板104的第一电极1042和所述控制器件106的第二电极1062分别与所述卡槽的对应卡口相卡合，以将所述电路基板104和所述控制器件106固定在所述连接件108上。
[0038]在该实施例中，优选地，连接件108包括具有多个卡口的卡槽，以通过不同的卡口对电路基板104及控制器件106进行固定，避免了相关技术中将控制器件106平铺于电路基板104上而造成电路基板104空间的浪费，并且也能够实现控制器件106和功率器件102之间的传热隔离。
[0039]根据本实用新型的一个实施例，如图1和图4所示，设置有所述第三电极1082和所述第四电极1084的卡口位于所述卡槽的同一侧。
[0040]此外，在本实用新型的其他实施例中，设置有所述第三电极1082和所述第四电极1084的卡口也可以分别位于所述卡槽的两侧(图中未示出该实施例中的结构)。
[0041]根据本实用新型的一个实施例，所述第三电极1082和所述第四电极1084通过设置在所述连接件108内部的导电线进行电连接。第三电极1082和第四电极1084通过设置在连接件108内部的导电线进行电连接，使得能够避免在外部连线而出现冲线的问题，保证了电路的安全性
[0042]根据本实用新型的一个实施例，所述电路基板104上的电子元件、所述连接件108和所述控制器件106通过密封胶110进行封装。
[0043]通过密封胶110对电路基板104上的电子元件(功率元件102等)、连接件108和控制器件106进行封装，使得半导体器件10的性能更稳定。
[0044]根据本实用新型的一个实施例，还包括:接线端子112，所述接线端子112的第一端焊接在所述电路基板104上，所述接线端子112的第二端作为所述半导体器件10的外部引脚。如图5所示，半导体器件10可以具有多个接线端子112。
[0045]根据本实用新型的一个实施例，所述电路基板104包括DBC基板。
[0046]电路基板104优选地采用DBC基板，由于DBC基板较好的散热及耐压等特性，因此能够提高半导体器件10的散热效率，确保半导体器件10的性能更稳定。
[0047]本实用新型还提出了一种智能功率模块，包括:如图1所示的半导体器件10。
[0048]本实用新型还提出了一种空调器，包括:图1中所示的半导体器件10或上述实施例中所述的智能功率模块。
[0049]其中，上述的连接件108可以使用普通的PCB材料制成。第一电极1042、第二电极1062、第三电极1082和第四电极1084可以使用铝或铜制成。
[0050]以下以卡槽作为连接件108为例，详细介绍根据本实用新型的实施例的智能功率模块的制造流程。
[0051]根据本实用新型的实施例的智能功率模块的制造流程主要包括:在卡槽上形成第三电极1082和第四电极1084的工序；在电路基板104的表面上形成电路布线的工序；涂装锡膏安装固定电路元件和引脚的工序；用金属线连接各电路元件和电路布线的工序；烘烤并丰吴制的工序；对外部引脚进彳丁成型的工序；进彳丁功能测试的工序。
[0052]以下说明的各工序的详细情况。
[0053]工序一:
[0054]如图4所示，根据需要的电路布局准备大小合适的卡槽。使用普通绝缘基板材料，在卡槽表面带有作为控制部分和功率部分电气连接的铜箔。然后将该工序制造的铜箔进行电化学蚀刻，局部地除去铜箔，形成电路布线。
[0055]工序二:
[0056]本工序是在电路布线上安装功率器件(如IGBT、FRD(Fast Recovery D1de，快恢复二极管)等)和外部引脚的工序。
[0057]为了减小锡膏焊接后的空洞率，并且进行成本控制，可以考虑使用具有氮气保护的回流炉进行锡膏固定，如果成本允许，也可以考虑使用真空回流的形式。锡膏的融化温度一般为230°C左右，回流温度一般在250°C。
[0058]工序三:
[0059]如图1所示，本工序是通过金属线700在电路元件和电路布线间形成电连接的工序。
[0060]对于功率部分，需要根据通流能力的需要，选择适当直径的铝线作为绑定线，如IGBT管、FRD管，绑定使用200 μ m?400 μ m的铝线。
[0061]工序四:
[0062]对于用于信号控制的部分功率器件，则直接使用卡槽端子进行电气连接。
[0063]工序五:
[0064]对器件进行密封，其中，密封的方法可使用热硬性树脂的传递模模制或使用热硬性树脂的注入模模制。而且，对应自浇口注入的密封树脂模腔内部的气体通过排气口排放到外部。对于上述浇口位置的选择，应选择不完全具有外部引脚的一边，对于排气口的选择，应选择完全具有外部引脚的一边。
[0065]工序六:
[0066]本工序是进行所述外部引脚的切筋成型，智能功率模块经由此工序作为制品完成。
[0067]在上述工序五中，使除外部引脚以外的其他部分都被树脂密封。本工序根据使用的长度和形状需要，例如，在图1中将外部引脚折弯，便于后续装配；
[0068]工序七:
[0069]在完成上述工序后，将整个模块放入测试设备中，进行常规的电参数测试，一般包括绝缘耐压、静态功耗、迟延时间等测试项目，测试合格者为成品。
[0070]在本实用新型的上述实施例中，电路基板104与控制器件106之间使用连接件108 (如卡槽)进行连接，功率器件102设置在电路基板104上，实现了控制器件106和功率器件102之间热传导的隔绝，并且避免了注塑冲线造成的模块短路失效问题。
[0071]以上结合附图详细说明了本实用新型的技术方案，本实用新型提出了一种新的半导体器件，能够避免半导体器件中的控制器件受到功率器件的热干扰，同时避免了相关技术中因注塑工艺中的细金属线冲线而造成半导体器件短路的问题，并且能够降低半导体器件的生产成本。
[0072]以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括: 功率器件； 电路基板，所述功率器件设置在所述电路基板上，所述电路基板上设置有第一电极； 控制器件，所述控制器件上设置有第二电极； 连接件，所述连接件上设置有与所述第一电极对应的第三电极和与所述第二电极对应的第四电极，所述第三电极与所述第四电极电连接，所述电路基板和所述控制器件分别通过所述第一电极和所述第三电极的接触、所述第二电极和所述第四电极的接触固定在所述连接件上。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述连接件包括具有多个卡口的卡槽，所述第三电极和所述第四电极分别设置在所述卡槽的不同卡口内，所述电路基板的第一电极和所述控制器件的第二电极分别与所述卡槽的对应卡口相卡合，以将所述电路基板和所述控制器件固定在所述连接件上。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，设置有所述第三电极和所述第四电极的卡口位于所述卡槽的同一侧。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，设置有所述第三电极和所述第四电极的卡口分别位于所述卡槽的两侧。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三电极和所述第四电极通过设置在所述连接件内部的导电线进行电连接。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述电路基板上的电子元件、所述连接件和所述控制器件通过密封胶进行封装。7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体器件，其特征在于，还包括: 接线端子，所述接线端子的第一端焊接在所述电路基板上，所述接线端子的第二端作为所述半导体器件的外部引脚。8.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述电路基板包括DBC基板。9.一种智能功率模块，其特征在于，包括:如权利要求1至8中任一项所述的半导体器件。10.一种空调器，其特征在于，包括:如权利要求1至8中任一项所述的半导体器件或如权利要求9所述的智能功率模块。
【专利摘要】本实用新型提供了一种半导体器件、智能功率模块及空调器，其中所述半导体器件包括：功率器件；电路基板，功率器件设置在所述电路基板上，所述电路基板上设置有第一电极；控制器件，所述控制器件上设置有第二电极；连接件，连接件上设置有与第一电极对应的第三电极和与第二电极对应的第四电极，第三电极与第四电极电连接，所述电路基板和所述控制器件分别通过所述第一电极和所述第三电极的接触、所述第二电极和所述第四电极的接触固定在所述连接件上。本实用新型的技术方案能够避免半导体器件中的控制器件受到功率器件的热干扰，同时避免了相关技术中因注塑工艺中的细金属线冲线而造成半导体器件短路的问题，并且能够降低半导体器件的生产成本。
【IPC分类】H01L23/52, H01L25/16
【公开号】CN204614784
【申请号】CN201520357354
【发明人】李媛媛, 冯宇翔
【申请人】广东美的制冷设备有限公司, 美的集团股份有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年5月28日