为红光，配合未经过转换的蓝光组成植物生长所需的主要光谱。
[0022]所述红光荧光转换材料包括稀土或过渡金属掺杂的无机发光材料、量子点发光材料中的任意一种或两种以上的混合；例如，常见的发射红光荧光的稀土或过渡金属掺杂的无机发光材料包括:CahSrxS:Eu2+(O 彡 x 彡 I)、Ca1^xSrxAlSiN3:Eu2+(O ^ x ^ I)等等。量子点发光材料包括:CdSe、CdZnSe等。
[0023]所述红光荧光转换材料的有效激发波长范围是390?500nm，所述红光荧光转换材料发射光谱的峰值波长范围是600?800nm。
[0024]本发明解决上述技术问题的另一技术方案如下:
[0025]一种表贴器件形式的植物生长灯器件，包括两个以上的上述的植物生长灯单元及PCB板，所述植物生长灯单元通过焊接分布在所述PCB板上，所述PCB板上设有导电线路，各个所述植物生长灯单元通过所述PCB板上的导电线路以串联或并联方式进行接通。
[0026]进一步，所述PCB板为条形PCB板或圆盘形PCB板。
[0027]进一步，所述PCB板由基板及PCB板绝缘层组成，所述PCB板绝缘层位于所述基板及所述导电线路之间。
[0028]进一步，所述基板为金属铝基板或金属铜基板。
[0029]本发明解决上述技术问题的另一技术方案如下:
[0030]一种表贴器件形式的植物生长灯，所述植物生长灯由两个以上的上述植物生长灯器件组合而成。即采用多个器件组成点状、线条状、平面状、立体状等各式各样的光源形式。
[0031]本发明植物生长灯使用了表贴器件形式的焊接技术，实现了单芯片及多芯片模组的无金线、无固晶胶封装，在保证产品可靠性的同时，还拥有低热阻、高光效、光色分布均匀、制作工艺流程简化、器件系统成本更低等优点。
[0032]红色荧光转换材料分散在环氧树脂、环氧模塑料EMC、热塑胶PCT、硅胶等封装材料中，通过包覆的配置方式将LED倒装芯片出射的部分蓝光转换为红光，配合未经过转换的蓝光组成植物生长所需的主要光谱。而且，由于采用了荧光转换材料转换蓝光为红光光谱的技术路线，如此便可选择不同的红光荧光转换材料，还可以采用一种或多种荧光转换材料混合的方式对红光光谱进行设置，以满足不同植物在不同生长周期对光源要求的差异。而蓝、红光的强度比值则可以通过红色荧光转换材料的涂敷密度(红色荧光转换材料所占的质量比重:0.001?100)、厚度(0.001?1mm)、位置等封装参数的设计来实现可控调节。如此的植物生长灯将只涉及蓝光LED的驱动电路，简化了系统的驱动设计、维护方法，降低了系统成本。
【附图说明】
[0033]图1为本实用新型表贴器件形式的植物生长灯单元的其中一截面结构示意图；
[0034]图2为本实用新型表贴器件形式的植物生长灯单元的其中一截面结构示意图；
[0035]图3为本实用新型表贴器件形式的植物生长灯单元的蓝光LED倒装芯片的结构示意图；
[0036]图4为本实用新型表贴器件形式的植物生长灯器件的其中一结构示意图；
[0037]图5为本实用新型表贴器件形式的植物生长灯器件的其中一结构示意图；
[0038]图6为本实用新型表贴器件形式的植物生长灯器件的PCB板的结构示意图；
[0039]附图中，各标号所代表的部件列表如下:
[0040]1、蓝光LED倒装芯片，1-1、蓝宝石衬底，1-2、氮化物外延层，1-3、P电极，l_4、n电极，2、第一铜电极层，3、第二铜电极层，4、红色荧光转换层，5、第一透明导光层，6、第一绝缘层，7、第二绝缘层，8、第二透明导光层，9、PCB板，9-1、导电线路，9-2、基板，9-3、PCB板绝缘层。
【具体实施方式】
[0041]以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。
[0042]一种表贴器件形式的植物生长灯单元，如图1所示，包括蓝光LED倒装芯片1、第一铜电极层2、第二铜电极层3、红色荧光转换层4、第一绝缘层6、第二绝缘层7及第二透明导光层8，所述蓝光LED倒装芯片I被共晶键合于所述第一铜电极层2上及所述第二铜电极层3上，所述第一绝缘层6位于所述第一铜电极层2及所述第二铜电极层3之间，且均与所述第一铜电极层2及所述第二铜电极层3相连接，所述红色荧光转换层4将所述蓝光LED倒装芯片I包覆在内，且所述红色荧光转换层4的下表面与所述第一铜电极层2及所述第二铜电极层3相连接，所述红色荧光转换层4的侧表面上贴覆有第二绝缘层7，所述第二透明导光层8贴合在所述红色荧光转换层4的上表面上。
[0043]如图2所示，一种表贴器件形式的植物生长灯单元，包括蓝光LED倒装芯片1、第一铜电极层2、第二铜电极层3、表贴发光层、第一绝缘层6、第二绝缘层7及第二透明导光层8，所述蓝光LED倒装芯片I被共晶键合于所述第一铜电极层2上及所述第二铜电极层3上，所述第一绝缘层6位于所述第一铜电极层2及所述第二铜电极层3之间，且均与所述第一铜电极层2及所述第二铜电极层3相连接，所述表贴发光层将所述蓝光LED倒装芯片I包覆在内，且所述表贴发光层的下表面与所述第一铜电极层2及所述第二铜电极层3相连接，所述表贴发光层的侧表面上贴覆有第二绝缘层7，所述第二透明导光层8贴合在所述表贴发光层的上表面上。
[0044]所述表贴发光层由红色荧光转换层4及第一透明导光层5组成，所述第一透明导光层5将所述蓝光LED倒装芯片I包覆在内，所述红色荧光转换层4涂覆在所述第一透明导光层5的上表面上，所述第二透明导光层8贴合在所述红色荧光转换层4的上表面上。
[0045]如图3所示，所述蓝光LED倒装芯片I由蓝宝石衬底1_1、氮化物外延层l_2、p电极1-3及η电极1-4组成，所述蓝宝石衬底1-1贴合在所述氮化物外延层1-2的上表面上，所述P电极1-3及η电极1-4均位于所述氮化物外延层1-2的下表面，且均与所述氮化物外延层1-2的下表面相连接；所述P电极1-3被共晶键合于所述第一铜电极层2上，所述η电极1-4被共晶键合于所述第二铜电极层3上。
[0046]所述氮化物外延层1-2的组成材料为氮化物AlxInyGa1IyN (O ^ x, y ^ I ；x+y ( I)中的至少一种。且所述蓝光LED倒装芯片I的发射光谱的峰值波长范围是390?500nm。
[0047]所述红色荧光转换层4由红光荧光转换材料通过包覆或远程激发的方式分散在封装材料中制成。通过包覆的方式分散在环氧树脂、环氧模塑料EMC、热塑胶PCT、硅胶等封装材料中，将蓝光LED倒装芯片出射的部分蓝光转换为红光，配合未经过转换的蓝光组成植物生长所需的主要光谱。
[0048]所述红光荧光转换材料的有效激发波长范围是390?500nm，所述红光荧光转换材料发射光谱的峰值波长范围是600?800nm。
[0049]一种表贴器件形式的植物生长灯器件，如图4、图5、图6所示，包括两个以上的上述的植物生长灯单元及PCB板9，所述植物生长灯单元通过焊接分布在所述PCB板9上，所述PCB板上设有导电线路9-1，各个所述植物生长灯单元通过所述PCB板9上的导电线路9-1以串联或并联方式进行接通。
[0050]所述PCB板9为条形PCB板(如图4所示)或圆盘形PCB板(如图5所示)。[0051 ] 所述