多芯片封装结构以及电子设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种多芯片封装结构以及电子设备。
【背景技术】
[0002]目前，电子设备(如:手机、平板电脑等)中通常会设置有多种功能芯片，然，各功能芯片一般独立封装，导致占用电子设备较大的体积、以及造成电子设备的成本较高。
【发明内容】
[0003]为解决上述技术问题，本实用新型提供一种多芯片封装结构以及具有多芯片封装结构的电子设备。
[0004]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:
[0005]一种多芯片封装结构，包括:
[0006]第一芯片，包括接地端；和
[0007]第二芯片，包括信号传输端，所述信号传输端与所述接地端连接，所述信号传输端输出第一信号给所述接地端，所述第一信号作为所述第一芯片的地信号，其中，所述第一信号为变化的信号。
[0008]优选地，所述第一芯片进一步包括电源端，所述电源端接收第二信号，在同一时亥|J，所述第二信号的电压均大于所述第一信号的电压，所述第二信号与所述第一信号的电压差为所述第一芯片的工作电压。
[0009]优选地，所述电源端与所述第二芯片连接，所述第二芯片提供所述第二信号，所述第二信号为变化的信号。
[0010]优选地，所述第二芯片进一步包括接地端，所述第二芯片的接地端连接一电子设备的设备地端，或者所述第二芯片的接地端与所述多芯片封装结构所在的电子设备的设备地端连接，或者所述第二芯片的接地端施加有一恒定电压。
[0011 ] 优选地，所述多芯片封装结构进一步包括信号电极，所述信号电极由导电材料制成，所述信号电极至少设置在所述第一芯片周围。
[0012]优选地，所述信号电极加载有第三信号，所述第三信号为变化的信号。
[0013]优选地，所述第三信号与所述第一信号相同。
[0014]优选地，所述信号电极与所述第一芯片的接地端和第二芯片的信号传输端连接。
[0015]优选地，所述第三信号与所述第一信号同步变化，且变化的大小及变化的方向相同。
[0016]优选地，所述第三信号是随所述第一信号的变化而变化的信号。
[0017]优选地，所述第三信号随所述第一信号的升高而升高、随所述第一信号的降低而降低。
[0018]优选地，所述第三信号的幅度变化大小与所述第一信号的幅度变化大小对应相同。
[0019]优选地，所述多芯片封装结构包括散热片，所述散热片由导电材料制成，所述散热片用于散热，还用于作为所述信号电极。
[0020]优选地，所述第一芯片与所述第二芯片均设置在所述散热片上，其中，所述第一芯片与所述散热片之间设置导电层，所述第二芯片与所述散热片之间设置绝缘层。
[0021]优选地，所述散热片与所述第一芯片的接地端通过所述导电层连接。
[0022]优选地，所述导电层由导电胶制成，所述绝缘层由绝缘胶制成。
[0023]优选地，所述多芯片封装结构进一步包括衬底，所述第一芯片与所述第二芯片设置在所述衬底上，所述衬底上设置所述信号电极。
[0024]优选地，所述信号电极环绕第一芯片。
[0025]优选地，所述信号电极进一步环绕第二芯片。
[0026]优选地，所述信号电极为一整层电极，设置在第一芯片与所述衬底之间，与所述第一芯片和衬底层叠设置，沿垂直层叠方向，所述信号电极的边缘超出所述第一芯片的边缘。
[0027]优选地，所述第一芯片与所述第二芯片设置在所述衬底的同一侧或相对两侧。
[0028]优选地，所述第一芯片为感测芯片，所述第二芯片为控制芯片。
[0029]优选地，所述第一芯片为指纹感测芯片或触控感测芯片。
[0030]优选地，所述第一芯片包括传感器板，所述传感器板用于以电容方式耦合到目标物体，所述第一芯片通过提供激励信号给所述传感器板以驱动所述传感器板执行感测操作，以获得所述目标物体的预定信息，其中，所述激励信号随所述第一信号的变化而变化。
[0031]优选地，所述激励信号随所述第一信号的升高而升高、随所述第一信号的降低而降低。
[0032]本实用新型又提供一种多芯片封装结构，包括:
[0033]第一芯片，包括接地端，所述接地端用于加载变化的信号；和
[0034]第二芯片，包括接地端，所述接地端用于加载恒定的信号。
[0035]优选地，所述第二芯片包括信号传输端，所述信号传输端与所述第一芯片的接地端连接，用于输出所述变化的信号给所述第一芯片的接地端。
[0036]本实用新型提供一种电子设备，所述电子设备包括如上所述任一项所述的多芯片封装结构。
[0037]本实用新型又提供一种电子设备，包括一多芯片封装结构和设备地端，所述多芯片封装结构包括:
[0038]第一芯片，包括接地端，所述接地端用于加载变化的信号；和
[0039]第二芯片，包括接地端，所述接地端与所述设备地端连接。
[0040]优选地，所述第二芯片包括信号传输端，所述信号传输端与所述第一芯片的接地端连接，用于输出所述变化的信号给所述第一芯片的接地端。
[0041]优选地，所述电子设备包括供电电源，所述供电电源包括正极与负极，所述负极为所述设备地端。
[0042]本实用新型电子设备的多芯片封装结构不仅集成有第一芯片和第二芯片，而且第一芯片的接地端加载变化的电压，从而提高包括多芯片封装结构的电子设备的工作性能以及可用性。
【附图说明】
[0043]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0044]图1为本实用新型电子设备较佳实施方式的结构示意图。
[0045]图2为封装方式为QFN的多芯片封装结构的部分立体结构示意图。
[0046]图3为图2所示多芯片封装结构沿II1-1II线的剖面结构示意图。
[0047]图4为封装方式为BGA的多芯片封装结构的部分立体结构示意图。
[0048]图5为图4所示多芯片封装结构沿V-V线的剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0049]需要说明的是，下述“变化的信号”是指:随着时间的延伸，所述信号并不一直保持同一电位。相对地，“恒定的信号”是指:随着时间的延伸，所述信号的电位保持或基本保持不变。因为信号总会或多或少受到其它信号干扰，从而导致信号有波动，因此，所述恒定的信号实际上是基本保持电位不变。
[0050]技术术语“连接”包括直接连接、间接连接、耦接等各种情况，除非本实用新型有特别指明为其中一种情况，否则包括各种情况。
[0051 ] 下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0052]本实用新型提供一种多芯片封装结构，就是在一个封装内集成两颗和两颗以上芯片，还可以集成一些其他元器件，比如电容等，从而节省电子设备的体积，并降低电子设备的制造成本。
[0053]进一步地，发明人通过大量研宄发现，多芯片封装结构中的多颗芯片通常共地，地电压为恒定的电压，一般为0V。在一些封装结构中，存在地平面，则芯片地可以连接到这个地平面。然，对于某些芯片而言，其接地电压保持不变，会影响芯片的工作性能或者精度，甚至会限制芯片