器封装结构200包含两个电极引脚3，分别为正极引脚31及负极引脚32。正极引脚31与由电容器总成2的正极部P前端延伸形成的多个正极接脚22电性连接，而负极引脚32与电容器总成2的负极部N电性连接。另外，正极引脚31包括位于封装体25之内的内埋部310及位于封装体25之外的裸露部311，且负极引脚32包括位于封装体25之内的内埋部320及位于封装体25之外的裸露部321。举例而言，于此步骤中，电极引脚保护膜21可为由高分子聚合物所形成的胶带，且胶带的其中一面具有黏性。形成电极引脚保护膜21可包括利用胶带缠绕并黏附于正极引脚31的裸露部311及负极引脚32的裸露部321的表面。然而，形成电极引脚保护膜21的方式不在此限。形成电极引脚保护膜21是为了避免后续镀膜步骤所使用的纳米材料沉积于引脚3的裸露部311、321上而降低其等的焊锡性。
[0037]接下来，请配合参阅图4A及4B。进行镀膜步骤，以形成一渗入且密封该固态电解电容器封装结构200的微结构中的纳米薄膜4(步骤S102)，其中，形成纳米薄膜4的纳米材料渗入固态电解电容器封装结构200的微结构251(亦即习知制作过程中所产生的缺陷)中。举例而言，用以形成纳米薄膜4的纳米材料可为高分子聚合物。于本实施例中，纳米材料为聚对甲苯(ParyIene)。于本实用新型实施例中，由纳米材料所形成的纳米薄膜4的厚度为少于I微米。然而，纳米薄膜4的厚度可依产品性质或固态电解电容器封装结构200的制造方法中的其他参数加以调整。
[0038]另外，请配合参阅图3B，步骤S102包括:加热对二甲苯二聚物以使其气化；高温裂解经气化后的对二甲苯二聚物，以生成二甲苯单体；以及沉积二甲苯单体于固态电解电容器封装结构200上，其中二甲苯单体在沉积过程中发生聚合以形成由聚对甲苯所形成的纳米薄膜4。详言之，有别于一般的液体涂层方法，本实用新型实施例形成纳米薄膜4的步骤是利用气化、高温裂解以及沉积镀膜等程序而达成。举例而言，气化温度可为150?170°C，高温裂解的温度可为600?700°C。上述温度条件可依据制程的其他参数加以调整。另外，举例而言，最后的沉积镀膜程序可使用一真空气相沉积设备在室温下进行。
[0039]值得一提的是，上述沉积镀膜程序可以在室温下进行，且在沉积镀膜期间还可以精密控制所沉积的纳米薄膜4的厚度与沉积的均匀性，因此可应用于具有较复杂形状的器件表面。如此一来，此沉积镀膜程序特别适合用于此种包含芯片型电容器的六面式的微型组件。另外，由于此沉积镀膜程序得以在较大面积的表面上形成薄膜，同时也可降低器件的制造成本。由此形成的纳米薄膜4具有防潮及抗酸碱的功能，使固态电解电容器封装结构200具有优异的使用寿命及可靠度。
[0040]经过步骤S102的沉积镀膜的程序后，除了可在固态电解电容器封装结构200的表面上形成纳米薄膜4，纳米材料会渗入固态电解电容器封装结构200的微结构251而达到密封的效果。举例而言，如图4所示，固态电解电容器封装结构200的微结构251可包括形成封装体25的制程中所产生的微孔洞2511及微缝隙2512，以及电极引脚3与封装体25之间的微缝隙2513。详言之，具有纳米尺寸的纳米材料可在沉积镀膜的程序的期间填入微结构251内，及/或在微结构251上形成纳米薄膜4，使固态电解电容器封装结构200的气密性及水密性不受微结构251所影响。
[0041]最后，进行一后处理步骤，去除电极引脚保护膜21(S104)。去除电极引脚保护膜21的方式可包括任何本领域中所使用的处理方法。举例而言，若电极引脚保护膜21为一黏性胶带，可通过机台将黏性胶带自正极引脚31的裸露部311及负极引脚32的裸露部321的表面撕除。其他去除电极引脚保护膜21的方式包括藉由化学溶剂处理电极引脚保护膜21以使之溶解。
[0042]在步骤S104后，可进一步将裸露部311、321弯折，以与其他组件达成电性连接。由上述步骤所制造的固态电解电容器封装结构200的结构如图3C所示。
[0043]根据上述方法，本实用新型另外提供固态电解电容器封装结构200，其包括电容器总成2;至少一电极引脚3，其电性连接电容器总成2;封装体25，其包覆电容器总成2的全部及至少一电极引脚3的一部分，其中至少一电极引脚3具有位于封装体25之内的内埋部30及位于封装体25之外的裸露部33;以及由纳米材料所形成的纳米薄膜4，其覆盖于封装体25的表面，其中纳米材料将封装体25的表面的微孔洞2511及微缝隙2513以及封装体25与至少一电极引脚3接缝处的微缝隙2513密封。
[0044]有关本实用新型提供的固态电解电容器封装结构200的制造方法，以及其中各组件的详细材料及功用如前述说明所述，故不再重复说明。
[0045]综上所述，本实用新型的有益效果可以在于，本实用新型实施例所提供的固态电解电容器封装结构及其制造方法，其可通过「形成一渗入且密封该固态电解电容器封装结构的微结构中的纳米薄膜」的步骤而确保固态电解电容器封装结构的气密性、水密性及抗酸碱性，藉此大大提升其使用寿命。举例而言，本实用新型实施例所提供的固态电解电容器封装结构可通过高温高湿下的测试，包括60°C/90%下1000HR、85°C/85%下500HR，且亦通过-55°(3?125°(3下1000册的冷热冲击测试。
[0046]最后应当说明的是:以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对其限制，尽管参照上述实施例对本实用新型进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员依然可以对本实用新型的【具体实施方式】进行修改或者等同替换，这些未脱离本实用新型精神和范围的任何修改或者等同替换，均在申请待批的权利要求保护范围之内。
[0047]符号说明
[0048]堆桟式固态电解电容器 100
[0049]电容器总成1，2
[0050]电容单元10
[0051]导电胶材11
[0052]正极接脚12，22
[0053]正极引脚13，31
[0054]内埋部131,310,320
[0055]裸露部132,311,321
[0056]负极引脚14
[0057]内埋部141
[0058]裸露部142
[0059]封装体15，25
[0060]正极部P[0061 ] 负极部 N
[0062]步骤S100、S102、S104、S1021、S1022、S1023
[0063]固态电解电容器封装结构200
[0064]芯片型电容器20
[0065]电极引脚保护膜21
[0066]微结构251
[0067]微缝隙2511,2513
[0068]微孔洞2512
[0069]电极引脚3
[0070]纳米薄膜4
【主权项】
1.一种固态电解电容器封装结构，其特征在于，包括: 一电容器总成； 至少一电极引脚，其电性连接该电容器总成； 一封装体，其包覆该电容器总成的全部及至少一该电极引脚的一部分，其中至少一该电极引脚具有一位于该封装体之内的内埋部及一位于该封装体之外的裸露部；以及 一由一纳米材料所形成的纳米薄膜，其覆盖于该封装体的表面上，其中该纳米材料将该封装体的表面的微孔洞及微缝隙以及位于该封装体与至少一该电极引脚之间的微缝隙密封。2.如请求项I所述的固态电解电容器封装结构，其特征在于，该纳米材料为聚对甲苯。3.如请求项I所述的固态电解电容器封装结构，其特征在于，该电容器总成包括多个依序堆栈的芯片型电容器或一卷绕型电容器。
【专利摘要】本实用新型公开了一种固态电解电容器封装结构及其制造方法，该固态电解电容器封装结构包括电容器总成、至少一电极引脚以及包覆该电容器总成及该电极引脚的一部分的封装体，且电极引脚具有分别位于封装体之内及之外的内埋部及裸露部；制造方法包含：进行前处理步骤，形成电极引脚保护膜以包覆裸露部；进行镀膜步骤，以形成一渗入且密封该固态电解电容器封装结构的微结构中的奈米薄膜；以及进行后处理步骤以去除电极引脚保护膜。本实用新型可有效改良固态电解电容器封装结构的气密性及水密性，进而增长使用寿命。
【IPC分类】H01G9/10, H01G9/08, H01G9/15
【公开号】CN205211601
【申请号】CN201520845546
【发明人】高良民, 黄俊嘉
【申请人】钰邦电子（无锡）有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年10月28日