可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体元器件的工艺设备，尤其是一种可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置。
【背景技术】
[0002]传感器用单晶硅在加工过程中，均需对其进行刻蚀处理；现有的刻蚀加工过程中，其往往通过将多个单晶硅叠放在片架之上，并通过向片架所在位置导入反应气体，并使得反应气体在电场环境下产生等离子体，以对单晶硅进行刻蚀；然而，现有的刻蚀装置中，由于刻蚀过程会在反应容器内产生高温，当其温度传递至电磁线圈的安装位置时，其会对电磁线圈的工作性能造成影响；同时，高温可能致使电磁线圈的连接部件松动，造成电磁线圈的偏移，进而影响刻蚀精度。
【发明内容】
[0003]本发明要解决的技术问题是提供一种传感器单晶硅刻蚀装置，其可有效改善刻蚀过程中电磁线圈的稳定性，以避免其偏移从而造成刻蚀精度的下降。
[0004]为解决上述技术问题，本发明涉及一种可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室，反应室的下端部设置有抽气管道，其连接至设置在反应室外部的真空栗；所述反应室的轴线位置设置有片架，其连接至设置在反应室外部的片架旋转机构；所述反应室外侧设置有电磁线圈；所述反应室的外壁之上设置有多个在水平方向上成环形延伸的支撑架，其与电磁线圈一一对应，所述电磁线圈置放于支撑架之上，每一个电磁线圈与反应室的侧壁之间均存在一定间距；所述支撑架的底端面设置有沿支撑架延伸的冷却管道，其内部填充有冷凝水。
[0005]作为本发明的一种改进，每一个电磁线圈与反应室的侧壁之间的间距为1至5厘米。
[0006]作为本发明的一种改进，每一个电磁线圈与反应室的侧壁之间的间距为3厘米。采用上述设计，其可有效避免电磁线圈受反应室内的高温影响。
[0007]作为本发明的一种改进，所述反应室中，每一个电磁线圈在反应室侧端面的投影位置上均设置有温度隔离层，其由陶瓷材料构成。采用上述设计，其可通过温度隔离层有效隔绝反应室内部温度，以避免反应室内部的高温对电磁线圈的造成影响，使其发生松动甚至脱落。
[0008]作为本发明的一种改进，每一个温度隔离层均由反应室的外壁延伸至反应室的内壁，其可使得温度隔离层的效果得以进一步的改善。
[0009]作为本发明的一种改进，每一个支撑架的上端面均设置有置放槽体，所述电磁线圈位于置放槽体内部，所述置放槽体的宽度与电磁线圈的宽度相同。采用上述设计，其可通过置放槽体的设置，使得电磁线圈的安装稳定性得以提升。
[0010]作为本发明的一种改进，每一个支撑架的下端面设置有冷却槽体，所述冷却管道位于冷却槽体内部；所述冷却槽体的上端面与置放槽体的底端面之间的距离至多为5厘米。采用上述设计，其可通过冷却槽体使得冷却管道的安装稳定性得以改善，并可缩减冷却管道与电磁线圈之间的距离，以增加冷却效果。
[0011]作为本发明的一种改进，所述冷却槽体的上端面与置放槽体的底端面之间的距离为3厘米；所述冷却管道的底端面设置有多个沿水平方向延伸至反应室侧端面之上的辅助支撑板件。采用上述设计，其可通过辅助支撑板件使得冷却管道的安装稳定性得以进一步的改善。
[0012]采用上述技术方案的可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其可通过支撑架以对电磁线圈进行安装，从而提高其在反应室外部的结构稳定性；同时，支撑架底部的冷却管道可实时对电磁线圈的对应位置进行冷却处理，以避免反应室内部高温对电磁线圈所在位置造成影响，使得其发生偏移，进而影响反应室内部的刻蚀精度。
【附图说明】
[0013]图1为本发明示意图；
[0014]附图标记列表:
[0015]1—反应室、2—送气管道、3—气源室、4 一抽气管道、5—真空栗、6—片架、7—片架旋转机构、8—电磁线圈、9—支撑架、10—冷却管道、11—温度隔离层、12—置放槽体、13—冷却槽体、14 一辅助支撑板件。
【具体实施方式】
[0016]下面结合【具体实施方式】，进一步阐明本发明，应理解下述【具体实施方式】仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向，词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。
[0017]实施例1
[0018]如图1所示的一种可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置，其包括有反应室1，反应室1的上端部设置有送气管道2，其连接至设置在反应室1外部的气源室3，反应室1的下端部设置有抽气管道4，其连接至设置在反应室1外部的真空栗5 ;所述反应室1的轴线位置设置有片架6，其连接至设置在反应室1外部的片架旋转机构7，其具体包括有连接至片架7的旋转轴，以及设置在反应室1外部的旋转电机；所述反应室1外侧设置有电磁线圈8。
[0019]所述反应室1的外壁之上设置有多个在水平方向上成环形延伸的支撑架9，其与电磁线圈8--对应，每一个电磁线圈8均置放于对应的支撑架9之上，每一个电磁线圈8
与反应室1的侧壁之间均存在一定间距；所述支撑架9的底端面设置有沿支撑架9延伸的冷却管道10，其内部填充有冷凝水。
[0020]作为本发明的一种改进，每一个电磁线圈8与反应室1的侧壁之间的间距为3厘米。采用上述设计，其可有效避免电磁线圈受反应室内的高温影响。
[0021]作为本发明的一种改进，所述反应室中，每一个电磁线圈8在反应室1侧端面的投影位置上均设置有温度隔离层11，其由陶瓷材料构成。采用上述设计，其可通过温度隔离层有效隔绝反应室内部温度，以避免反应室内部的高温对电磁线圈的造成影响，使其发生松动甚至脱落。
[0022]作为本发明的一种改进，每一个温度隔离层11均由反应室1的外壁延伸至反应室1的内壁，其可使得温度隔离层的效果得以进一步的改善。
[0023]采用上述技术方案的可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其可通过支撑架以对电磁线圈进行安装，从而提高其在反应室外部的结构稳定性；同时，支撑架底部的冷却管道可实时对电磁线圈的对应位置进行冷却处理，以避免反应室内部高温对电磁线圈所在位置造成影响，使得其发生偏移，进而影响反应室内部的刻蚀精度。
[0024]实施例2
[0025]作为本发明的一种改进，每一个支撑架9的上端面均设置有置放槽体12，所述电磁线圈8位于置放槽体12内部，所述置放槽体12的宽度与电磁线圈8的宽度相同。采用上述设计，其可通过置放槽体的设置，使得电磁线圈的安装稳定性得以提升。
[0026]本实施例其余特征与优点均与实施例1相同。
[0027]实施例3
[0028]作为本发明的一种改进，每一个支撑架9的下端面设置有冷却槽体13，所述冷却管道10位于冷却槽体13内部；所述冷却槽体13的上端面与置放槽体12的底端面之间的距离至多为5厘米。采用上述设计，其可通过冷却槽体使得冷却管道的安装稳定性得以改善，并可缩减冷却管道与电磁线圈之间的距离，以增加冷却效果。
[0029]本实施例其余特征与优点均与实施例2相同。
[0030]实施例4
[0031]作为本发明的一种改进，所述冷却槽体13的上端面与置放槽体12的底端面之间的距离为3厘米；所述冷却管道10的底端面设置有多个沿水平方向延伸至反应室1侧端面之上的辅助支撑板件14。采用上述设计，其可通过辅助支撑板件使得冷却管道的安装稳定性得以进一步的改善。
[0032]本实施例其余特征与优点均与实施例3相同。
【主权项】
1.一种可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室，反应室的下端部设置有抽气管道，其连接至设置在反应室外部的真空栗；所述反应室的轴线位置设置有片架，其连接至设置在反应室外部的片架旋转机构；所述反应室外侧设置有电磁线圈；其特征在于，所述反应室的外壁之上设置有多个在水平方向上成环形延伸的支撑架，其与电磁线圈一一对应，所述电磁线圈置放于支撑架之上，每一个电磁线圈与反应室的侧壁之间均存在一定间距；所述支撑架的底端面设置有沿支撑架延伸的冷却管道，其内部填充有冷凝水。2.按照权利要求1所述的可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，每一个电磁线圈与反应室的侧壁之间的间距为1至5厘米。3.按照权利要求2所述的可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，每一个电磁线圈与反应室的侧壁之间的间距为3厘米。4.按照权利要求3所述的可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述反应室中，每一个电磁线圈在反应室侧端面的投影位置上均设置有温度隔离层，其由陶瓷材料构成。5.按照权利要求4所述的可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，每一个温度隔离层均由反应室的外壁延伸至反应室的内壁。6.按照权利要求5所述的可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，每一个支撑架的上端面均设置有置放槽体，所述电磁线圈位于置放槽体内部，所述置放槽体的宽度与电磁线圈的宽度相同。7.按照权利要求6所述的可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，每一个支撑架的下端面设置有冷却槽体，所述冷却管道位于冷却槽体内部；所述冷却槽体的上端面与置放槽体的底端面之间的距离至多为5厘米。8.按照权利要求7所述的可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述冷却槽体的上端面与置放槽体的底端面之间的距离为3厘米；所述冷却管道的底端面设置有多个沿水平方向延伸至反应室侧端面之上的辅助支撑板件。
【专利摘要】本实用新型公开了一种可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其包括有反应室，反应室外侧设置有电磁线圈；所述反应室的外壁之上设置有多个在水平方向上成环形延伸的支撑架，其与电磁线圈一一对应，所述电磁线圈置放于支撑架之上；所述支撑架的底端面设置有沿支撑架延伸的冷却管道，其内部填充有冷凝水；采用上述技术方案的可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置，其可通过支撑架以对电磁线圈进行安装，从而提高其在反应室外部的结构稳定性；同时，支撑架底部的冷却管道可实时对电磁线圈的对应位置进行冷却处理，以避免反应室内部高温对电磁线圈所在位置造成影响，使得其发生偏移，进而影响反应室内部的刻蚀精度。
【IPC分类】H01L21/306
【公开号】CN204991655
【申请号】CN201520492006
【发明人】牟恒
【申请人】江苏德尔森传感器科技有限公司
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年7月9日