11外侧、分别设置有导线架2，以供二导线架2的接合侧21分别相对于各电极接面11，则于各电极接面11与各接合侧21之间，利用高分子导电黏胶3进行低温(高分子导电黏胶作业所需的操作温度约^ 200°C，最佳操作温度约为f 150°C )黏着作业，因接合温度低，不易造成积层陶瓷芯片I产生龟裂、损坏，并供二电极接面11分别与二导线架2呈电性导通连结，以通过积层陶瓷芯片1、二导线架2及适量高分子导电黏胶3成型本实用新型的积层陶瓷电子组件装置，且积层陶瓷电子组件可为积层陶瓷电容器。
[0023]而上述该高分子导电黏胶3的金属含量低，可包括75%?85%的金属及15%?25%的黏胶等，而金属可包括有银(Ag)、铜(Cu)及镍(N i)等，至于黏胶则可为高分子树月旨，高分子导电黏胶3并不含有重金属[如:镉(Cd)、铅(Pb)、汞(Hg)或铬(Cr)等]的成分，且仅含有较低的卤素元素[如氯(C12)、溴(Br2)、碘(12)或砺(At)等]成分S 900 (ppm)，并不需作事后的清洗处理作业，避免使用清洗溶剂，可有效降低对环境造成的污染现象；且高分子导电黏胶3具有高延展性，可提供较高的板弯能力，可使积层陶瓷芯片I 二侧电极接面11与导线架2之间、不易被扳动松脱、分离，不致造成积层陶瓷芯片I的龟裂、损坏；又，高分子导电黏胶3的熔点较高，最高可耐约300°C的使用环境，亦可通过EN - 60068 一 2 一58, 260°C ±5°C浸锡耐焊测试的检测作业，并于低温环境中进行黏着、接合积层陶瓷芯片I与二导线架2，形成开放模式(OPEN MODE)设计进行加工作业，可以避免进行高温焊接的危险工作环境，亦不会有焊料、助焊剂等四处飞溅、喷洒的情况，可以降低工作环境的危险程度、工艺亦较为安全，并能提高成品的积层陶瓷电子组件的产品合格率。
[0024]且成型的积层陶瓷电子组件予以固定于预设电路板4时，通过积层陶瓷芯片I 二侧导线架2的焊接侧22，通过表面黏着技术(SMT)予以焊接于预设电路板4表面，而于积层陶瓷芯片I底部与预设电路板4表面之间形成中空的缓冲空间10，且缓冲空间10之间距可为0.8mm?2.5mm之间，除了可以在焊接作业时，利用缓冲空间形成空气流通、降低焊接所产生的温度，避免高温直接传递至积层陶瓷芯片1，即不致因高温造成积层陶瓷芯片I的龟裂或损坏，且当预设电路板4于应用时，受到外力的影响而发生弯曲、变形等情况，则可通过缓冲空间10形成缓冲、调节作用，不置造成积层陶瓷芯片I受力弯曲或变形而发生龟裂现象，达到保护积层陶瓷芯片I的目的，以延长积层陶瓷芯片I的使用寿命；且高分子导电黏胶3中，并未添加低熔点金属材料，则积层陶瓷电子组件在烧结工艺后，位于积层陶瓷电子组件间的高分子导电黏胶3 (可为热固形树脂)硬化后，若高分子导电黏胶3温度熔融温度超过硬化温度(150°C )时，亦不致造成积层陶瓷电子组件间的高分子导电黏胶3分开，而积层陶瓷电子组件焊接于预设电路板4上，焊接温度升温至300°C时，高分子导电黏胶3的黏着接合力都不改变，则不致发生积层陶瓷电子组件间的高分子导电黏胶3脱落现象。
[0025]且积层陶瓷芯片I 二侧电极接面11、二导线架2的接合侧21之间，通过高分子导电黏胶3予以进行低温黏着接合，可视为在二导线架2与积层陶瓷芯片I(MLCC)中间安置『软端子』设计，因高分子导电黏胶3具有良好的塑性变形能力，即使凝固后仍可保持适当的弹性、延展性的柔软效果材质，而可如『软端子』相同具有良好的塑性变形的能力，故而可使产品在遭受外部应用时，可具有较强的耐板弯能力，将成型的积层陶瓷电子组件通过二导线架2的焊接侧22焊接于预设电路板4后，并经过实际测试后，可由图4中清楚看出。
[0026]本实用新型的积层陶瓷电子组件(上图表中蓝线菱形线条)、与传统高温焊接工艺成型的积层陶瓷电子组件(上图表中粉红线方形线条)，分别以10个成品(下方I?10数字即为10个积层陶瓷电子组件产品)，经过预设电路板4进行板弯测试，本实用新型的积层陶瓷电子组件的耐板弯能力都保持在11_，但传统高温焊接的积层陶瓷电子组件的耐板弯能力，则下降至10_或9_，一但预设电路板4产生板弯变形状态时，传统高温焊接成型的积层陶瓷电子组件相当容易因板弯而导致龟裂、损坏，本实用新型的积层陶瓷子组件较不易产生龟裂或损坏等现象，可防止产品上板的后电路板(PCB)后续加工应力造成的损伤。
[0027]即便产品遭受极大外部应力，超乎产品所能承受的应力，产品也会在高分子导电黏胶3与积层陶瓷芯片I黏合处先行断裂，形成『OpenMode』开放模式，不会直接造成积层陶瓷芯片I产生裂缝，可以保护陶瓷电容组件不会因极大外部应力的破坏产生裂缝，并保持原有的积层陶瓷电容的功效，可在通电的使用环境下，亦不致造成烧板的危险。
[0028]此外，以高分子导电黏胶3黏合的产品，在实际应用上，因高分子导电黏胶3具有高度塑性变形能力，可于积层陶瓷电容作业中发热时、藉由高分子导电黏胶3的塑性变形能力、将金属导线架2(金属材料)与积层陶瓷芯片1(M LCC、陶瓷材料)之间因时热膨胀数不同所产生的拉扯应力予以抵消，则积层陶瓷芯片I与二导线架2之间即不易产生相互的拉扯应力的破坏，并达到降低陶瓷电容使用中的受到拉扯应力破坏现象的目的，并可提高产品的使用寿命。
[0029]是以，以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，非因此局限本实用新型的专利范围，本实用新型积层陶瓷电子组件装置，于积层陶瓷芯片I 二侧电极接面11外侧，分别设置导线架2，以供二导线架2的接合面21分别对位各电极接面11，并于各电极接面11与各接合面21之间、分别利用高分子导电黏胶3进行低温黏着、接合，俾可达到保护积层陶瓷芯片I不致发生龟裂、损坏的目的，且高分子导电黏胶3含金属量低、并不含重金属及卤素元素，降低对环境污染，且不必进行后续的清洗处理，而积层陶瓷芯片I利用二侧导线架2焊设固定于预设电路板4时，在积层陶瓷芯片I底部与预设电路板4表面形成缓冲空间10，使积层陶瓷芯片I不易受到预设电路板4的弯曲、变形影响导致龟裂，可延长积层陶瓷芯片I的使用寿命，故举凡可达成前述效果的结构、装置皆应受本实用新型所涵盖，此种简易修饰及等效结构变化，均应同理包含于本实用新型的专利范围内，合予陈明。
[0030]故，本实用新型为主要针对积层陶瓷电子组件装置进行设计，利用积层陶瓷芯片二侧电极接面相对二导线架的接合面，并藉由高分子导电黏胶予以低温黏着、接合，形成电性导通，而可达到避免造成积层陶瓷芯片产生龟裂、损坏行形为主要保护重点，且高分子导电黏胶金属含量低且不含重金属及卤素元素，乃仅使高分子导电黏胶应用降低对环境造成污染的优势，并供积层陶瓷芯片藉由二侧导线架与预设电路板间形成缓冲空间，避免积层陶瓷芯片受到预设电路板影响而龟裂的功效，惟，以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，非因此即局限本实用新型的专利范围，故举凡运用本实用新型说明书及图式内容所为的简易修饰及等效结构变化，均应同理包含于本实用新型的专利范围内，合予陈明。
[0031]以上说明对本实用新型而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离以下所附权利要求所限定的精神和范围的情况下，可做出许多修改，变化，或等效，但都将落入本实用新型的保护范围内。
【主权项】
1.一种积层陶瓷电子组件装置，包括积层陶瓷芯片、二导线架及高分子导电黏胶，其特征在于: 该积层陶瓷芯片于二相外侧分别设有电极接面； 该二导线架分别设置于积层陶瓷芯片二侧电极接面外侧，二导线架分别设有相对二电极接面的平直型接合侧，相对各接合侧的二导线架另侧分别垂直弯折成型有焊接侧，并供各焊接侧与积层陶瓷芯片底部表面间形成中空状的缓冲空间；及 该高分子导电黏胶，附着在积层陶瓷芯片二侧电极接面与二导线架的接合侧相对内表面之间，以供二电极面分别通过高分子导电胶固定于二导线架间、并呈电性导通。2.如权利要求1所述积层陶瓷电子组件装置，其特征在于，该积层陶瓷芯片二侧电极接面、分别通过高分子导电胶以无焊接作业的低温黏着固定于二导线架的接合侧相对内侧之间。3.如权利要求2所述积层陶瓷电子组件装置，其特征在于，该积层陶瓷芯片二侧电极接面、分别通过高分子导电黏胶以无焊接作业的低于或等于200°C的低温操作温度、黏着固定于二导线架的接合侧相对内侧之间。4.如权利要求3所述积层陶瓷电子组件装置，其特征在于，所述低温操作温度低于或等于150。。。5.如权利要求1所述积层陶瓷电子组件装置，其特征在于，该二导线架的各焊接侧与积层陶芯片底部表面间、形成中空状的缓冲空间，且缓冲空间之间距0.8mm?2.5mm。6.如权利要求1所述积层陶瓷电子组件装置，其特征在于，该二导线架于相对二接合侧的另侧分别朝相对内侧垂直弯折有焊接侧、供二导线架呈相对的L形状。
【专利摘要】本实用新型有关一种积层陶瓷电子组件装置，该积层陶瓷电子组件的积层陶瓷芯片二相外侧分别设有电极接面，再于二侧电极接面外侧分别设置二导线架、可供二平直型接合侧相对二电极接面，且相对各接合侧的另侧则分别垂直弯折成型有焊接侧，即供各焊接侧与积层陶瓷芯片底部表面间形成中空状的缓冲空间，而积层陶瓷芯片二侧电极接面与二导线架的接合侧相对内表面之间附着高分子导电黏胶，以供二电极面分别通过高分子导电胶固定于二导线架间、可呈电性导通，达到通过低温黏着固定积层陶瓷芯片及二导线架的目的，不必进行高温焊接加工。
【IPC分类】H01G4/38, H01G4/248
【公开号】CN204695967
【申请号】CN201520171510
【发明人】孙思隆, 黄泓谋, 凌溢骏
【申请人】禾伸堂企业股份有限公司
【公开日】2015年10月7日
【申请日】2015年3月25日