双芯片并联联接封装结构的制作方法

文档序号:10464131阅读:320来源:国知局
双芯片并联联接封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种双芯片并联联接封装结构,属于半导体分立器件封装领域。
【背景技术】
[0002]单一芯片有其特定的电参数。有时单一芯片的参数并不能满足使用的要求,同时又没有满足使用要求的替代芯片;采用双芯片并联联接封装结构能够在单一芯片的参数不能满足要求时并联芯片,双芯片可以同时工作,拓展芯片的性能。

【发明内容】

[0003]本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种双芯片并联联接封装结构,在一个装片底板结构中安装两个芯片,并使其形成并联联接。
[0004]按照本实用新型提供的技术方案,所述的双芯片并联联接封装结构装片底板、E极引脚和B极引脚,所述装片底板上安装第一芯片和第二芯片,第一芯片的E极通过第一芯片E极导电引线连接E极引脚,第二芯片的E极通过第二芯片E极导电引线连接E极引脚,使第一芯片E极与第二芯片E极形成等电位;第一芯片的B极通过第一芯片B极导电引线连接B极引脚,第二芯片的B极通过第二芯片B极导电引线连接B极引脚,使第一芯片B极与第二芯片B极形成等电位。
[0005]所述第一芯片和第二芯片上下排列4极均位于右侧,B极均位于左侧。
[0006]所述装片底板为一块铜金属平板,E极引脚和B极引脚是铜材质导电引脚。
[0007]本实用新型的优点是:在同一结构中集成两个相同的芯片且两个芯片形成并联结构,两个芯片同时工作共同分担导通电流,使同一结构的导通电流增加一倍,但体积未变,节省有效使用空间,也有效地减少原材料的使用。
【附图说明】
[0008]图1是芯片不意图。
[0009]图2是本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0010]以下结合附图和实施例对本实用新型做进一步说明。
[0011]如图1所示的芯片,左边为芯片B极电极10,右边为芯片E极电极11。
[0012]本实用新型实现了两个芯片装片,并且两个芯片相同电极实现电性联接。如图2所示,其包含装片底板1、第一芯片2、第二芯片3、第一芯片E极导电引线4、第二芯片E极导电引线5、E极引脚6、第一芯片B极导电引线7、第二芯片B极导电引线8、B极引脚9。装片底板I为一块铜金属平板。E极引脚6、B极引脚9是铜材质导电引脚。E极引脚6与第一芯片E极、第二芯片E极分别通过第一芯片E极导电引线4、第二芯片E极导电引线5相连,其作用使第一芯片E极与第二芯片E极形成等电位。B极引脚9与第一芯片B极、第二芯片B极分别通过第一芯片B极导电引线7、第二芯片B极导电引线8相连,其作用使第一芯片B极与第二芯片B极形成等电位。第一芯片2和第二芯片3均安装在装片底板I上的平面区域,芯片上下排列,E极均位于右侧,B极均位于左侧。
[0013]图2中,第一芯片2和第二芯片3的B极电极各有导电引线与B极引脚9相连,并形成等电位结构;第一芯片2和第二芯片3的E极电极各有导电引线与E极引脚6相连,并形成等电位结构,两个芯片形成并联结构。在同一结构中集成两个芯片有效地提高了元件的整体容量。两个芯片同时工作共同分担导通电流,使同一结构的导通电流增加一倍。
【主权项】
1.双芯片并联联接封装结构,包括装片底板(1)、E极引脚(6)和B极引脚(9),其特征是:所述装片底板(I)上安装第一芯片(2)和第二芯片(3),第一芯片(2)的E极通过第一芯片E极导电引线(4)连接E极引脚(6),第二芯片(3)的E极通过第二芯片E极导电引线(5)连接E极引脚(6),使第一芯片(2)E极与第二芯片(3)E极形成等电位;第一芯片(2)的B极通过第一芯片B极导电引线(7)连接B极引脚(9),第二芯片(3)的B极通过第二芯片B极导电引线(8)连接B极引脚(9),使第一芯片(2)B极与第二芯片(3)B极形成等电位。2.如权利要求1所述的双芯片并联联接封装结构,其特征是,所述第一芯片(2)和第二芯片(3)上下排列,E极均位于右侧,B极均位于左侧。3.如权利要求1所述的双芯片并联联接封装结构,其特征是,所述装片底板(I)为一块铜金属平板,E极引脚(6)和B极引脚(9)是铜材质导电引脚。
【专利摘要】本实用新型提供了一种双芯片并联联接封装结构装片底板、E极引脚和B极引脚,所述装片底板上安装第一芯片和第二芯片,第一芯片的E极通过第一芯片E极导电引线连接E极引脚,第二芯片的E极通过第二芯片E极导电引线连接E极引脚,使第一芯片E极与第二芯片E极形成等电位;第一芯片的B极通过第一芯片B极导电引线连接B极引脚,第二芯片的B极通过第二芯片B极导电引线连接B极引脚,使第一芯片B极与第二芯片B极形成等电位。本实用新型的优点是:在同一结构中集成两个相同的芯片且两个芯片形成并联结构,两个芯片同时工作共同分担导通电流,使同一结构的导通电流增加一倍,但体积未变,节省有效使用空间,也有效地减少原材料的使用。
【IPC分类】H01L25/04, H01L23/49
【公开号】CN205376519
【申请号】CN201521134666
【发明人】黄昌民
【申请人】无锡昌德微电子股份有限公司
【公开日】2016年7月6日
【申请日】2015年12月31日
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