专利名称：单晶硅片倒角加工方法
技术领域：
本发明涉及一种单晶硅片倒角加工方法。
背景技术：
为了增加单晶硅片的应力，需要对硅片边缘进行加工，使硅片边缘形成倒角。利用砂轮打磨可形成倒角。其中一种加工方法是分两次打磨加工，打磨去除径向长度为O. 7mm。采用两次打磨的方法，因打磨而划伤硅片导致的硅片不良率达到了 O. 15%。采用两次打磨的加工方法的另一个缺点是加工的硅片在外延后会产生滑移线，产生滑移线的外延片比例最高达到7%。滑移线的长度约为3-5mm。
发明内容
本发明的目的之一是为了克服现有技术中的不足，提供一种可降低硅片不良率的单晶硅片倒角加工方法。为实现以上目的，本发明通过以下技术方案实现单晶硅片倒角加工方法，其特征在于，利用砂轮打磨硅片边缘，去除设定径向长度的硅片，使硅片边缘形成倒角；打磨次数为三次以上，三次以上打磨去除设定径向长度的硅片。优选地是，分四次打磨去除设定径向长度的硅片。优选地是，前两次每次 打磨去除硅片径向长度大于等于后两次每次去除硅片径向长度。优选地是，总去除硅片径向长度为0.7mm，第一次打磨去除径向长度为
O.45-0. 60mm ;第二次打磨去除径向长度为O. 01-0.1mm ;第三次打磨去除径向长度为
O.01-0. 05mm ;剩余需去除径向长度由第四次打磨去除。本发明中的去除径向长度，是指硅片最外侧边缘处沿径向长度方向的去除径向长度，即沿径向长度方向去除的最大值。本发明中的单晶硅片倒角加工方法，可以将硅片不良率降低一半，因划伤导致的硅片不良率从O. 15%降低至O. 087%。而且使用本发明中的方法加工的硅片用于生产外延片，外延片未产生滑移线，提高了外延片的合格率。
具体实施例方式下面对本发明进行详细的描述实施例1单晶硅片倒角加工方法，利用砂轮打磨硅片边缘，去除O. 7_径向长度的硅片，使硅片边缘形成倒角。打磨次数为四次，第一次打磨去除径向长度为O. 5mm ;第二次打磨去除径向长度为O.1mm ;第三次打磨去除径向长度为O. 05mm ;第四次打磨去除O. 05mm。实施例2
单晶硅片倒角加工方法，利用砂轮打磨硅片边缘，去除O. 7mm径向长度的硅片，使硅片边缘形成倒角。打磨次数为四次，第一次打磨去除径向长度为O. 5mm ;第二次打磨去除径向长度为O. 08mm ;第三次打磨去除径向长度为O. 05mm ;第四次打磨去除O. 07mm。实施例3单晶硅片倒角加工方法，利用砂轮打磨硅片边缘，去除O. 7_径向长度的硅片，使硅片边缘形成倒角。打磨次数为四次，第一次打磨去除径向长度为O. 6mm ;第二次打磨去除径向长度为O. 05mm ;第三次打磨去除径向长度为O. 02mm ;第四次打磨去除O. 03mm。实施例4单晶硅片倒角加工方法，利用砂轮打磨硅片边缘，去除O. 7_径向长度的硅片，使硅片边缘形成倒角。打磨次数为四次，第一次打磨去除径向长度为O. 55mm ;第二次打磨去除径向长度为O.1mm ;第三次打磨去除径向长度为O. 03mm ;第四次打磨去除O. 02mm。实施例5单晶硅片倒角加工方法，利用砂轮打磨硅片边缘，去除O. 7_径向长度的硅片，使硅片边缘形成倒角。打磨次数为四次，第一次打磨去除径向长度为0.45mm;第二次打磨去除径向长度为O. 15mm ;第三次打磨去除径向长度为O. 05mm ;第四次打磨去除O. 05mm。实施例6单晶硅片倒角加工方法，利用砂轮打磨硅片边缘，去除0. 7mm径向长度的硅片，使硅片边缘形成倒角。打磨次数为四次，第一次打磨去除径向长度为O. 55mm ;第二次打磨去除径向长度为O.1mm ;第三次打磨去除径向长度为O. Olmm ;第四次打磨去除径向长度为
O.04mmo实施例7单晶硅片倒角加工方法，利用砂轮打磨硅片边缘，去除O. 7mm径向长度的硅片，使硅片边缘形成倒角。打磨次数为四次，第一次打磨去除径向长度为O. 5mm ;第二次打磨去除径向长度为O.1mm ;第三次打磨去除径向长度为O. 1mm。实施例8单晶硅片倒角加工方法，利用砂轮打磨硅片边缘，去除O. 7mm径向长度的硅片，使硅片边缘形成倒角。打磨次数为四次，第一次打磨去除径向长度为O. 6mm ;第二次打磨去除径向长度为O. 05mm ;第三次打磨去除径向长度为O. 05mm。使用实施例1-8的加工方法各加工350片硅片，8个实施例中因划伤导致的硅片不良率最高为O. 087%。使用实施例1-8加工的硅片用于生产外延片，外延片未产生滑移线。本发明中的实施例仅用于对本发明进行说明，并不构成对权利要求范围的限制，本领域内技术人员可以想到的其他实质上等同的替代，均在本发明保护范围内。
权利要求
1.单晶硅片倒角加工方法，其特征在于，利用砂轮打磨硅片边缘，去除设定径向长度的硅片，使硅片边缘形成倒角；打磨次数为三次以上，三次以上打磨去除设定径向长度的硅片。
2.根据权利要求1所述的单晶硅片倒角加工方法，其特征在于，分四次打磨去除设定径向长度的硅片。
3.根据权利要求2所述的单晶硅片倒角加工方法，其特征在于，前两次每次打磨去除硅片径向长度大于等于后两次每次去除硅片径向长度。
4.根据权利要求3所述的单晶硅片倒角加工方法，其特征在于，总去除硅片径向长度为O. 7mm，第一次打磨去除径向长度为O. 45-0. 60mm ;第二次打磨去除径向长度为O.01-0.1mm ;第三次打磨去除径向长度为O. 01-0. 05mm ;剩余需去除径向长度由第四次打磨去除。
全文摘要
本发明公开了一种单晶硅片倒角加工方法，其特征在于，利用砂轮打磨硅片边缘，去除设定径向长度的硅片，使硅片边缘形成倒角；打磨次数为三次以上，三次以上打磨去除设定径向长度的硅片。本发明中的单晶硅片倒角加工方法，可以将硅片不良率降低一半，因划伤导致的硅片不良率从0.15%降低至0.087%。而且使用本发明中的方法加工的硅片用于生产外延片，外延片未产生滑移线，提高了外延片的合格率。
文档编号B24B9/06GK103056742SQ20121044249
公开日2013年4月24日 申请日期2012年11月7日 优先权日2012年11月7日
发明者沈辉辉, 黄春峰, 谢江华 申请人:上海合晶硅材料有限公司