影像芯片封装结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开一种影像芯片封装结构，包括单颗芯片和基板，所述基板设有开孔，所述基板下端为导电层；所述单颗芯片上设有圆形针脚，所述基板上设有与针脚对应的插槽，所述插槽材质为铜片，所述插槽上端为漏斗状开口，下端为圆柱形管道；所述插槽下端连通导电层；插槽上设有竖直的缝隙；所述单颗芯片的4个边角与基板之间设有封胶。本实用新型的影像芯片封装结构为针脚设置专门的插槽，针脚直接插入插槽，大大减少了芯片与基板连接的难度，无需焊接，也不会造成芯片移动，提高了成品率，抗震能力也大大增强。
【专利说明】
影像芯片封装结构
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及一种影像芯片封装结构。
【背景技术】
[0002]现有技术的影像芯片封装均是将影像芯片和基板进行简单的焊接，而影像芯片针脚又小又密集，焊接难度高，而且抗震能力差，有可能造成针脚和基板之间虚焊、错焊，成品率低。
【实用新型内容】
[0003](一)要解决的技术问题
[0004]本实用新型的目的就是要克服上述缺点，旨在提供一种影像芯片封装结构。
[0005](二)技术方案
[0006]为达到上述目的，本实用新型的影像芯片封装结构，包括单颗芯片和基板，所述基板设有开孔，所述基板下端为导电层;所述单颗芯片上设有圆形针脚，所述基板上设有与针脚对应的插槽，所述插槽材质为铜片，所述插槽上端为漏斗状开口，下端为圆柱形管道;所述插槽下端连通导电层;插槽上设有竖直的缝隙;所述单颗芯片的4个边角与基板之间设有封胶。
[0007]进一步，所述基板一侧设有外转接处。
[0008]进一步，所述外转接处上表面不超过基板，下表面连通导电层
[0009]进一步，所述单颗芯片与上述开孔对应处设有影像区。
[0010]进一步，所述封胶为不导电材料。
[0011](三)有益效果
[0012]与现有技术相比，本实用新型的技术方案具有以下优点:本实用新型的影像芯片封装结构为针脚设置专门的插槽，针脚直接插入插槽，大大减少了芯片与基板连接的难度，无需焊接，也不会造成芯片移动，提高了成品率，抗震能力也大大增强。
【附图说明】
[0013]图1为本实用新型的影像芯片封装结构的剖视图；
[0014]图2为本实用新型图1A部放大图。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图和实施例，对本实用新型的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。
[0016]如图1至图2所示，本实用新型的影像芯片封装结构，包括单颗芯片I和基板2，所述基板2设有开孔3，所述基板下端为导电层;所述单颗芯片I上设有圆形针脚4，所述基板2上设有与针脚4对应的插槽5，所述插槽5材质为铜片，所述插槽5上端为漏斗状开口，下端为圆柱形管道;所述插槽5下端连通导电层6。插槽5的尺寸略小于或者等于针脚4，并且，在插槽5上设有竖直的缝隙10，保证插槽5具有一定的张开能力，防止被针脚4插裂。
[0017]所述基板2—侧设有外转接处9。用于连接外部设备，为芯片提供数据往来和供电。
[0018]所述外转接处9上表面不超过基板2，下表面连通导电层6，外转接处9不占用额外空间，大大降低芯片体积。
[0019]所述单颗芯片I与上述开孔3对应处设有影像区7。影像区7用于将光信号转换为电信号。
[0020]所述单颗芯片I的4个边角与基板2之间设有封胶8。
[0021]所述封胶8为不导电材料。封胶8的作用在于固定住芯片。
[0022]本实用新型的影像芯片封装结构为针脚设置专门的插槽，针脚直接插入插槽，大大减少了芯片与基板连接的难度，无需焊接，也不会造成芯片移动，提高了成品率，抗震能力也大大增强。
[0023]综上所述，上述实施方式并非是本实用新型的限制性实施方式，凡本领域的技术人员在本实用新型的实质内容的基础上所进行的修饰或者等效变形，均在本实用新型的技术范畴。
【主权项】
1.一种影像芯片封装结构，其特征在于:包括单颗芯片(I)和基板(2)，所述基板(2)设有开孔(3)，所述基板下端为导电层(6);所述单颗芯片(I)上设有圆形针脚(4)，所述基板(2)上设有与针脚(4)对应的插槽(5)，所述插槽(5)材质为铜片，所述插槽(5)上端为漏斗状开口，下端为圆柱形管道;所述插槽(5)下端连通导电层(6);插槽(5)上设有竖直的缝隙(10);所述单颗芯片(I)的4个边角与基板(2)之间设有封胶(8)。2.如权利要求1所述的影像芯片封装结构，其特征在于:所述基板(2)—侧设有外转接处(9)03.如权利要求2所述的影像芯片封装结构，其特征在于:所述外转接处(9)上表面不超过基板(2)，下表面连通导电层(6)4.如权利要求3所述的影像芯片封装结构，其特征在于:所述单颗芯片(I)与上述开孔(3)对应处设有影像区(7)。5.如权利要求4所述的影像芯片封装结构，其特征在于:所述封胶(8)为不导电材料。
【文档编号】H01L23/31GK205564731SQ201620416331
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2016年5月9日
【发明人】任超, 曹凯, 谢皆雷, 方梁红, 石旋
【申请人】宁波芯健半导体有限公司