发光二极管封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型是有关于一种发光二极管封装结构。
【背景技术】
[0002]发光二极管(Light Emitting D1de,LED)由于具有高亮度、反应速度快、体积小、污染低、高可靠度、适合量产等优点，因此发光二极管在照明领域或是消费性电子产品的开发应用亦将越来越多，目前已将发光二极管广泛地应用在大型看板、交通信号灯、手机、扫描器、传真机的光源以及照明装置等。基于上述可知，发光二极管的发光效率以及亮度需求将会越来越受到重视，是故高亮度发光二极管的研究开发将是固态照明应用上的重要课题。
[0003]发光二极管已经在某些应用领域中取代荧光灯与白炽灯，而作为例如需求高速反应的扫描器灯源、投影装置的灯源、液晶显示器的背光源或前光源，汽车仪表板上的照明灯源，交通号志的灯源以及一般照明装置的灯源等等。相较于传统灯管，发光二极管具有例如体积较小、使用寿命较长、驱动电压/电流较低、结构强度较高、无汞污染以及高发光效率(节能)等显著优势。
[0004]为了进一步改善发光二极管的各项特性，相关领域莫不费尽心思开发。如何能提供一种具有较佳特性的发光二极管，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前相关领域亟需改进的目标。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型的一目的是在提供一种发光二极管封装结构，以提升发光二极管封装结构的发光效率。
[0006]根据本实用新型一实施方式，一种发光二极管封装结构，包含基板、发光二极管芯片、封装层以及多个反射颗粒。发光二极管芯片设置于基板上。封装层区分为第一层与第二层，第一层围绕发光二极管芯片的侧壁，第二层覆盖于发光二极管芯片与第一层上。反射颗粒设置于第一层中。
[0007]于本实用新型的一或多个实施方式中，第一层的设置高度不高于发光二极管芯片的最高高度。
[0008]于本实用新型的一或多个实施方式中，发光二极管芯片具有顶面，第一层的设置高度不高于顶面。
[0009]于本实用新型的一或多个实施方式中，反射颗粒均匀分布于第一层中。
[0010]于本实用新型的一或多个实施方式中，反射颗粒分布于离发光二极管芯片较近的区域。
[0011]于本实用新型的一或多个实施方式中，封装层的形状大致为立方体。
[0012]于本实用新型的一或多个实施方式中，封装层的形状大致为半球体。
[0013]于本实用新型的一或多个实施方式中，反射颗粒的总重量与除反射颗粒外的第一层的重量的比值约为0.2至0.6。
[0014]于本实用新型的一或多个实施方式中，反射颗粒的总重量与除反射颗粒外的第一层的重量的比值约为0.4。
[0015]于本实用新型的一或多个实施方式中，反射颗粒的内切圆的直径小于5纳米。
[0016]于本实用新型的一或多个实施方式中，发光二极管封装结构还包含多个荧光颗粒，分布于第二层中。
[0017]通过将反射颗粒分布于第一层中，当自发光二极管芯片的侧壁射出的光线在第一层中行进时，光线将会被分布于第一层中的反射颗粒反射。于是，光线被反射后也会朝上方行进，因而使光线由发光二极管封装结构的顶面射出，于是自发光二极管芯片的侧壁射出的光线亦可以被有效利用，进而提升发光二极管封装结构的发光效率。
【附图说明】
[0018]图1绘示依照本实用新型一实施方式的发光二极管封装结构的立体示意图；
[0019]图2绘示依照本实用新型一实施方式的发光二极管封装结构的剖面示意图，其剖面位置为沿图1的线段2;
[0020]图3绘示依照本实用新型另一实施方式的发光二极管封装结构的剖面示意图，其剖面位置为沿图1的线段2 ;
[0021]图4绘示依照本实用新型又一实施方式的发光二极管封装结构的剖面示意图；
[0022]图5绘示依照本实用新型再一实施方式的发光二极管封装结构的剖面示意图；
[0023]图6绘示依照本实用新型再一实施方式的发光二极管封装结构的剖面示意图。
【具体实施方式】
[0024]以下将以附图揭露本实用新型的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本实用新型。也就是说，在本实用新型部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。
[0025]图1绘示依照本实用新型一实施方式的发光二极管封装结构100的立体示意图。图2绘示依照本实用新型一实施方式的发光二极管封装结构100的剖面示意图，其剖面位置为沿图1的线段2。本实用新型不同实施方式提供一种发光二极管封装结构100。发光二极管封装结构100主要提供与照明相关的功能。
[0026]如图1与图2所绘示，发光二极管封装结构100包含基板110、发光二极管芯片120、封装层130以及多个反射颗粒140。发光二极管芯片120设置于基板110上。封装层130设置于基板110上且包覆发光二极管芯片120。封装层130区分为第一层131与第二层136，第一层131围绕发光二极管芯片120的侧壁122，第二层136覆盖于发光二极管芯片120与第一部分131上。反射颗粒140设置分布于第一层131中。
[0027]发光二极管芯片120所发射的光线会由其侧壁122或顶面124射出，于是光线可能朝发光二极管芯片120的上方或两侧行进。在设计时，通常会希望光线由发光二极管封装结构100的顶面101射出，自发光二极管芯片120的顶面124所发射的光线10因为朝发光二极管芯片120的上方行进，所以光线10将会由发光二极管封装结构100的顶面101射出。然而，自发光二极管芯片120的侧壁122射出的光线20因为朝发光二极管芯片120的两侧行进，如此光线20将可能不会由发光二极管封装结构100的顶面101射出，因而使光线20无法被有效利用。
[0028]通过将反射颗粒140分布于第一层131中，当光线20在第一层131中行进时，光线20将会被分布于第一层131中的反射颗粒140反射。于是，光线20被反射后也会朝上方行进，因而使光线20将自发光二极管封装结构100的顶面101射出，于是自发光二极管芯片120的侧壁122射出的光线20亦可以被有效利用，进而提升发光二极管封装结构100的发光效率。
[0029]具体而言，反射颗粒140均匀分布于第一层131中，反射颗粒140的内切圆的直径小于5纳米。应了解到，以上所举的反射颗粒140的【具体实施方式】仅为例示，而非用以限制本实用新型，本实用新型所属技术领域中具有通常知识者，可依实际需要，弹性选择反射颗粒140的【具体实施方式】。
[0030]反射颗粒140的材质可为具有高反射率的材质例如二氧化钛或二氧化钡。此处需要注意的是，反射颗粒140的材质应为不导电，以避免发光二极管芯片120通过分布于第一层131中的反射颗粒140与其他元件进行不必要的电性连接。
[0031]具体而言，第一层131的设置高度不高于发光二极管芯片120的最高高度。在本实施方式中，第一层131的设置高度不高于发光二极管芯片120的顶面124。于是，分布于第一层131中的反射颗粒140仅会反射自发光二极管芯片120的侧壁122射出而朝两侧行进的光线20，而不会反射自发光二极管芯片120的顶面124射出而朝上方行进的光线10，因而避免反射颗粒140对于发光二极管芯片120所发射的光线进行不必要的反射而降低发光二极管封装结构100的发光效率。
[0032]具体而言，封装层130的形状大致为立方体。应了解到，以上所举的封装层130的形状仅为例示，而非用以限制本实用新型，本实用新型所属技术领域中具有通常知识者，可依实际需要，弹性选择封装层130的形状。
[0033]具体而言，封装层130的材质为娃胶(Silicone)或环氧树脂(Epoxy Resin)。应了解到，以上所举的封装层130的材质仅为例示，而非用以限制本实用新型，本实用新型所属技术领域中具有通常知识者，可依实际需要，弹性选择封装层130的材质。
[0034]当封装层130的材质为硅胶时，封装层130的材质分子式可为:
[0035]