专利名称：一种石墨埚邦的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及单硅单晶体生长与制造业中使用的一种石墨埚邦。
背景技术：
在现有单晶硅加工过程中，用到的化料设备就是晶体生长炉，晶体生长炉， 包括炉体、炉盖、坩埚、石墨埚邦、埚杆，坩埚置于石墨埚邦内，石墨埚邦下
方为埚杆，石墨埚邦包括邦壁和邦底。
目前，在传统的硅单晶生长设备的热系统中会出现硅液汽化体或硅液外渗 的现象，当硅液汽化体或硅液外渗后受重力和石墨的浸润作用时，硅液汽化体 或外渗硅液将通过石墨埚帮的外缘向底部流到邦底与埚杆的缝隙之间，从而使 得邦底与埚杆在当次生产中发生硅粘连。
实用新型内容
本实用新型需要解决的技术问题是提供一种硅液汽化体或外渗硅液不使邦 底与埚杆发生粘连的石墨埚邦。
为解决上述技术问题，本实用新型的石墨埚邦，包括邦壁和邦底，在邦壁 外侧面与邦底的交汇处设置有与邦底连为一体的凸起外延环。
作为本实用新型的改进，外延环包括外侧面和内侧面，外侧面由邦壁外侧
面自然延伸，内侧面与外延环外侧面平行设置且通过三角形或u型的外延环端
部相接。
作为本实用新型的进一步改进，外延环外侧面由邦壁自然延伸，外延环内 侧面与外延环外侧面之间相交为锐角。
作为本实用新型的进一步改进，所述外延环的凸起高度为10毫米至40毫米。作为本实用新型的进一步改进，所述锐角角度为30度至50度。 作为本实用新型的更进一步改进，所述锐角角度为45度。 由于采用了上述技术方案，本实用新型所取得的技术进步在于 由于在石墨埚邦外侧面邦壁与邦底的交汇处设置有外延环，当硅液汽化体
或硅液外渗后受重力和石墨的浸润作用时，硅液汽化体或外渗硅液将通过邦壁
的外表面向下流，当流到凸起外延环时，就从外延环的末端滴落下来，这样就
流不到邦底，从而保证了邦底与埚杆不会发生粘连。
由于外延环的端部为圆角或锐角，并且凸起部分延伸一定距离，用于防止
流到外延环的末端的硅液倒流回来，从而更进一步保证了邦底与埚杆不会发生粘连。
图l是石墨埚邦改造前的剖视图。 图2是本实用新型的石墨埚邦的剖视图。
具体实施方式
以下结合附图
对本实用新型做进一步详细说明
由图l、图2可知，本实用新型的石墨埚邦，包括邦壁l、邦底2、外延环 3，在石墨埚邦外侧面邦壁1与邦底2的交汇处设置有外延环3,外延环3外侧 面由邦壁1外侧面自然延伸，外延环3内侧面与外延环3外侧面之间相交为锐 角，锐角角度45度。
在另一种实施方式中，外延环3内侧面与外延环3外侧面平行设置，通过 三角形或U型的外延环3端部相接。
外延环3的延伸髙度为10亳米至40毫米，最佳可为30亳米。
工作时，当硅液汽化体或硅液外渗后受重力和石墨的浸润作用时，硅液汽 化体或外渗硅液将通过邦壁的外表面向下流，当流到凸起外延环3时，就从外 延环3的末端滴落下来，这样硅液就流不到邦底，从而保证了邦底与埚杆不会 发生粘连。
权利要求1、一种石墨埚邦，包括邦壁(1)和邦底(2)，其特征在于在邦壁(1)外侧面与邦底(2)的交汇处设置有与邦底(2)连为一体的凸起外延环(3)，外延环(3)包括外侧面和内侧面。
2、 根据权利要求1所述的石墨埚邦，其特征在于外延环(3)外侧面由 邦壁(1)外侧面自然延伸，外延环(3)内侧面与外延环(3)外侧面平行设置 且通过三角形或U型的外延环(3)端部相接。
3、 根据权利要求1所述的石墨埚邦，其特征在于外延环(3)外侧面由 邦壁(l)自然延伸，外延环(3)内侧面与外延环(3)外侧面之间相交为锐角。
4、 根据权利要求1所述的石墨埚邦，其特征在于所述外延环(3)的凸 起高度为10亳米至40亳米。
5、 根据权利要求3所述的石墨埚邦，其特征在于所述锐角的角度范围为 30度至50度。
6、 根据权利要求3所述的石墨埚邦，其特征在于所述锐角角度为45度。
专利摘要本实用新型公开了一种石墨埚邦，包括邦壁1、邦底2，在邦壁1外侧面与邦底2的交汇处设置有与邦底2连为一体的凸起外延环3，外延环3外侧面由邦壁1外侧面自然延伸，外延环3内侧面与外延环3外侧面平行设置且通过三角形或U型的外延环3端部相接。当硅液汽化体或硅液外渗后受重力和石墨的浸润作用时，硅液汽化体或外渗硅液将通过邦壁的外表面向邦底流到外延环的末端滴落，保证邦底埚杆不会粘连。
文档编号C30B35/00GK201362758SQ200920101829
公开日2009年12月16日 申请日期2009年3月10日 优先权日2009年3月10日
发明者勇 张 申请人:宁晋松宫电子材料有限公司