整流器件和电路的制作方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及电子器件领域，特别是涉及一种整流器件和一种电路。
【背景技术】
[0002] 近年来随着发光二极管照明技术的不断发展，对与之配套的驱动电源也提出了新 的要求。不但要求具有良好的稳压、恒流特性，还要求更小的体积和更加廉价的驱动电源。
[0003] 由于发光二极管驱动电源电路的不断改善及新材料的出现，对其中的主要功率变 换元件的反向击穿电压要求越来越高。目前，普遍应用在发光二极管驱动电源电路的功率 三极管，其集电极-基极的反向击穿电压一般都以大于700伏为标准。但在实际应用中，某 些特殊电路因为电路结构、元件材料等因素，施加在三极管集电极上面的峰值电压往往超 过700伏。因此，在发光二极管驱动电源的生产、应用中，很容易造成驱动电源的损坏。为 此，迫切需要一种更加耐压的功率三极管，以适应目前发光二极管驱动电源电路的需求。 【实用新型内容】
[0004]基于此，有必要提供一种更加耐压的整流器件。此外，还提供一种应用该整流器件 的电路。
[0005]-种整流器件，包括元胞区和位于所述元胞区周围的分压环区，所述分压环区包 括环形的第一分压环和环形的第二分压环，所述第一分压环和第二分压环由导电杂质掺杂 而成。
[0006]在其中一个实施例中，所述第一分压环和第二分压环的环宽均在8微米~12微米 之间。
[0007]在其中一个实施例中，所述第一分压环和第二分压环的环宽为10微米。
[0008]在其中一个实施例中，所述第一分压环和第二分压环之间的环距在30微米~40微米之间。
[0009]在其中一个实施例中，所述第一分压环和第二分压环之间的环距为35微米。
[0010] 在其中一个实施例中，所述第一分压环和第二分压环的掺杂深度在15微米~20 微米之间。
[0011] 在其中一个实施例中，所述第一分压环和第二分压环的掺杂深度为17微米。
[0012]在其中一个实施例中，所述整流器件采用T0-92封装。
[0013]在其中一个实施例中，所述整流器件为功率三极管。
[0014]-种电路，包括上述的整流器件。
[0015]上述整流器件，分压环区包括环形的第一分压环和环形的第二分压环，相对于传 统的单分压环结构，双分压环结构可以有效提高功率器件的反向击穿电压。以功率三极管 为例，经过试验证明，采用上述结构的功率三极管的集电极-基极的反向击穿电压可以达 到800多伏甚至900多伏，远优于传统功率三极管的700多伏。采用上述整流器件的电路， 可以有效降低电路故障几率。
【附图说明】
[0016] 为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例 或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅 是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提 下，还可以根据这些附图获得其他实施例的附图。
[0017] 图1为一个实施例的整流器件示意图。
【具体实施方式】
[0018] 为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描 述。附图中给出了本实用新型的较佳实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来 实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的 公开内容的理解更加透彻全面。
[0019] 除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领 域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为 了描述具体的实施例的目的，不是旨在限制本实用新型。本文所使用的术语"和/或"包括 一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0020] 图1为一个实施例的整流器件示意图。
[0021] 一种整流器件，包括元胞区100和位于元胞区100周围的分压环区200。分压环 区200包括环形的第一分压环210和环形的第二分压环220,第一分压环210和第二分压环 220包括由导电杂质掺杂而成的掺杂区域，导电杂质可以是P型导电类型杂质，例如可以是 硼离子。导电杂质的注入剂量可以在每平方厘米lel2~lel3之间。
[0022] 第一分压环210和第二分压环220的环宽（环的宽度）均在8微米~12微米之 间。在其中一个实施例中，第一分压环210和第二分压环220的环宽为10微米。第一分压 环210和第二分压环220之间的环距（两环之间的间距）在30微米~40微米之间。在其 中一个实施例中，第一分压环210和第二分压环220之间的环距为35微米。第一分压环 210和第二分压环220掺杂深度（扩散深度）在15微米~20微米之间。在其中一个实施 例中，第一分压环210和第二分压环220的掺杂深度为17微米。
[0023] 在其中一个实施例中，上述整流器件为功率三极管，采用T0-92封装。当然，在其 他实施例中，还可以采用其他的三极管封装结构。
[0024] 挑选采用传统单分压环结构和上述整流器件结构的三极管各10支进行对比测 试，测试结果见表1和表2。通过表1和表2可以发现：单分压环结构的三极管，其集电 极-基极反向击穿电压一般在700伏至720伏之间；而采用上述整流器件结构的三极管，其 集电极-基极反向击穿电压都在900伏以上，远优于传统功率三极管的700多伏。
[0025]
[0029]表 2
[0030] 上述整流器件只有两个分压环（保护环），可以满足击穿电压的应用要求，过多的 分压环虽然能够进一步提高击穿电压，但是也会相应增加制造难度和制造成本，上述整流 器件两个分压环是最佳的平衡点。
[0031] 以下描述一种包含该整流器件的电路。
[0032] -种电路，包括上述的整流器件。
[0033] 请参考图1，该整流器件包括元胞区100和位于元胞区100周围的分压环区200。 分压环区200包括环形的第一分压环210和环形的第二分压环220,第一分压环210和第二 分压环220包括由导电杂质掺杂而成的掺杂区域，导电杂质可以是P型导电类型杂质，例如 可以是硼离子。导电杂质的注入剂量可以在每平方厘米lel2~lel3之间。
[0034] 第一分压环210和第二分压环220的环宽（环的宽度）均在8微米~12微米之 间。在其中一个实施例中，第一分压环210和第二分压环220的环宽为10微米。第一分压 环210和第二分压环220之间的环距（两环之间的间距）在30微米~40微米之间。在其 中一个实施例中，第一分压环210和第二分压环220之间的环距为35微米。第一分压环 210和第二分压环220掺杂深度在15微米~20微米之间。在其中一个实施例中，第一分压 环210和第二分压环220的掺杂深度为17微米。
[0035] 在其中一个实施例中，上述整流器件为功率三极管，采用T0-92封装。当然，在其 他实施例中，还可以采用其他的三极管封装结构。
[0036] 上述电路还可以包含其他的电子元件，例如可以包括电阻、电容、电感、二极管、三 极管、变压器中至少一种。上述电路可以是发光二极管驱动电源电路，可以制作在电路板 (例如印刷电路板）上，并可以应用于照明产品中。
[0037] 上述整流器件和包括该整流器件的电路，分压环区包括环形的第一分压环和环形 的第二分压环，相对于传统的单分压环结构，双分压环结构可以有效提高功率器件的反向 击穿电压。以功率三极管为例，经过试验，采用上述结构的功率三极管的集电极-基极的反 向击穿电压可以达到800多伏甚至900多伏，远优于传统功率三极管的700多伏。采用上 述整流器件的电路，可以有效降低电路故障几率。
[0038] 以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细， 但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通 技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属 于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1. 一种整流器件，其特征在于，包括元胞区和位于所述元胞区周围的分压环区，所述分 压环区包括环形的第一分压环和环形的第二分压环，所述第一分压环和第二分压环由导电 杂质惨杂而成。2. 根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述第一分压环和第二分压环的环 宽均在8微米~12微米之间。3. 根据权利要求2所述的整流器件，其特征在于，所述第一分压环和第二分压环的环 宽为10微米。4. 根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述第一分压环和第二分压环之间 的环距在30微米~40微米之间。5. 根据权利要求4所述的整流器件，其特征在于，所述第一分压环和第二分压环之间 的环距为35微米。6. 根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述第一分压环和第二分压环的掺 杂深度在15微米~20微米之间。7. 根据权利要求6所述的整流器件，其特征在于，所述第一分压环和第二分压环的掺 杂深度为17微米。8. 根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述整流器件采用TO-92封装。9. 根据权利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述整流器件为功率三极管。10. -种电路，其特征在于，包括权利要求1~9任一项所述的整流器件。
【专利摘要】一种整流器件，分压环区包括环形的第一分压环和环形的第二分压环，相对于传统的单分压环结构，双分压环结构可以有效提高功率器件的反向击穿电压。以功率三极管为例，经过试验证明，采用上述结构的功率三极管的集电极-基极的反向击穿电压可以达到800多伏甚至900多伏，远优于传统功率三极管的700多伏。采用上述整流器件的电路，可以有效降低电路故障几率。
【IPC分类】H05B37/02, H01L27/02
【公开号】CN204885159
【申请号】CN201520407349
【发明人】全新, 赖辉朋, 张贵斌
【申请人】深圳市晶导电子有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年6月12日