6向VGA放大器芯片17高低弧焊键合线，从MEMS芯片6向ASIC芯片3高低弧压焊键合线，从MEMS芯片6向陶瓷电容7以及从MEMS芯片6向陶瓷电阻5焊键合线，并从MEMS芯片6向内引脚4焊键合线；接着，从VGA放大器芯片17向内引脚4焊键合线，并从VGA放大器芯片17向ASIC芯片3焊键合线；之后，从ASIC芯片3向焊陶瓷电容7以及从ASIC芯片3向陶瓷电阻5焊键合线，并从ASI C芯片3向内引脚4焊键合线；之后，从陶瓷电阻5向内引脚4焊键合线，并从陶瓷电容7向内引脚4焊键合线；
[0047]对于第二种堆叠封装:采用金线或铜线(银合金线)，先从MEMS芯片6向VGA放大器芯片17高低弧焊键合线，从MEMS芯片6向ASIC芯片3高低弧压焊键合线，从MEMS芯片6向陶瓷电容7以及从MEMS芯片6向陶瓷电阻7焊键合线，从MEMS芯片6向内引脚4焊键合线；接着，从VGA放大器芯片17向内引脚4焊键合线，并从VGA放大器芯片17向ASIC芯片3焊键合线；接着，从ASIC芯片3向焊陶瓷电容7以及从ASIC芯片3向陶瓷电阻5焊键合线，并从ASIC芯片3向内引脚4焊键合线；然后，从Flash芯片18向MEMS芯片6焊键合线，从Flash芯片18向内引脚4高低弧焊键合线，并从Flash芯片18向ASIC芯片3焊键合线；之后从陶瓷电阻5向内引脚4焊键合线，并从陶瓷电容7向内引脚4焊键合线；
[0048]步骤6:使用全自动包封系统，选用膨胀系数α I彡1、吸水率彡0.30%符合欧盟Weee、ROHS标准和Sony标准的环保塑封料，应用多段注塑模型软件(软件登记号2011SR013152)，进行塑封，塑封需满足冲线率< 5%、无离层、翘曲度< 0.1的要求；塑封后，在150°C温度下后固化4小时；
[0049]步骤7:采用钝锡电镀，镀层厚度7.62 ym?15.24 μm，电镀后在175°C温度下烘烤I小时，防止锡须生长；
[0050]步骤8:采用全自动或半自动激光打印机，在正面打印标记(产品型号、商标及周号等信息);
[0051]步骤9:采用全自动切筋成形系统，将每条框架上的产品分离成单个产品并入管或入盘；
[0052]步骤10:进行测试，剔除不良品，良品即为系统级MEMS双载体芯片封装件。
【主权项】
1.一种系统级MEMS双载体芯片封装件，其特征在于，包括并排设置的第一载体(I)和第二载体(2)，第一载体(I)朝向第二载体(2)的侧壁上以及第二载体(2)朝向第一载体(I)的侧壁上均间隔设置有凹坑(9)和凸台(10)，两个侧壁上凹坑(9)和凸台(10)均相对设置；两个载体的外侧壁上分别设有一根载体连筋，第一载体(I)上并排设有MEMS芯片(6)和陶瓷电容(7)，MEMS芯片(6)位于第一载体(I)设有第三载体连筋(13)的一端，第二载体(2)上并排设有ASIC芯片(3)和陶瓷电阻(5)，陶瓷电阻(5)上的一个焊盘与MEMS芯片(6)上的一个焊盘相连，陶瓷电阻(5)上的第二个焊盘与ASIC芯片(3)上的一个焊盘相连，陶瓷电阻(5)上的第三个焊盘与一个内引脚(4)相连；陶瓷电容(7)上的一个焊盘与ASIC芯片(3)上的一个焊盘相连，陶瓷电容(7)上的第二个焊盘接MEMS芯片(6)上的一个焊盘，陶瓷电容(7)上的第三个焊盘与一个内引脚(4)相连；ASIC芯片(3)上的其它焊盘和MEMS芯片(6)上的其它焊盘分别与剩余的内引脚(4)相连，一个内引脚(4)只与一个焊盘相连，所有的键合线互不交叉；内引脚(4)与外引脚(15)相连接；除外引脚(15)外的其余器件均封装于塑封体(16)内。2.一种系统级MEMS双载体芯片封装件，其特征在于，包括并排设置的第一载体(I)和第二载体(2)，第一载体(I)朝向第二载体(2)的侧壁上以及第二载体(2)朝向第一载体(I)的侧壁上均间隔设置有凹坑(9)和凸台(10)，两个侧壁上的凹坑(9)和凸台(10)均相对设置；两个载体上与设有凹坑(9)的侧壁相背离的侧壁上分别设有载体连筋，第一载体(I)上并排设有VGA放大器芯片(17)和陶瓷电容(7)，VGA放大器芯片(17)上粘贴有MEMS芯片(6)，第二载体(2)上并排设有ASIC芯片(3)和陶瓷电阻(5)，VGA放大器芯片(17)和ASIC芯片(3)对角设置，陶瓷电容(7)和陶瓷电阻(5)对角设置，陶瓷电阻(5)上的一个焊盘与MEMS芯片(6)上的一个焊盘相连，陶瓷电阻(5)上的第二个焊盘与ASIC芯片(3)上的一个焊盘相连，陶瓷电阻(5)上的第三个焊盘与一个内引脚(4)相连；陶瓷电容(7)上的一个焊盘分别与ASIC芯片(3)上的一个焊盘和一个内引脚(4)相连，陶瓷电容(7)上的第二个焊盘接MEMS芯片(6)上的一个焊盘，陶瓷电容(7)上的第三个焊盘与一个内引脚(4)相连，VGA放大器芯片(17)上还有两个焊盘通过键合线分别与ASIC芯片(3)上的两个焊盘相连，MEMS芯片(6)上的其它焊盘分别与VGA放大器芯片(17)上的其它焊盘相连；VGA放大器芯片(17 )上剩余的焊盘和AS IC芯片(3 )上剩余的焊盘分别与剩余的内引脚(4 )相连接，一个内引脚(4)只与一个焊盘相连接，所有的键合线互不交叉；内引脚(4)与外引脚(15)相连接；除外引脚(15)外的其余器件均封装于塑封体(16)内。3.一种系统级MEMS双载体芯片封装件，其特征在于，包括并排设置的第一载体(I)和第二载体(2)，第一载体(I)朝向第二载体(2)的侧壁上以及第二载体(2)朝向第一载体(I)的侧壁上均间隔设置有凹坑(9)和凸台(10)，两个侧壁上的凹坑(9)和凸台(10)均相对设置；两个载体上与设有凹坑(9)的侧壁相背离的侧壁上分别设有载体连筋，第一载体(I)上并排设有VGA放大器芯片(17)和陶瓷电容(7)，VGA放大器芯片(17)上粘贴有MEMS芯片(6)，第二载体(2)上并排设有ASIC芯片(3)和陶瓷电阻(5)，VGA放大器芯片(17)和ASIC芯片(3)对角设置，陶瓷电容(7)和陶瓷电阻(5)对角设置，ASIC芯片(3)上粘贴有Flash芯片(18)，陶瓷电阻(5)上的一个焊盘与MEMS芯片(6)上的一个焊盘相连，陶瓷电阻(5)上的第二个焊盘与ASIC芯片(3)上的一个焊盘相连，陶瓷电阻(5)上的第三个焊盘与一个内引脚(4)相连；陶瓷电容(7)上的一个焊盘分别与ASIC芯片(3)上的一个焊盘和一个内引脚(4)相连，陶瓷电容(7)上的第二个焊盘接MEMS芯片(6)上的一个焊盘，陶瓷电容(7)上的第三个焊盘与一个内引脚(4)相连，VGA放大器芯片(17)上还有两个焊盘通过分别与ASIC芯片(3)上的两个焊盘相连，Flash芯片(18)上的一个焊盘与MEMS芯片(6)上的一个焊盘相连，Flash芯片(18)上的另外两个焊盘分别与两个内引脚(4)相连，Flash芯片(18)上的其余焊盘分别与ASIC芯片(3)上焊盘连接；MEMS芯片(6)上的其它焊盘分别与VGA放大器芯片(17)上的其它焊盘相连；VGA放大器芯片(17)上剩余的焊盘和ASIC芯片(3)上剩余的焊盘分别与剩余的内引脚(4 )相连接，一个内引脚(4 )只与一个焊盘相连接，所有的键合线互不交叉；内引脚(4)与外引脚(15)相连接；除外引脚(15)外的其余器件均封装于塑封体(16)内。4.根据权利要求1、2或3所述的系统级MEMS双载体芯片封装件，其特征在于，载体连筋与载体的连接处设有椭圆形的锁胶孔(8 )。
【专利摘要】一种系统级MEMS双载体芯片封装件，包括两个载体，两个载体相邻的侧壁均有凹坑和凸台，一个载体上有芯片和陶瓷电容，另一个载体上有芯片和陶瓷电阻，载体侧壁上设有载体连筋，所有器件上的焊盘分别与其它焊盘和内引脚相连接，且形成一一连接，所有键合线不交叉，内引脚接外引脚，除外引脚外的其余器件均封装于塑封体内。该封装件以铜合金引线框架作为承载体材料，无源元件采用微细熔覆的厚膜电阻；根据需要定制陶瓷电阻和电容，激光划片后，可如同芯片一样通过粘片胶或胶膜片粘接在引线框架载体上，通过焊线实现互连，是一种较低成本的系统级封装，满足小型化、多功能、高密度集成的SiP型MEMS封装的需要。
【IPC分类】H01L23/495, H01L21/60, B81C3/00, B81B7/02
【公开号】CN204696104
【申请号】CN201520355293
【发明人】慕蔚, 邵荣昌, 李习周, 张易勒
【申请人】天水华天科技股份有限公司, 甘肃微电子工程研究院有限公司
【公开日】2015年10月7日
【申请日】2015年5月28日