一种高穿透性导电薄膜的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于导电薄膜材料领域，特别涉及一种高穿透性导电薄膜。
【背景技术】
[0002]近年来触控式手机盛行，而触控式手机大至可分为电阻式触控面板和电容式触控面板，而其两种皆须设有透明导电薄膜，以透过其导电并控制手机。
[0003]参照图1所示，图1为市场上常见的透明导电薄膜的结构示意图；主要包括有基材层，基材层往上依次设置有粘附层和透明导电薄膜层。
[0004]图2是市场上常见透明导电薄膜及基材的实验数据图；由该图中可清楚看出，该基材层单独进行光穿透率实验时，其穿透率大致维持在90%，而在将该粘附层及该透明导电薄膜层沉积于该基材层后，该透明导电薄膜的光穿透率则大幅降低，通过实验数据可以得知透明导电薄膜随着照射光线波长的增加，光线穿透率会随之增加，而且透明导电薄膜在波长不同的照射光照射之下穿透率差距很大;而光穿透率的高低将直接影响到用户的视觉感受，因此很有必要提高透明导电薄膜的穿透率。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型的目的是提供一种高穿透性导电薄膜，本高穿透性导电薄膜利用氧化铌层和氧化硅层干涉光的折射，从而提升照射光线的穿透率。
[0006]为实现上述技术方案，本实用新型提供了一种高穿透性导电薄膜，主要包括有:基材层、粘附层、氧化铌层、氧化硅层、透明导电薄膜层和硬化层，所述粘附层位于基材层的上表面，所述氧化铌层位于粘附层上表面，所述氧化硅层位于氧化铌层上表面，所述透明导电薄膜层位于氧化铌层上表面，所述硬化层位于基材层的下表面。
[0007]在上述技术方案中，所述氧化铌层的厚度为21?23nm，折射率为2.0?2.5。。
[0008]在上述技术方案中，所述氧化硅层的厚度为58?62nm，折射率为1.45?1.47。
[0009]在上述技术方案中，所述基材层为可弹性弯折的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)层。[00?0]在上述技术方案中，所述透明导电薄膜层的厚度为25?35nm。
[0011]在上述技术方案中，所述透明导电薄膜层为氧化铟锡(ΙΤ0)层
[0012]本实用新型相较于现有技术的有益效果在于:本高穿透性导电薄膜利用氧化铌层和氧化硅层干涉光的折射，提高照射光线的穿透率。
【附图说明】
[0013]图1是市场上常见透明导电薄膜的结构示意图。
[0014]图2是市场上常见透明导电薄膜及基材的实验数据图。
[0015]图3是本实用新型的结构示意图。
[0016]图4是本实用新型及基材的实验数据图。
[0017]图中:10_基材层，20-粘附层，30-氧化铌层，40-氧化硅层，50-透明导电薄膜层，60-硬化层。
【具体实施方式】
[0018]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。本领域普通人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本实用新型的保护范围。
[0019]实施例:一种高穿透性导电薄膜。
[0020]参照图3所示，一种高穿透性导电薄膜，主要包括有:基材层10、粘附层20、氧化铌层30、氧化硅层40、透明导电薄膜层50和硬化层60，所述粘附层20位于基材层10的上表面，所述氧化铌层30位于粘附层20上表面，所述氧化硅层40位于氧化铌层30上表面，所述透明导电薄膜层50位于氧化硅层40上表面，所述硬化层60位于基材层10的下表面。
[0021]本实施例中，所述氧化铌层30的厚度为22nm，折射率为2.3。
[0022]本实施例中，所述氧化硅层40的厚度为60nm，折射率为1.46。
[0023]本实施例中，所述基材层10为可弹性弯折的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)层。
[0024]本实施例中，所述透明导电薄膜层50的厚度为30nm。
[0025]本实施例中，所述透明导电薄膜层50为氧化铟锡(ΙΤ0)层。
[0026]为了进一步解释本实用新型的构造特征、运用技术手段及所预期达成的功效，特将本实用新型的使用方式描述如下:
[0027]参照图3所示，生产制造本实施例中的高穿透性导电薄膜时，先在基材层10上沉积形成粘附层20，再于该粘附层20上沉积形成氧化铌层30，然后在氧化铌层30的上表面沉积形成氧化硅层40，然后在氧化硅层40上表面附上透明导电薄膜层50，另外在基材10的下表面吸附形成一层硬化层60。氧化铌层30的折射率为2.3，氧化硅层40的折射率为1.46，通过氧化铌层30和氧化硅层40对照射光折射率的干涉，减少照射光的反射，增强照射光的穿透率;硬化层60能够增强本导电薄膜的耐磨度;粘附层20使得氧化铌层30在基材层10更加稳定。
[0028]参照图4所示，图4是本高穿透性导电薄膜和基材(PET)层光穿透性实验数据，从图4可以看出，在照射光的波长在450-550nm时，本高穿透性导电薄膜的光穿透性高于仅仅使用基材(PET)层，更是明显高于市场常见的透明导电薄膜(如图2所示)的穿透性。由此可见利用该高折射率氧化铌层30及低折射率氧化硅层40可有效提高光线穿透率，在视觉上可明显降低干扰。
[0029]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作出的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种高穿透性导电薄膜，其特征在于主要包括有:基材层、粘附层、氧化铌层、氧化硅层、透明导电薄膜层和硬化层，所述粘附层位于基材层的上表面，所述氧化铌层位于粘附层上表面，所述氧化硅层位于氧化铌层上表面，所述透明导电薄膜层位于氧化硅层上表面，所述硬化层位于基材层的下表面。2.如权利要求1所述的高穿透性导电薄膜，其特征在于:所述氧化铌层的厚度为21?23nm，折射率为2.0?2.5。3.如权利要求1所述的高穿透性导电薄膜，其特征在于:所述氧化硅层的厚度为58?62nm，折射率为1.45?1.47 ο4.如权利要求1所述的高穿透性导电薄膜，其特征在于:所述基材层为可弹性弯折的聚对苯二甲酸乙二醇酯层。5.如权利要求1所述的高穿透性导电薄膜，其特征在于:所述透明导电薄膜层的厚度为25?35nm0
【专利摘要】本实用新型提供了一种高穿透性导电薄膜，主要包括有：基材层、粘附层、氧化铌层、氧化硅层、透明导电薄膜层和硬化层，所述粘附层位于基材层的上表面，所述氧化铌层位于粘附层上表面，所述氧化硅层位于氧化铌层上表面，所述透明导电薄膜层位于氧化铌层上表面，所述硬化层位于基材层的下表面。本高穿透性导电薄膜利用氧化铌层和氧化硅层干涉光的折射，提高照射光线的穿透率。
【IPC分类】H01B5/14
【公开号】CN205122220
【申请号】CN201520841483
【发明人】李伟明, 蓝银锋
【申请人】汕头市东通光电材料有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2015年10月28日