一种硅片边缘氧化膜腐蚀用设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于半导体制造领域，尤其是涉及一种硅片边缘氧化膜腐蚀用设备。
【背景技术】
[0002]随着集成电路制造工艺的不断进步，半导体器件的清洗工艺变得越来越重要，在现有技术中普遍采用单槽或多槽式组合手工进行清洗，随着产品需求量的增加，质量要求的提高和劳动力生产成本的增加，原有设备的清洗形式已经不能满足要求，所以一种新的全自动的清洗设备已经成为硅片生产厂家的迫切需要。
【发明内容】
[0003]有鉴于此，本实用新型旨在提出一种硅片边缘氧化膜腐蚀用设备，以解决清洗效率低及不能实现全自动化的问题。
[0004]为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的:
[0005]—种硅片边缘氧化膜腐蚀用设备，一种硅片边缘氧化膜腐蚀用设备，其特征在于:包括主体框架，在所述主体框架内部对称分布有第一工作区和第二工作区，所述第一工作区和第二工作区均包括依次设置的上料区、腐蚀区和下料机构；所述上料区、腐蚀区和下料机构上方设有硅片腐蚀搬运系统；所述上料区包括上料机构和硅片暂存台；还包括搬运定心系统，为第一工作区和第二工作区的共用机构，所述搬运定心系统设置在两个上料区中间；所述腐蚀区包括依次设置的酸槽和纯水槽。
[0006]进一步的，所述硅片腐蚀搬运系统包括横梁、机械手和吸盘，所述机械手可沿横梁横向移动，所述吸盘位于机械手抓取硅片的一端。
[0007]进一步的，所述搬运定心系统包括搬运机械手和定心台。
[0008]进一步的，所述硅片暂存台采用的是PVC材质，能够有效的防止氢氟酸的腐蚀。
[0009]进一步的，所述酸槽的下方设有酸液储存槽。
[0010]进一步的，所述酸槽采用的是CLEAN-PVC材质，有较强的耐氢氟酸能力，其功能是完成硅片的边缘腐蚀。
[0011]进一步的，所述纯水槽采用的是CLEAN-PVC材质，有一定的耐氢氟酸能力，其功能是完成娃片的清洗功能。
[0012]进一步的，所述酸液储存槽采用的是CLEAN-PVC材质，功能是储存腐蚀所需的氢氟酸，同时实现酸液的配比控制。
[0013]相对于现有技术，本实用新型所述的硅片边缘氧化膜腐蚀用设备具有以下优势:
[0014]本实用新型所述的硅片边缘氧化膜腐蚀用设备可实现硅片边缘氧化膜腐蚀的全自动运行，产能相比进口设备提高了 21%，精度由进口设备的±0.3mm提高到±0.2mm。
【附图说明】
[0015]构成本实用新型的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
[0016]图1为本实用新型实施例所述的硅片边缘氧化膜腐蚀用设备结构示意图的主视图；
[0017]图2为本实用新型实施例所述的硅片边缘氧化膜腐蚀用设备结构示意图的俯视图。
[0018]附图标记说明:
[0019]1-上料机构，2-搬运定心系统，3-硅片暂存台，4-硅片腐蚀搬运系统，5-酸槽，
6-纯水槽，7-下料机构，8-酸液储存槽。
【具体实施方式】
[0020]需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0021]下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。
[0022]如图1、2所示，硅片边缘氧化膜腐蚀用设备包括主体框架，在所述主体框架内部对称分布有第一工作区和第二工作区，所述第一工作区和第二工作区均包括依次设置的上料区、腐蚀区和下料机构7 ;所述上料区、腐蚀区和下料机构上方设有硅片腐蚀搬运系统4 ;所述上料区包括上料机构I和硅片暂存台3，还包括搬运定心系统2，包括搬运机械手和定心台，为第一工作区和第二工作区的共用机构，所述搬运定心系统2设置在两个上料区中间；所述腐蚀区包括依次设置的酸槽5和纯水槽6，所述酸槽5的下方设有酸液储存槽8。
[0023]硅片边缘氧化膜腐蚀用设备的工作过程是:经手动将硅片放置到上料机构I上，上料机构I对上料片蓝进行定位，同时利用传感器确认是否正确方式片蓝，若正确，则搬运机械手将硅片从上料机构I中取出，同时传送至定心台完成中心定位和参考面定位，完成后将硅片传送至硅片暂存台3，硅片暂存台3采用的是PVC材质，能够有效的防止氢氟酸的腐蚀，硅片腐蚀搬运系统4将硅片从硅片暂存台3依次搬运至酸槽5和纯水槽6进行腐蚀和清洗，酸槽5采用的是CLEAN-PVC材质，有较强的耐氢氟酸能力，纯水槽6采用的是PVC材质，有一定的耐氢氟酸能力，腐蚀和清洗完成后，硅片腐蚀搬运系统4将硅片搬运到下料机构7，完成加工过程。
[0024]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种硅片边缘氧化膜腐蚀用设备，其特征在于:包括主体框架，在所述主体框架内部对称分布有第一工作区和第二工作区，所述第一工作区和第二工作区均包括依次设置的上料区、腐蚀区和下料机构；所述上料区、腐蚀区和下料机构上方设有硅片腐蚀搬运系统；所述上料区包括上料机构和硅片暂存台，还包括搬运定心系统，为第一工作区和第二工作区的共用机构，所述搬运定心系统设置在两个上料区中间；所述腐蚀区包括依次设置的酸槽和纯水槽。2.根据权利要求1所述的硅片边缘氧化膜腐蚀用设备，其特征在于:所述硅片腐蚀搬运系统包括横梁、机械手和吸盘，所述机械手可沿横梁横向移动，所述吸盘位于机械手抓取娃片的一端。3.根据权利要求1所述的硅片边缘氧化膜腐蚀用设备，其特征在于:所述搬运定心系统包括搬运机械手和定心台。4.根据权利要求1所述的硅片边缘氧化膜腐蚀用设备，其特征在于:所述硅片暂存台采用的是PVC材质。5.根据权利要求1所述的硅片边缘氧化膜腐蚀用设备，其特征在于:所述酸槽的下方设有酸液储存槽。6.根据权利要求1所述的硅片边缘氧化膜腐蚀用设备，其特征在于:所述酸槽采用的是 CLEAN-PVC 材质。7.根据权利要求1所述的硅片边缘氧化膜腐蚀用设备，其特征在于:所述纯水槽采用的是CLEAN-PVC材质。8.根据权利要求5所述的硅片边缘氧化膜腐蚀用设备，其特征在于:所述酸液储存槽采用的是CLEAN-PVC材质。
【专利摘要】本实用新型提供了一种硅片边缘氧化膜腐蚀用设备，一种硅片边缘氧化膜腐蚀用设备，其特征在于：包括主体框架，在所述主体框架内部对称分布有第一工作区和第二工作区，所述第一工作区和第二工作区均包括依次设置的上料区、腐蚀区和下料机构；所述上料区、腐蚀区和下料机构上方设有硅片腐蚀搬运系统；所述上料区包括上料机构和硅片暂存台，还包括搬运定心系统，为第一工作区和第二工作区的共用机构，所述搬运定心系统设置在两个上料区中间；所述腐蚀区包括依次设置的酸槽和纯水槽。本实用新型所述的硅片边缘氧化膜腐蚀用设备可实现边缘氧化膜腐蚀的全自动运行，产能相比进口设备提高21％，精度由进口设备的±0.3mm提高到±0.2mm。
【IPC分类】H01L21/677, H01L21/67
【公开号】CN204732383
【申请号】CN201520461122
【发明人】靳立辉, 王国瑞, 张学强, 贾弘源, 高树良, 李翔, 张雪囡
【申请人】天津中环半导体股份有限公司
【公开日】2015年10月28日
【申请日】2015年6月30日