具有
0.24mm的宽度和0.584mm的长度，同时，传输线304具有0.2mm的宽度和0.4mm的长度。电容器312具有值1.931pF，等效串联电阻314为0.013 Ω，和等效串联电感322为0.0llnH。传输线结构在输入端口 316和输出端口 318产生50 Ω的特征阻抗(Z0)。
[0044]参考图4，示出了根据当前公开的主题的包括薄膜电阻器422和并联连接的电容器426的传输线400的内部配置的示例性实施例。根据图1中所示的器件和根据当前公开的主题构造的图4的器件的比较结果，将注意到，内部部件具有一些相似性，除了包括薄膜电阻器422之外。由此，通常，传输线400被构造在基板402的顶表面430上，且包括被耦合至放置在基板402的一个纵向端部408上的引线键合焊垫404的第一电极412，并且在第一电极412下方且至少部分地与第一电极412交叠的第二电极414。
[0045]第一电极412通过S1N层428至少部分地与第二电极414分开且也通过薄膜电阻器422至少部分地与第二电极414分开。电极414在基板402的第二纵向端部410处耦合到引线键合焊垫406。背面侧电极416被提供在基板402的底表面432上且用作所组装器件的地平面。
[0046]与图1中所示的器件相同，基板402也可由熔融硅石构造。薄膜电阻器422可以对应于具有25至100 Ω的片电阻的氮化钽(TaN)层。但是本领域技术人员应当理解，可以除了或者替代TaN地使用其他电阻材料。其他合适的材料包括但不限于镍铬合金(NiCr)和氧化钌(RuO2)。可使用本领域中已知的激光技术修整这种薄膜电阻器，以提供精确电阻值，用于与当前公开的主题一起使用。此外，应当理解，除了S1N之外的材料也可用于电容器426的介电材料，包括但不限于钛酸钡。
[0047]参考图5，示出了与图4中所示的示例性器件相关的图表响应曲线500。通过查阅图5，将注意到用于HFSS仿真模型和图6中所示的等效电路的正向传输系数S21精确追踪且由此被示出为单条线S21。相似地，用于HFSS仿真模型和等效电路的反射系数Sn也精确追踪且被示出为单条线Sn。
[0048]查阅图5示出了用于图4中所示的器件的谐振频率在频率等级上稍高于图2的曲线200中所示的。与图2中所示的曲线相同，该示例的频率等级对应于100-30，OOOMHz，使得谐振点为约16，200MHz。此处感兴趣的在于这一事实，可以看出，在中间到上部操作频率范围内变平之前，根据RC(电阻电容)乘积，在示范型器件操作范围的下端部处的正向传输系数S21逐步增加。这种响应是由于包括薄膜电阻器422，其依赖于所施加的频率以及在部件的有用的频率范围内电容和电阻部件的特定构造在频率响应内提供所需的可调整变形。
[0049]参考图6，示出了用于图4中所示的器件的等效电路图600。在该示例中，传输线602具有0.203mm的宽度和0.239mm的长度，同时传输线604具有0.194mm的宽度和0.269mm的长度。电容器612具有2.502pF的值，等效串联电阻622为0.428 Ω，以及等效串联电感614为1.283e-3nH。并联连接的电阻器620具有20.617 Ω的值。传输线结构在输入端口 616和输出端口618产生50 Ω的特征阻抗(Z0)。
[0050]图7示出了与使用替代基板材料构造的图1的先前已知器件的实施例相关的图表响应曲线700，这种情况下，该替代基板材料例如是氧化铝。如可通过与图2(其中基板由熔融硅石制成)的图表的比较结果可看出的，反射系数Sll整体具有更陡峭的斜率且谐振频率稍高。在较低频率下正向传输系数S21升高明显快于图2的图表的正向传输系数S21，且之后对于整体有用的操作频率范围基本保持平坦。再次地，在仿真的和等效的电路中，Sn和S21的值精确追踪且由此于图7中示出为单条线。应当注意，与本文描述的图7以及图8的图表相关的频率范围对应于100至50 ,OOOMHz的范围。
[0051]图8示出了用于使用氧化铝基板的图1中所示的器件的等效电路图800。如上文注意到的以及图7中所示的，用于等效电路的响应曲线精确追踪电路的仿真。该示例中，传输线802具有值Ζ = 46.174Ω，和L = 6.03°，同时传输线804具有值Ζ = 40.51Ω，和L = 26.415°。电容器812具有2.416pF的值，等效串联电阻814为0.401 Ω，和等效串联电感822为0.022nH。传输线结构在输入端口 816和输出端口 818产生50 Ω的特征阻抗(Z0)。
[0052]图9示出了与使用氧化硅基板构造的图4中所示的当前公开的主题的实施例相关的图表响应曲线900。如通过与其中基板由熔融硅石制造的图5的图表的比较结果可看出的，反射系数Sn整体具有更陡峭的斜率且谐振频率稍高。在较低频率下正向传输系数S21升高稍快于图5的图表的正向传输系数S21，且之后对于整个有用的操作频率范围基本保持平坦。再次地，在HFSS模型和等效电路中，Sn和S21值精确追踪且由此在图7中示出为单条线。
[0053]图10示出了用于图4中所示的但使用氧化铝基板的示例性器件的等效电路图1000。如上文注意到的和图9中所不的，用于等效电路的响应曲线精确追踪电路的仿真。该示例中，传输线1002具有值Z = 49.186 Ω，和L = 20.924°，同时传输线1004具有值Z = 49.023Ω，和L = 25.192°。电容器1012具有值2.646pF，等效串联电阻1014为0.389 Ω，和等效串联电感1022为0.021nH。并联电阻器1024具有值2 Ω且具有0.0lnH的等效串联电感1026。传输线结构在输入端口 1016和输出端口 1018产生50 Ω的特征阻抗(Z0)。
[0054]虽然已经关于其特定实施例具体描述了当前公开的主题，但是将理解，一旦获得前述内容的理解，本领域技术人员可以容易地产生这种实施例的替换、变形和等同。因此，借助于示例，而不是通过限制方式描述本公开的范围，且主题公开内容不排除包括对当前公开主题的这种修改、变形和/或增加，如本领域技术人员将容易理解的。
[0055]本申请要求先前提交的名称为“WIRE-BONDTRANSMISS1N LINE RC CIRCUIT”、授予USSN 62/149,992、于2015年4月20日提交的美国临时专利申请的权益，且通过引用并入本文。
【主权项】
1.一种用于插入到传输线中的RC电路部件，包括: 单片基板，具有顶表面； 电容器，其被支撑在所述基板顶表面上且具有至少部分由介电层分开的第一电极和第二电极；以及 薄膜电阻器，其被至少部分接收在所述电容器第一电极及第二电极之间且与所述电容器并联连接；其中所述RC电路部件的频率响应依赖于在所述部件的有用的频率范围内所施加的频率。2.如权利要求1所述的RC电路部件，其中: 所述单片基板具有相对的第一纵向端部和第二纵向端部；以及所述部件还包括分别在所述第一纵向端部和第二纵向端部处被支撑在所述基板顶表面上的一对引线键合焊垫，且所述引线键合焊垫分别与所述电容器的所述第一电极耦合和第二电极耦合。3.如权利要求1所述的RC电路部件，其中所述的薄膜电阻器包括电阻材料层，其被修整成提供精确的所需电阻值，用于调整所述部件的频率响应。4.如权利要求3所述的RC电路部件，其中所述的电阻材料层包括氮化钽(TaN)、镍铬合金(NiGr)和氧化钌(RuO2)中的至少一种，且具有高达约100 Ω的片电阻。5.如权利要求1所述的RC电路部件，其中所述基板包括熔融硅石、石英石、氧化铝和玻璃中的至少一种。6.如权利要求1所述的RC电路部件，其中: 所述单片基板具有底表面;并且 所述部件还包括被接收在所述基板底表面的接地电极。7.如权利要求1所述的RC电路部件，其中: 所述第一电极和第二电极至少部分交叠;并且 所述电阻器被接收在所述交叠中。8.如权利要求1所述的RC电路部件，其中所述介电层包括氧氮化硅(S1N)和碳酸钡(BaT13)中的至少一种。9.如权利要求2所述的RC电路部件，其中选择所述电容器和电阻器的值使得在所述一对引线键合焊垫中每一个处的阻抗都为约50 Ω。10.如权利要求1所述的RC电路部件，其中: 所述单片基板具有底表面和相对的第一纵向端部和第二纵向端部;并且所述部件还包括分别在所述第一纵向端部和第二纵向端部处被支撑在所述基板顶表面上的一对引线键合焊垫，且所述引线键合焊垫分别与所述电容器的所述第一电极和第二电极耦合;并且 还包括被接收在所述基板底表面上的接地电极;并且 其中所述薄膜电阻器包括电阻材料层，其被修整为提供精确所需的电阻值，用于修整所述部件的频率响应； 所述基板包括熔融硅石、石英石、氧化铝和玻璃中的至少一种；以及 所述第一和第二电极至少部分地交叠，所述电阻器被接收在所述交叠中。11.一种引线键合传输线RC电路，包括: 单片基板，其具有顶表面、底表面和相对的第一纵向端部和第二纵向端部； 电容器，其被支撑在所述基板顶表面上且具有第一电极和至少部分与所述第一电极交叠的第二电极，以便在其间限定电极交叠区域，所述电容器还包括被接收在至少部分的所述电极交叠区域中的介电层； 一对引线键合焊垫，分别在所述第一纵向端部和第二纵向端部处被支撑在所述基板顶表面上，且分别与所述电容器的所述第一电极和第二电极耦合；以及 薄膜电阻器，其至少部分被接收在所述电极交叠区域中，且与所述电容器并联连接； 其中所述薄膜电阻器包括电阻材料层，其被形成为提供预定电阻值，用于在电路的有用的频率范围内选择性调整所述RC电路的频率响应。12.如权利要求11所述的引线键合传输线RC电路，还包括被接收在所述基板底表面上的接地电极。13.如权利要求11所述的引线键合传输线RC电路，其中所述电阻材料层包括氮化钽(TaN)、镍铬合金(NiCr)和氧化钌(RuO2)中的至少一种，且具有高达100 Ω的片电阻。14.如权利要求11所述的引线键合传输线RC电路，其中所述基板包括熔融硅石、石英石、氧化铝和玻璃中的至少一种。15.如权利要求11所述的引线键合传输线RC电路，其中所述介电层包括氧氮化硅(S1N)和钛酸钡(BaT13)中的至少一种。16.如权利要求11所述的引线键合传输线RC电路，其中选择所述电容器的电容值和所述电阻器的电阻值使得在所述一对引线键合焊垫中的每一个处的阻抗都为约50Ω。17.—种用于调整插入到传输线中的RC电路部件的频率响应的方法，所述电路部件包括具有顶表面的单片基板、被支撑在所述基板顶表面上且具有至少部分交叠的由介电层至少部分分开的第一电极和第二电极的电容器，信号路径通过所述电路部件，所述方法包括: 包括薄膜电阻器，其至少部分被接收在电容器的第一电极和第二电极之间且与该电容器并联连接；以及 形成所述电阻器的电阻值，以便无源调整电路信号路径的阻抗特性，用于在电路部件的有用的频率范围之内选择性调整所述RC电路部件的频率响应。18.如权利要求17所述的方法，还包括选择所述电容器的电容值和所述电阻器的电阻值，使得在相对较低频率下操作的RC电路部件的最初响应被调整成RC时间常数的最初响应，同时在较高频率下，所述RC电路部件响应更多地基于电容部件，使得依赖于电路部件的有用的频率范围内施加的频率，固定RC电路部件在频率响应中具有调整的变化。19.如权利要求17所述的方法，其中: 所述单片基板具有相对的第一纵向端部和第二纵向端部;并且 所述方法还包括提供分别在所述第一纵向端部和第二纵向端部被支撑在所述基板顶表面上的一对引线键合焊垫，且所述引线键合焊垫分别与所述电容器的第一电极和第二电极親合。20.如权利要求17所述的方法，其中所述形成电阻值的步骤包括提供电阻材料层，其被修整为提供精确的所需电阻值，用于调整所述RC电路部件的频率响应。21.如权利要求20所述的方法，其中所述电阻材料层包括氮化钽(TaN)、镍铬合金(NiCr)和氧化钌(RuO2)中的至少一种，且具有高达100 Ω的片电阻。22.如权利要求17所述的方法，其中所述基板包括熔融硅石、石英石、氧化铝和玻璃中的至少一种。23.如权利要求17所述的方法，其中: 所述单片基板具有底表面;并且 所述方法还包括提供被接收在所述基板底表面上的接地电极。24.如权利要求17所述的方法，其中所述介电层包括氧氮化硅(S1N)和钛酸钡(BaT13)中的至少一种。25.如权利要求18所述的方法，其中选择所述电容器的电容值和所述电阻器的电阻值使得在所述一对引线键合焊垫中的每一个处的阻抗都为约50Ω。26.如权利要求19所述的方法，其中: 所述单片基板具有底表面;并且 所述形成电阻值的步骤包括提供电阻材料层，其被修整为提供精确所需的电阻值，用于调整所述RC电路部件的频率响应;并且 所述方法还包括提供被接收在所述基板底表面上的接地电极。
【文档编号】H03H1/02GK106067378SQ201610370957
【公开日】2016年11月2日
【申请日】2016年4月20日 公开号201610370957.4, CN 106067378 A, CN 106067378A, CN 201610370957, CN-A-106067378, CN106067378 A, CN106067378A, CN201610370957, CN201610370957.4
【发明人】G·科罗尼
【申请人】阿维科斯公司